長鑫存儲

2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。 收起 展開全部

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  • 長鑫存儲DRAM份額將增至12%
    隨著市場份額穩(wěn)步提升的中國企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。
  • 中韓存儲技術(shù)差距縮至3年
    長鑫存儲科技（CXMT）已采用 16 納米技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。據(jù)業(yè)界1月26日報道，半導(dǎo)體市場研究公司TechInsights近日報道稱，“中國分銷市場發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長鑫存儲的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM組成”，而“長鑫存儲最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術(shù)”。?TechInsights 獲取并分析了上個月上市的中國 DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大，傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。
    中韓存儲技術(shù)差距縮至3年
  • 傳長鑫存儲3倍年薪挖角千人
    金先生，長鑫存儲科技有限公司（CXMT）負(fù)責(zé)開發(fā)的高級副總裁，是韓國人，畢業(yè)于韓國著名大學(xué)，曾在三星電子從事DRAM設(shè)計(jì)和開發(fā)工作26年。金先生曾擔(dān)任三星電子研究員（高管）和一家附屬公司負(fù)責(zé)戰(zhàn)略營銷的高管，于 2019 年 11 月移居中國，五年多來一直領(lǐng)導(dǎo)長鑫存儲的尖端 DRAM 開發(fā)。得益于這支“外籍工程師團(tuán)隊(duì)”，長鑫存儲以超出市場預(yù)期的速度進(jìn)軍傳統(tǒng)DRAM市場，目前正投入到HBM和DRAM 開發(fā)。
    傳長鑫存儲3倍年薪挖角千人
  • 傳長鑫存儲HBM2已送樣，計(jì)劃明年中量產(chǎn)
    長鑫存儲正準(zhǔn)備將主要應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域的高帶寬存儲器（HBM）以自己的技術(shù)商業(yè)化并供應(yīng)給客戶。據(jù)媒體12月31日報道，長鑫存儲已開始向主要客戶供應(yīng)HBM2標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體樣品，并計(jì)劃于明年年中開始量產(chǎn)。
  • 美國未制裁長鑫存儲的可能性分析
    美國此次未將長鑫存儲列入制裁名單，部分原因是來自日本的反對。長鑫存儲與日本半導(dǎo)體行業(yè)合作密切，而中國是日本半導(dǎo)體產(chǎn)品主要的出口對象，若響應(yīng)美國對華限制出口芯片，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將下滑，影響未來產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展。此外，中國掌握著豐富的稀有金屬材料鎵、鍺等，是制造半導(dǎo)體的主要來源，一旦日本跟隨美國限制芯片出口，中國可能限制這些材料出口，日本半導(dǎo)體生產(chǎn)將受影響。同時，日本似乎也在中美之間尋求平衡，其在經(jīng)貿(mào)上依賴中國，中日貿(mào)易往來能促進(jìn)日本發(fā)展。
    美國未制裁長鑫存儲的可能性分析
  • 2024年電子互連技術(shù)創(chuàng)新大會：AI浪潮勢不可擋
    與非網(wǎng)訊 2024年3月1日，由電巢舉辦的2024電子互連技術(shù)創(chuàng)新大會(EITIA)在中國深圳華僑城洲際大酒店成功召開，本次會議的主題“AI加速硬件互連創(chuàng)新”。 圖|2024年電子互連大會現(xiàn)場 大會邀請了眾多AI產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)專家、學(xué)者分享交流行業(yè)情況，Intel、科大訊飛、VIVO、浪潮信息、長鑫存儲、光迅科技、西門子EDA等龍頭企業(yè)對AI的廣泛應(yīng)用前景進(jìn)行了闡述，并逐層分析了從應(yīng)用到硬件到
    3740
    2024/03/04
    AI
    2024年電子互連技術(shù)創(chuàng)新大會：AI浪潮勢不可擋
  • 存儲器市場有望起死回生，中國廠商尋求逆周期突破
    近日，存儲模塊公司消息人士透露，三星已通知客戶，打算將512Gb NAND閃存晶圓的報價提高到1.60美元，較年初上漲15%，這一變化最早可能在8月中旬反映在現(xiàn)貨市場價格中。過去的幾個季度，存儲器市場經(jīng)歷了15年來最嚴(yán)重的低迷期，自2021年第三季度以來，DRAM和NAND的平均售價（ASP）分別下跌了57％和55％，在2023年初NAND價格達(dá)到0.05美元/GB。
    2429
    2023/08/12
    存儲器市場有望起死回生，中國廠商尋求逆周期突破
  • 繞不過的兆易創(chuàng)新
    全球MCU市場基本由海外巨頭壟斷，本土MCU產(chǎn)品正處于“從有到強(qiáng)”、“從有到多”的進(jìn)程中，兆易創(chuàng)新作為本土規(guī)模最大的MCU廠商，正引領(lǐng)這波國產(chǎn)替代浪潮。 本文旨在對兆易創(chuàng)新進(jìn)行全方位解析，從公司歷程、股權(quán)結(jié)構(gòu)、高管背景、產(chǎn)品布局、上下游分析、財務(wù)分析、品牌力調(diào)研、潛在風(fēng)險等多個角度深入探討，為讀者全面了解該公司提供有價值的參考。 公司歷程 兆易創(chuàng)新成立于2005年，致力于半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)計(jì)，于2016
    繞不過的兆易創(chuàng)新
  • 傳美國將更大規(guī)模制裁中國半導(dǎo)體，涉及中芯國際、華虹半導(dǎo)體、長鑫存儲、長江存儲等
    據(jù)硅谷科技媒體The Information撰文《The U.S. Weighs a Broader Crackdown on Chinese Chipmakers》，美國商務(wù)部正在考慮一項(xiàng)擴(kuò)大半導(dǎo)體制裁禁令，禁止美國公司向中國公司出售先進(jìn)的芯片制造設(shè)備。
  • 長鑫存儲將于Q2交付17nm DRAM樣品
    據(jù)《電子時報》報道援引上述人士稱，長鑫存儲的17nm制程成品率初步達(dá)到40%，預(yù)計(jì)將在2022年晚些時候逐步提高。據(jù)其計(jì)劃，將在2022年下半年將月產(chǎn)量提高到6萬至8萬片12英寸晶圓。
  • 奇夢達(dá)魂穿合肥長鑫，歐洲存儲器的興衰史
    奇夢達(dá)的衰落，使得歐洲再無儲存器。而我國從飽受儲存器進(jìn)口之苦，到可以預(yù)見的儲存器產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)潮，這一路并不平坦。
  • DDR5來了，這些新內(nèi)存技術(shù)你掌握了嗎？
    DDR5到底有哪些新技術(shù)特性？從原理上怎么理解，系統(tǒng)工程師又面臨著哪些挑戰(zhàn)？
    531
    4評論
    2020/02/03
  • 晉華落寞 長鑫疾行 | 中國DRAM廠商的王者夢
    與其唱衰，不如多點(diǎn)陽光，以夢為馬，靜候長鑫在DRAM市場突出重圍的好消息。
    273
    2019/12/26
  • 一文讀懂長鑫獲得的奇夢達(dá)專利價值幾何？
    日前，長鑫存儲（CXMT）和WiLAN Inc.聯(lián)合宣布，長鑫存儲與WiLAN Inc.合資子公司Polaris Innovations Limited有關(guān)達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲從Polaris獲得大量奇夢達(dá)（Qimonda）的DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可。
  • 6年打造成“中國IC之都”，合肥有啥實(shí)力？
    如今，合肥已被工信部列為全國9大集成電路發(fā)展聚集基地之一，被發(fā)改委列為14個集成電路產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)發(fā)展城市之一，成為全國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快、成效最顯著的城市之一，躍升為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的“后起之秀”。
  • 9 月本土 IC 投產(chǎn)事件匯總：工藝設(shè)備僅占 10%？
    與非網(wǎng)9月24日訊，說起來，中國芯的發(fā)展史稱得上是一部磨難史，因?yàn)榧夹g(shù)、設(shè)備、人才等都被西方國家封鎖，就是為了讓中國這個大市場巨額進(jìn)口芯片。
  • 2019 世界制造業(yè)大會：合肥集中簽約 123 個項(xiàng)目，總投資 3630 億元
    與非網(wǎng)9月23日訊，2019世界制造業(yè)大會在合肥拉開帷幕。大會為期4天,圍繞“創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)創(chuàng)造邁向制造業(yè)新時代——攜手全球中小企業(yè)共創(chuàng)智能制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展新未來”主題,開展一系列形式多樣、內(nèi)容豐富的精彩活動。
  • 國內(nèi) DRAM 空白終于被填補(bǔ)，長鑫存儲集成電路項(xiàng)目已簽約
    與非網(wǎng)9月23日訊，世界制造業(yè)大會上，長鑫存儲引人注目?？偼顿Y超過2200億元的合肥長鑫集成電路制造基地項(xiàng)目在合肥簽約，其中長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項(xiàng)目總投資約1500億元。
  • DRAM 要求不斷提高，長鑫存儲談 10nm 愿景
    與非網(wǎng)9月20日訊，9月19日在深圳舉辦的中國閃存技術(shù)峰會上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
  • 長鑫存儲亮相GSA存儲峰會，公開研發(fā)成果進(jìn)展
    2019年5月15日，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明先生在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會上，發(fā)表了《中國存儲技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，闡述新時代下中國存儲器市場的巨大需求和發(fā)展機(jī)遇。
    42
    2019/05/15

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