成本降低30%!低溫銀燒結(jié)技術(shù)加速SiC器件規(guī)模化應(yīng)用
導(dǎo)語(yǔ) 在工業(yè)電源、電動(dòng)汽車(chē)與航空航天領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件的高效率與耐高溫特性正逐步替代傳統(tǒng)硅基器件。然而,SiC芯片的高功率密度與高溫運(yùn)行需求,對(duì)封裝技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)——傳統(tǒng)焊料在高溫下易疲勞失效,成為制約性能釋放的關(guān)鍵瓶頸。 銀燒結(jié)技術(shù)憑借低溫工藝與超高可靠性,成為解鎖SiC潛力的‘銀鑰匙’。愛(ài)仕特基于此技術(shù)開(kāi)發(fā)的碳化硅模塊,已在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中驗(yàn)證其性能優(yōu)勢(shì),為行業(yè)提供高效、穩(wěn)