在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)向納米級乃至埃米級邁進(jìn)的今天,芯片集成度不斷攀升,內(nèi)部結(jié)構(gòu)愈發(fā)復(fù)雜。在芯片的全生命周期中,失效問題難以避免,而 Hot Spot 技術(shù)已成為產(chǎn)品工程師破解芯片失效謎團(tuán)的關(guān)鍵利器。該技術(shù)聚焦于芯片內(nèi)部因各種缺陷引發(fā)的過熱或異常電流密度區(qū)域,精準(zhǔn)定位潛在故障點(diǎn),為后續(xù)深入分析奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。