今年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣猶如過山車,上半年還如日中天,而第四季度開始掉頭向下,一波谷底行情逼近。個中原因既有疫情對應(yīng)用市場的影響,也有內(nèi)存產(chǎn)業(yè)自身發(fā)展周期的擾動。日前,在全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢主辦的“MTS2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”期間,來自產(chǎn)業(yè)界的多位嘉賓就存儲產(chǎn)業(yè)的趨勢與發(fā)展進(jìn)行了詳細(xì)的討論,成為觀察存儲產(chǎn)業(yè)走向頗具價值的參考。
市場分析及預(yù)測
集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮認(rèn)為,全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)上半年受疫情反復(fù)的影響,在線工作生活模式延續(xù),客戶端也因強(qiáng)勁需求而持續(xù)拉高庫存水位,讓前三季度內(nèi)存價格一路往上攀升。但隨著疫苗的施打和普及,疫情逐步受到控制,工作生活逐漸回到線下,終端需求下降,使得第四季度內(nèi)存產(chǎn)業(yè)從供不應(yīng)求轉(zhuǎn)為供過于求致使價格開始走跌。
集邦咨詢預(yù)估2022年內(nèi)存供給成長率將是18.1%,與今年持平,但銷售單價同比會降低15%。此外,明年將是DDR5內(nèi)存進(jìn)入市場的元年,DDR5內(nèi)存具有高頻率與低電壓的特性,加上國際大廠陸續(xù)投入,明年下半年將有一定程度的滲透率,受此影響,內(nèi)存均價跌幅有機(jī)會開始收斂,不排除價格走穩(wěn)的可能性。
疫情加快了數(shù)字化轉(zhuǎn)型,推動5G商轉(zhuǎn)與智慧終端的普及。集邦咨詢研究經(jīng)理劉家豪認(rèn)為,大部分?jǐn)?shù)字化應(yīng)用服務(wù)皆藉由云、端、網(wǎng)來進(jìn)行統(tǒng)合,尤其需依賴龐大數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算與訓(xùn)練的應(yīng)用服務(wù)。而伴隨著虛擬化平臺及云儲存技術(shù)的發(fā)展,服務(wù)器的需求與日俱增。因此,集邦咨詢預(yù)估,2021年及2022年服務(wù)器出貨均可達(dá)4~5%的成長,這將對DRAM訂單產(chǎn)生影響。
劉家豪表示,2021年服務(wù)器供應(yīng)鏈仍持續(xù)受疫情影響,提前備貨的需求明顯,促使各級零部件采購動能較疫情發(fā)生之初更為強(qiáng)勁,這一狀況不僅反映在今年上半年服務(wù)器相關(guān)的DRAM的采購訂單上,也加速DRAM 價格迭代周期的循環(huán)。此外,由于疫情帶動工作模式與生活型態(tài)的改變,包括遠(yuǎn)距辦公與教學(xué)、云端應(yīng)用服務(wù)(SaaS)需求擴(kuò)張、企業(yè)在基礎(chǔ)架構(gòu)的支出上選擇更為彈性的模式(IaaS、PaaS)等云端題材仍持續(xù)發(fā)酵,也進(jìn)一步推升了整體服務(wù)器需求的擴(kuò)張。其中,今年多數(shù)企業(yè)對于基礎(chǔ)架構(gòu)的采購行為逐漸從以往高投入門檻的資本支出,移轉(zhuǎn)為更為靈活彈性的營運(yùn)費(fèi)用,因此除了既有的服務(wù)器采購訂單外,也加速了云數(shù)字轉(zhuǎn)化進(jìn)程,截止今年第三季前,以Dell、HPE為首的企業(yè)服務(wù)器供應(yīng)商為滿足相關(guān)需求,也開始調(diào)整生產(chǎn)計劃與出貨安排。
除了DRAM,在閃存方面,企業(yè)級固態(tài)硬盤需求和支出都在增長的同時,供大于求的狀況還有待消化。集邦咨詢分析師敖國鋒就2022年的閃存市場供需趨勢的分析指出,2021年市場對閃存容量的需求將增長38.8%,供應(yīng)則將增長39.1%,這顯示2022年閃存市場將出現(xiàn)供過于求的狀況,并將延續(xù)到2023年,之后的走勢,需要結(jié)合整個行業(yè)閃存產(chǎn)品轉(zhuǎn)進(jìn)200層以上的進(jìn)度,才能判斷到2023年是否能夠有機(jī)會實現(xiàn)供需平衡。
一個可見的增長的需求來自于企業(yè)級固態(tài)硬盤,未來在5G,AI等大數(shù)據(jù)應(yīng)用發(fā)展下,數(shù)據(jù)存儲的效能及容量也必然出現(xiàn)更大改變,對于未來幾年容量的增長趨勢及如何利用新的傳輸規(guī)格優(yōu)化服務(wù)器效能將是未來重要的課題。集邦咨詢預(yù)測,在整個應(yīng)用需求中,企業(yè)級固態(tài)硬盤的閃存容量的需求將超過三成,并且不同總線接口的滲透率也會出現(xiàn)明顯變化,如PCIe產(chǎn)品在今年已超過三成,而未來出貨占比將有機(jī)會超過八成。
伴隨存儲市場波動的,還有全球芯片產(chǎn)能的變化。集邦咨詢分析師喬安認(rèn)為,持續(xù)一年多的缺貨潮驅(qū)動2022年晶圓代工產(chǎn)能大幅擴(kuò)張。自2019年下半年開始,由5G領(lǐng)頭帶動的半導(dǎo)體需求逐漸發(fā)酵,加上日益緊張的地緣政治因素,疊加2020年的新冠疫情,在全球數(shù)字轉(zhuǎn)型需求拉升的基礎(chǔ)上,疫情驅(qū)動了恐慌性備貨,導(dǎo)致全球半導(dǎo)體供需結(jié)構(gòu)失衡,晶圓代工產(chǎn)能嚴(yán)重供不應(yīng)求的情況延燒將近兩年仍未停歇。
有鑒于此,各大晶圓代工廠先后在2021年宣布擴(kuò)產(chǎn)或新建晶圓廠,以滿足來自消費(fèi)性電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、電視、筆記本電腦、游戲主機(jī)等需求,包括滿足中長期科技發(fā)展所帶動的如服務(wù)器、云端、物聯(lián)網(wǎng)、電動車/自動駕駛、5G基站等各項需求。
集邦咨詢測算,2022年全球晶圓代工8英寸年均產(chǎn)能將新增約6%,12英寸將年增約14%。其中,12英寸新增產(chǎn)能逾半,其制程主要是目前最為短缺的成熟制程(1Xnm及以上),這些新增產(chǎn)能達(dá)產(chǎn)后,預(yù)期現(xiàn)階段極其緊張的芯片缺貨潮有望得到緩解。
應(yīng)用升級及產(chǎn)品變化
隨著市場應(yīng)用的升級,存儲產(chǎn)品對應(yīng)需求在技術(shù)面也在加快迭代。西部數(shù)據(jù)副總裁兼中國區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼表示,在摩爾定律作用下,閃存密度和性能迅速提高,資本效率也大幅增加。摩爾定律在閃存領(lǐng)域有三個維度可以發(fā)揮作用:一個是橫向,也就是在同一層里面橫向提高密度,第二個是在縱向上發(fā)展,可以堆疊層數(shù)。還有一個就是在同一單元里面,通過改變邏輯單元的設(shè)定,從原來的SLC到MLC、TLC、QLC,在每個單元都可以增長。如今年2月份西部數(shù)據(jù)發(fā)布的第六代162層3D NAND技術(shù),就是通過橫向拓展cell單元存儲密度,把程序性能提高了近2.4倍,讀取延遲減少約10%,I/O性能也提高了約66%。
時創(chuàng)意董事長倪黃忠認(rèn)為,存儲芯片模組廠商的未來在于其所謂的3.0時代。他表示,存儲芯片模組廠商的1.0時代,是做一些低端性的產(chǎn)品,包括Micro SD卡、U盤;2.0時代是企業(yè)在行業(yè)內(nèi)有一定的知名度,但銷售很難實現(xiàn)突破,工廠硬件完備,封裝測試能力達(dá)到一定的水準(zhǔn),因研發(fā)投入和創(chuàng)新能力不足,產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重,無法滿足一線大客戶要求和客制化需求,發(fā)展遇到瓶頸;3.0的模組廠商則擁有長期的戰(zhàn)略眼光,對存儲行業(yè)未來做好戰(zhàn)略布局,全面的技術(shù)開發(fā)能力,從芯片硬件到軟件、固件的開發(fā),延展到系統(tǒng)級開發(fā)以及整個設(shè)備自動化產(chǎn)線的改造能力。
倪黃忠強(qiáng)調(diào),3.0的存儲廠商,能夠運(yùn)用工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù),打造數(shù)字化工廠,為客戶提供高效、可靠的定制化存儲解決方案,并參與行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)制定。在大會現(xiàn)場,時創(chuàng)意宣布推出自己的全新品牌:WeIC,主要針對工控及細(xì)分領(lǐng)域行業(yè)客戶,未來,時創(chuàng)意將會實行SCY與WeIC雙品牌的驅(qū)動,前者則主要是面向C端應(yīng)用。
應(yīng)用市場正處在5G+AI萬物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的時代,不僅驅(qū)動了服務(wù)器需求量的爆發(fā),對效能的要求也有了更高的要求。江蘇華存電子技術(shù)總工程師魏智汎認(rèn)為,未來幾年企業(yè)級存儲的主要方向,將是基于PCIe5的固態(tài)硬盤。
據(jù)魏智汎介紹,江蘇華存電子自主研發(fā)的PCIe Gen5 固態(tài)硬盤,對標(biāo)國際大廠的性能與效能,通過自主研發(fā),江蘇華存掌握了存儲關(guān)鍵技術(shù),成為系統(tǒng)端的技術(shù)儲備,因此可以支持云/邊/端的廠商一同持續(xù)創(chuàng)新。同時,江蘇華存電子自主研發(fā)了PCIe Gen5 SSD主控芯片,歷時四年,打磨出一顆企業(yè)級存儲SSD主控芯片HC9001,擁有創(chuàng)新XSDirectA (eXcellent-Scheduling & Direct-Arrival)架構(gòu)、創(chuàng)新第二代LPDC (Low-Density Parity-Check)糾錯算法架構(gòu)、以及創(chuàng)新iPower架構(gòu),該款芯片已經(jīng)完成12nm工藝流片。