IGBT

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳收起

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  • 芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長 營收同比超28%增長
    百尺竿頭更進(jìn)一步，中流擊水正當(dāng)其時(shí)。 4月28日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年及2025年第一季度業(yè)績公告。2024年，公司各季度營收節(jié)節(jié)攀升，以"新能源+智能化"雙引擎驅(qū)動(dòng)業(yè)務(wù)發(fā)展，在行業(yè)波動(dòng)中交出逆勢增長答卷： 實(shí)現(xiàn)營收65.09億，其中主營收入62.76億元，同比增長27.8% 歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正達(dá)1.03% EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）21.45億元，同比增長
    芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長 營收同比超28%增長
  • 黑龍江IGBT項(xiàng)目即將投產(chǎn)，年產(chǎn)能500萬個(gè)
    4月21日，“大慶政事”報(bào)道了黑龍江功率模塊項(xiàng)目的建設(shè)進(jìn)展，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，年產(chǎn)能將達(dá)500萬個(gè)。該報(bào)道提到，匯芯功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)制造項(xiàng)目是由廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司全資子公司——黑龍江匯芯半導(dǎo)體有限公司投資建設(shè)，該項(xiàng)目力爭5月底達(dá)到試生產(chǎn)條件，預(yù)計(jì)6月份實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，屆時(shí)，全球首條智能功率模塊AI示范封測線將投產(chǎn)。
    黑龍江IGBT項(xiàng)目即將投產(chǎn)，年產(chǎn)能500萬個(gè)
  • 南京IGBT/SiC功率模塊項(xiàng)目投產(chǎn)，年產(chǎn)250萬只
    4月23日，丹佛斯動(dòng)力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用,總投資超8億元，可年產(chǎn)IGBT/SiC功率模塊250萬只，電機(jī)及電驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品10萬套。
    南京IGBT/SiC功率模塊項(xiàng)目投產(chǎn)，年產(chǎn)250萬只
  • 這家IGBT企業(yè)營收達(dá)22億，增長120%
    據(jù)“揚(yáng)州日?qǐng)?bào)”4月16日?qǐng)?bào)道，過去幾年揚(yáng)州市簽約落戶、開工建設(shè)的一批制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，已經(jīng)或即將成長為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的壓艙石，其中，比亞迪半導(dǎo)體在揚(yáng)州建設(shè)的功率半導(dǎo)體模組及晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目碩果累累。
  • 走進(jìn)英飛凌無錫工廠，見證30年成長路
    1995年，英飛凌（原西門子半導(dǎo)體事業(yè)部）進(jìn)入中國，在無錫建立了第一家工廠，開啟在華發(fā)展的篇章。 1999年，西門子將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離成立英飛凌科技（以下簡稱“英飛凌”），彼時(shí)這家公司僅擁有5 萬名員工，主要生產(chǎn)消費(fèi)電子芯片，無錫工廠也因此同步更名為英飛凌無錫。 2001年，英飛凌無錫工廠率先引入分立器件和智能卡芯片生產(chǎn)線，奠定了領(lǐng)先制造工藝的基礎(chǔ)。 2013年，啟動(dòng)智能工廠建設(shè)，開啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型之路 2015年，英飛凌半導(dǎo)體（無錫）有限公司正式成立，加速在華智能制造步伐。 從2018年至今，英飛凌無錫工廠不斷豐富本土生產(chǎn)的產(chǎn)品組合，同時(shí)提升相關(guān)制造能力和工藝水平。
    走進(jìn)英飛凌無錫工廠，見證30年成長路