芯耀
384
近日，晶圓代工廠商紹興中芯集成電路制造股份有限公司（下稱“中芯集成”）科創(chuàng)板IPO申請獲上交所受理。
資料顯示，中芯集成不僅是國內(nèi)知名的特色工藝晶圓代工企業(yè)，同時也是國內(nèi)少數(shù)提供車規(guī)級IGBT芯片的晶圓代工企業(yè)之一，主要從事MEMS和功率器件等領(lǐng)域的晶圓代工及模組封測業(yè)務(wù)。其產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋智能電網(wǎng)、新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏儲能、消費電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)、家用電器等行業(yè)。
1、中芯集成近220億加碼半導(dǎo)體項目
截至本招股說明書簽署日，中芯集成第一大股東為越城基金，持股比例為 22.70%，第二大股東中芯控股為中芯國際全資子公司，持股比例為19.57%。
根據(jù)招股說明書（申報稿）顯示，中芯集成本次擬向社會公開發(fā)行不超過16.92億股股份，計劃募集資金125億元，實際募集資金扣除發(fā)行費用后的凈額計劃投入MEMS和功率器件芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地技術(shù)改造項目、二期晶圓制造項目、以及補充流動資金。值得一提的是，上述項目的總投資額高達(dá)219.04億元。
其中，MEMS和功率器件芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地技術(shù)改造項目計劃投資總額65.64億元，擬使用募集資金投入15億元，將生產(chǎn)能力由月產(chǎn)4.25萬片晶圓擴充至月產(chǎn)10萬片晶圓。
二期晶圓制造項目計劃總投資達(dá)110億元，擬使用募集資金66.6億元，計劃建成一條硅基8英寸晶圓加工生產(chǎn)線，目前，該項目已經(jīng)開工建設(shè)，計劃于2022年8月設(shè)備搬入，于2022年10月試生產(chǎn)，于2023年達(dá)產(chǎn)。項目建成后將新增月產(chǎn)7萬片產(chǎn)能。
2、全球功率器件市場需求持續(xù)攀升
晶圓代工業(yè)務(wù)是中芯集成主營業(yè)務(wù)收入主要來源，擁有一座8英寸晶圓代工廠，數(shù)據(jù)顯示，2019年-2021年，其晶圓代工業(yè)務(wù)收入占主營業(yè)務(wù)收入的比例分別為92.11%、86.07%及92.09%。截至2021年12月，公司晶圓代工的月產(chǎn)能已達(dá)10萬片。
分產(chǎn)品來看，功率器件在中芯集成營收結(jié)構(gòu)中扮演著重要作用，2019年至2021年，其功率器件的代工收入分別為1.77億元、3.94億元和14.47億元，占比分別為67.54%、54.30%和72.21%。
事實上，隨著5G、新能源汽車、以及工業(yè)和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，以及在“碳中和”概念的提出，全球IGBT等功率器件市場需求持續(xù)攀升，此外，在新能源汽車的推動下，新能源汽車充電樁也隨之成為功率器件另一大增量。
據(jù)中國汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進聯(lián)盟的統(tǒng)計，2016年至2021年，我國公共充電樁和專用充電樁的保有量由5.88萬個增長至114.70萬個，呈爆發(fā)式增長，同步帶動了核心零部件IGBT、MOSFET等功率器件的市場需求。
以IGBT為例，有數(shù)據(jù)顯示，2020年全球IGBT市場規(guī)模為54億美元，業(yè)界預(yù)測，2026年市場規(guī)模將達(dá)到84億美元，2020-2026年均復(fù)合增長率為7.6%。
3、國內(nèi)廠商加速破局
目前，英飛凌、安森美、德州儀器、意法半導(dǎo)體、安世半導(dǎo)體等國外企業(yè)占據(jù)了全球功率器件大部分市場。然而，華虹半導(dǎo)體、華潤微、時代電氣、比亞迪半導(dǎo)體等國內(nèi)眾多廠商都開始搶抓市場機遇，紛紛布局。
其中，時代電氣和比亞迪半導(dǎo)體的經(jīng)營模式以IDM為主，從芯片設(shè)計到電控系統(tǒng)均有所布局。
時代電氣建有8英寸IGBT產(chǎn)業(yè)化基地，IGBT二期芯片產(chǎn)線于2021年年底正式投產(chǎn)。其IGBT在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域批量交付，占有率國內(nèi)第一。
比亞迪半導(dǎo)體作為新能源車規(guī)IGBT的主要廠商之一，主要以車規(guī)級半導(dǎo)體為核心，同步推動工業(yè)、家電、新能源、消費電子等領(lǐng)域的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展。目前，其已經(jīng)開始積極布局新一代IGBT技術(shù)。2021年12月，比亞迪半導(dǎo)體基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技術(shù)已實現(xiàn)量產(chǎn)。
華潤微同樣以IDM模式為主，產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域，擁有多個功率器件自主品牌，主要產(chǎn)品包括以MOSFET、IGBT為代表的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品和以光電傳感器、煙報傳感器、MEMS傳感器為主的智能傳感器以及MCU等。
2021年度，華潤微功率器件事業(yè)群銷售收入實現(xiàn)突破性增長，同比增長35%，其中，MOSFET產(chǎn)品銷售收入同比增長33%，IGBT產(chǎn)品銷售收入同比增長57%。與此同時，自主研發(fā)的平面型1200V SiC MOSFET進入風(fēng)險量產(chǎn)階段，自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵D-mode器件樣品進入轉(zhuǎn)量產(chǎn)階段；自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵E-mode器件性能達(dá)標(biāo)，器件封裝開發(fā)完成。
華虹半導(dǎo)體主要專注于嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等特色工藝制造平臺。目前，華虹半導(dǎo)體已與斯達(dá)半導(dǎo)體聯(lián)手實現(xiàn)了12英寸車規(guī)級IGBT的量產(chǎn)，并且相關(guān)產(chǎn)能還在持續(xù)擴張。
為加強其在晶圓代工領(lǐng)域特色工藝的市場地位，6月29日，華虹半導(dǎo)體還在港股公告，將向其子公司華虹無錫增資1.78億元。此外，據(jù)無錫高新區(qū)商務(wù)局近日透露，華虹半導(dǎo)體的另一子公司華虹宏力12英寸平臺累計出貨已達(dá)100萬片。
近年來，通過大力研發(fā)與外延并購，我國在芯片設(shè)計與工藝上不斷積累。目前，我國功率器件產(chǎn)業(yè)鏈日趨完善，相應(yīng)技術(shù)不斷取得突破，同時，中國擁有全球最大的功率器件消費市場。未來，隨著國家政策的推動及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心向中國的轉(zhuǎn)移，中國功率半導(dǎo)體行業(yè)有望率先實現(xiàn)國產(chǎn)替代，進入高速發(fā)展的黃金時期。
來源：全球半導(dǎo)體觀察 劉靜
