寬禁帶

• 升級電源和機(jī)架架構(gòu)，滿足AI服務(wù)器的需求

  英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應(yīng)對數(shù)據(jù)中心機(jī)架和電源供應(yīng)單元（PSU）電力需求增長所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。 前言 人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預(yù)測單臺GPU的功耗將呈指數(shù)級上升，預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到約2000 W [1]，而AI服務(wù)器機(jī)架的峰值功耗將突破驚人的300 kW。這一趨勢促使數(shù)據(jù)中心機(jī)架的AC和D

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  02/24 08:11

  英飛凌 功率器件
• 白皮書導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件

  近年來，電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個(gè)市場。目前，工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來提高能效等級，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)時(shí)存在一些限制，如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機(jī)的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能?！峨姍C(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件》白皮書共18頁，主要探討了采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）寬禁帶器件對電機(jī)驅(qū)動器效率的提升和應(yīng)用中需要克服的設(shè)計(jì)問題。

  英飛凌

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  2024/12/26

  電機(jī)驅(qū)動 寬禁帶

  
• Nexperia與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

  Nexperia今天宣布已與領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達(dá)）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的寬禁帶(WBG)器件。根據(jù)合作條款，Nexperia將開發(fā)、制造和供應(yīng)由Kostal設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動汽車(EV)車載充電器(OBC)的頂部散熱(TSC) QDPAK封裝的碳化硅(SiC) MOSFET器件。 KOSTAL Autom

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  2024/11/07

  SiC Nexperia

  
• 寬禁帶

  寬禁帶是指半導(dǎo)體材料的能隙較大，需要較高能量才能激發(fā)載流子的現(xiàn)象。在電子半導(dǎo)體行業(yè)中具有重要意義，本文將對寬禁帶進(jìn)行詳細(xì)介紹，以及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用和影響。

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  2024/11/11

  寬禁帶

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