傳長鑫存儲HBM2已送樣，計劃明年中量產(chǎn)

長鑫存儲正準(zhǔn)備將主要應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域的高帶寬存儲器（HBM）以自己的技術(shù)商業(yè)化并供應(yīng)給客戶。

由于美國政府的監(jiān)管，中國幾乎不可能進口三星電子和SK海力士HBM，因此長鑫存儲有機會通過壟斷當(dāng)?shù)仄髽I(yè)的需求來快速增長。

據(jù)媒體12月31日報道，長鑫存儲已開始向主要客戶供應(yīng)HBM2標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體樣品，并計劃于明年年中開始量產(chǎn)。

上一代 HBM 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品已經(jīng)商業(yè)化，并且正在進行積極的生產(chǎn)投資。

有媒體評價道，“SK海力士、三星電子、美光等頂級公司已經(jīng)開始量產(chǎn)HBM3E，并準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4，但長鑫存儲的HBM2是一個非常重要的成果?！?/p>

這是因為國內(nèi)科技巨頭在其主要產(chǎn)品中使用了HBM2。

中國企業(yè)一直依賴三星電子和SK海力士等韓國企業(yè)供應(yīng)人工智能領(lǐng)域必不可少的HBM半導(dǎo)體。

然而，隨著美國政府近期決定采取監(jiān)管措施，有效禁止從中國進口HBM，相關(guān)供應(yīng)鏈已難以避免出現(xiàn)重大中斷。

在美國制裁的預(yù)期下，長鑫存儲已經(jīng)在利用自己的技術(shù)加速 HBM 的商業(yè)化，預(yù)計這些努力將獲得進一步的突破。

由于HBM作為高性能存儲半導(dǎo)體的性質(zhì)，技術(shù)壁壘較高，因此在性能和產(chǎn)量良率上追趕三星電子和SK海力士極有可能不容易。

然而，隨著中國將人工智能半導(dǎo)體供應(yīng)鏈完全本土化，長鑫存儲的作用變得越來越重要。

長鑫存儲在包括 DDR5 在內(nèi)的最新 DRAM 技術(shù)方面已經(jīng)迅速趕上三星電子和 SK 海力士。

花旗集團的報告預(yù)測，長鑫存儲的DDR5 DRAM良率一開始只有40%左右，但將在明年底達(dá)到80%和90%。

從明年開始，長鑫存儲的DDR5產(chǎn)能預(yù)計將增至每月10萬片晶圓，是目前水平的兩倍，被認(rèn)為是韓國半導(dǎo)體行業(yè)的威脅變量。

然而，三星電子和SK海力士正在生產(chǎn)采用12納米微處理的DDR5 DRAM，而長鑫存儲與韓國廠商仍存在很大的技術(shù)差距。