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與非網(wǎng)7月6日訊?據(jù)“證監(jiān)會發(fā)布”披露，已同意普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下簡稱“普冉半導(dǎo)體”）的科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊。普冉半導(dǎo)體即將登陸科創(chuàng)板。
根據(jù)此前披露的招股書顯示，此次普冉半導(dǎo)體在科創(chuàng)板上市擬募資3.45億元，扣除發(fā)行費用后將主要用于閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、EEPROM芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目和總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項目的建設(shè)。
一、發(fā)行人概述
公司的主營業(yè)務(wù)是非易失性存儲器芯片的設(shè)計與銷售，目前主要產(chǎn)品包括 NOR Flash 和 EEPROM 兩大類非易失性存儲器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應(yīng)用于手機、計算機、網(wǎng)絡(luò)通信、家電、工業(yè)控制、汽車電子、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。例如，根據(jù)存儲需求的不同，公司的 NOR Flash 產(chǎn)品應(yīng)用于低功耗藍(lán)牙模塊、TWS 耳機、手機觸控和指紋、TDDI（觸屏）、AMOLED（有源矩陣有機發(fā)光二極體面板）、可穿戴設(shè)備和安全芯片等領(lǐng)域，公司的 EEPROM 產(chǎn)品應(yīng)用于手機攝像頭模組（含 3-D）、智能電表、家電等領(lǐng)域。報告期內(nèi)，公司主營業(yè)務(wù)未發(fā)生重大變化。
在 NOR Flash 業(yè)務(wù)方面，公司已經(jīng)和匯頂科技、恒玄科技、杰理科技、中科藍(lán)訊等主控原廠，深天馬、合力泰、華星光電等手機屏幕廠商建立了穩(wěn)定的業(yè)務(wù)合作關(guān)系，產(chǎn)品應(yīng)用于三星、OPPO、vivo、華為、小米、聯(lián)想、惠普等品牌廠商。在 EEPROM 業(yè)務(wù)方面，公司已經(jīng)和舜宇、歐菲光、丘鈦微電子、信利、合力泰、三星電機、三贏興、盛泰等行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的手機攝像頭模組廠商以及聞泰科技、華勤通訊、龍旗科技等 ODM 廠商形成了穩(wěn)定的合作關(guān)系，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于 OPPO、vivo、華為、小米、美的等知名廠商的終端產(chǎn)品中。
二、發(fā)行人主要財務(wù)數(shù)據(jù)及財務(wù)指標(biāo)
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三、發(fā)行人募集資金用途
本次募集資金扣除發(fā)行費用后，將投資于以下項目：
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1、閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目
項目基本情況
近年來，隨著 IoT、汽車電子等下游領(lǐng)域的快速擴張，F(xiàn)lash 存儲相關(guān)技術(shù)的迭代也隨之加快，加之性價比成為消費者衡量產(chǎn)品的一項重要指標(biāo)，由此促使大容量、高速率以及低價位的 Flash 相關(guān)產(chǎn)品接連上市。行業(yè)中企業(yè)集中在降低成本與功耗、提升擦寫編程速度、提高可靠性、低延遲等方面進行技術(shù)研發(fā)。同時，在晶圓制造工藝上，目前 NOR Flash 產(chǎn)品的主流工藝制程主要為 65nm，同時有少量 55nm 工藝制程產(chǎn)品。在Flash 存儲器芯片市場，推進先進制程、大容量、高性能、高可靠性產(chǎn)品是未來技術(shù)發(fā)展的大趨勢。
本項目中，公司將采用領(lǐng)先于業(yè)界的工藝制程，對 NOR Flash 存儲器芯片開展設(shè)計研究，實現(xiàn)公司在先進制程、大容量 Flash 存儲器芯片領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化。項目具體研發(fā)的產(chǎn)品包括：40nmNOR Flash 系列存儲器芯片；New Gen NOR Flash 系列存儲器芯片。本項目的產(chǎn)品將被應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、藍(lán)牙、智能穿戴設(shè)備、指紋識別、智能家居、智能手機等領(lǐng)域。
2、EEPROM 芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目
項目基本情況
隨著智能手機攝像頭模組升級和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，EEPROM 以其自身優(yōu)勢，迅速開拓了智能手機攝像頭、智能電表、智能家居、可穿戴設(shè)備等新型市場。高可靠性、低功耗的車載級和工業(yè)級 EEPROM 存儲器芯片在我國具有十分廣闊的市場前景，但是國內(nèi)車載級和工業(yè)級存儲器芯片發(fā)展滯后，以高可靠性、高穩(wěn)定性、低功耗、超高擦寫能力、超長數(shù)據(jù)保存時間等為特征的車載及工業(yè)應(yīng)用的 EEPROM 存儲器芯片與國外龍頭廠商存在差距。
本項目中，公司將對工業(yè)和消費級以及車載級 EEPROM 存儲器芯片開展設(shè)計研究，實現(xiàn)公司 EEPROM 存儲器芯片在多維下游應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化。項目具體研發(fā)產(chǎn)品包括兩部分：其一，公司擬在當(dāng)前技術(shù)積累下，從工藝制程、電路設(shè)計等方面切入，對手機攝像頭模組等消費類 EEPROM 以及智能電表、智慧通信等工業(yè)類 EEPROM 存儲器芯片進行升級研發(fā)，達(dá)到 95nm 及以下的工藝制程，實現(xiàn)更低工作電壓和更低功耗；其二，公司擬開發(fā)車載 EEPROM 產(chǎn)品，通過運用糾錯校驗（ECC）和差分存儲技術(shù)，開發(fā)具備超高擦寫能力、超長數(shù)據(jù)保存時間等特點的 EEPROM 產(chǎn)品，并提升產(chǎn)品的溫度適應(yīng)能力和抗干擾能力，完成 A3 和 A2 等級的汽車 EEPROM 產(chǎn)品的開發(fā)。
3、總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項目
項目基本情況
近年來，公司業(yè)務(wù)規(guī)模快速擴張，員工數(shù)量持續(xù)增加，目前公司總部辦公場地和研發(fā)實驗室場地在面積、環(huán)境上已不能適應(yīng)公司業(yè)務(wù)發(fā)展的需要。同時，隨著 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等主流存儲器微縮制程已逼近極限，加上存儲技術(shù)發(fā)展進步以及終端需求的變化，新型存儲器及前沿存儲技術(shù)的研發(fā)備受市場矚目。
本項目中，公司將根據(jù)實際情況，投資建設(shè)總部基地，基地將劃分為展廳、活動室、研發(fā)實驗室以及各職能部門的辦公區(qū)，從而解決公司當(dāng)前辦公和研發(fā)實驗室場地緊缺的問題。同時，公司還將展開前沿存儲技術(shù)的研發(fā)，主要方向包括快速擦寫、超低功耗、高耐久性、抗干擾性及成本占優(yōu)等。
四、發(fā)行人股權(quán)結(jié)構(gòu)
截至本招股說明書簽署日，公司股權(quán)結(jié)構(gòu)如下：
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五、發(fā)行人組織結(jié)構(gòu)的設(shè)置情況
截至本招股說明書簽署日，公司組織結(jié)構(gòu)設(shè)置情況如下：
六、董事會成員
發(fā)行人董事會由 6 名董事組成，其中獨立董事 2 名，名單及簡歷具體如下：
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七、主營業(yè)務(wù)收入的主要構(gòu)成
報告期內(nèi)，公司主營業(yè)務(wù)收入及占比分產(chǎn)品情況如下：
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報告期內(nèi)各期，公司分不同產(chǎn)品對前五大客戶的銷售情況如下：
①NOR Flash
②EEPROM
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八、主要采購情況
公司主要專注于芯片設(shè)計，不直接從事芯片的生產(chǎn)和加工環(huán)節(jié)，報告期內(nèi)，公司主要采購內(nèi)容為晶圓、晶圓測試服務(wù)、封裝測試服務(wù)，具體采購情況如下表所示：
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1、晶圓測試前五大供應(yīng)商情況
報告期內(nèi)，發(fā)行人晶圓測試前五大供應(yīng)商名稱、采購金額及其占比變動情況如下：
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2、封裝測試前五大供應(yīng)商情況
九、固定資產(chǎn)概況
截至 2020 年 9 月 30 日，公司固定資產(chǎn)情況如下：
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十、研發(fā)投入情況
報告期內(nèi)研發(fā)投入分別為 1,290.91 萬元、1,345.79 萬元、3,114.11 萬元和 2,984.00萬元，累計研發(fā)投入金額占報告期公司累計營業(yè)收入比例為 8.07%，研發(fā)投入占比較高。
