長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

隨著市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升的中國(guó)企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）已采用 16 納米技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。據(jù)業(yè)界1月26日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司TechInsights近日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，“中國(guó)分銷(xiāo)市場(chǎng)發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM組成”，而“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術(shù)”。?TechInsights 獲取并分析了上個(gè)月上市的中國(guó) DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大，傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。

金先生，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司（CXMT）負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)的高級(jí)副總裁，是韓國(guó)人，畢業(yè)于韓國(guó)著名大學(xué)，曾在三星電子從事DRAM設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)工作26年。金先生曾擔(dān)任三星電子研究員（高管）和一家附屬公司負(fù)責(zé)戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)的高管，于 2019 年 11 月移居中國(guó)，五年多來(lái)一直領(lǐng)導(dǎo)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的尖端 DRAM 開(kāi)發(fā)。得益于這支“外籍工程師團(tuán)隊(duì)”，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)以超出市場(chǎng)預(yù)期的速度進(jìn)軍傳統(tǒng)DRAM市場(chǎng)，目前正投入到HBM和DRAM 開(kāi)發(fā)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正準(zhǔn)備將主要應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）以自己的技術(shù)商業(yè)化并供應(yīng)給客戶(hù)。據(jù)媒體12月31日?qǐng)?bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已開(kāi)始向主要客戶(hù)供應(yīng)HBM2標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體樣品，并計(jì)劃于明年年中開(kāi)始量產(chǎn)。

美國(guó)此次未將長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)列入制裁名單，部分原因是來(lái)自日本的反對(duì)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與日本半導(dǎo)體行業(yè)合作密切，而中國(guó)是日本半導(dǎo)體產(chǎn)品主要的出口對(duì)象，若響應(yīng)美國(guó)對(duì)華限制出口芯片，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將下滑，影響未來(lái)產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展。此外，中國(guó)掌握著豐富的稀有金屬材料鎵、鍺等，是制造半導(dǎo)體的主要來(lái)源，一旦日本跟隨美國(guó)限制芯片出口，中國(guó)可能限制這些材料出口，日本半導(dǎo)體生產(chǎn)將受影響。同時(shí)，日本似乎也在中美之間尋求平衡，其在經(jīng)貿(mào)上依賴(lài)中國(guó)，中日貿(mào)易往來(lái)能促進(jìn)日本發(fā)展。