MOSFET

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。收起

查看更多
  • MOSFET關(guān)斷過程中的開關(guān)損耗如何計(jì)算?800字手把手教你搞定這個(gè)電路知識點(diǎn)
    上一篇文章我們介紹了MOSFET導(dǎo)通過程中的開關(guān)損耗的計(jì)算方法,接下來就講一下MOSFET在關(guān)斷過程中的交叉損耗計(jì)算,主要是要估算關(guān)斷時(shí)的交叉時(shí)間,然后算出功耗。
    MOSFET關(guān)斷過程中的開關(guān)損耗如何計(jì)算?800字手把手教你搞定這個(gè)電路知識點(diǎn)
  • 優(yōu)化效率:探索有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器的二次整流電路設(shè)計(jì)和占空比的作用
    作者:GuangQi Hou,應(yīng)用工程師 摘要 有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器利用P通道MOS進(jìn)行鉗位,是公認(rèn)的高效率電源拓?fù)?。該設(shè)計(jì)支持將儲存的電感能量反饋到電網(wǎng),從而提高整體轉(zhuǎn)換器效率。為了進(jìn)一步提高效率,該設(shè)計(jì)還集成了基于MOSFET的二次自整流電路。本文探討了二次整流電路面臨的設(shè)計(jì)難題,強(qiáng)調(diào)了優(yōu)化占空比的重要性。值得注意的是,有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中采用了廣泛的電源技術(shù),本文僅介紹了其中一種。 簡介 對于
    優(yōu)化效率:探索有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器的二次整流電路設(shè)計(jì)和占空比的作用
  • MOSFET導(dǎo)通過程中的開關(guān)損耗如何計(jì)算?1200字手把手教你搞定這個(gè)電路知識點(diǎn)
    MOSFET導(dǎo)通過程中的開關(guān)損耗這部分內(nèi)容是關(guān)于MOSFET在開關(guān)過程中的交叉損耗Cross Loss計(jì)算,主要涉及導(dǎo)通時(shí)間的估算和功耗分析。公式是什么?如何計(jì)算呢?設(shè)計(jì)中又有哪些需要注意的地方?接下來就把它通俗易懂地講一下。以下分析基于MOSFET驅(qū)動感性負(fù)載哦,如果是驅(qū)動阻性負(fù)載,算法是不一樣的,大家注意!
    MOSFET導(dǎo)通過程中的開關(guān)損耗如何計(jì)算?1200字手把手教你搞定這個(gè)電路知識點(diǎn)
  • Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能
    日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的Gen 4.5 650?V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E,為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比,Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導(dǎo)通電阻降低了48.2 %,而電阻和柵極電荷乘積(功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中650V MO
    Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能
  • 在EMC中 MOSFET 柵極驅(qū)動電路常見類型
    在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,電磁兼容(EMC)是確保設(shè)備穩(wěn)定可靠運(yùn)行的關(guān)鍵因素。功率 MOSFET 作為電子電路中的重要元件,其柵極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)與電磁兼容密切相關(guān)。由于 MOS 管的應(yīng)用場景多樣,因此產(chǎn)生了多種類型的驅(qū)動電路,這些電路在電磁兼容性方面各有優(yōu)劣。下面我們就來詳細(xì)了解一下幾種常見的 MOSFET 柵極驅(qū)動電路。 1.IC 直接驅(qū)動型 電源控制 IC 直接驅(qū)動是最為常見且簡單的驅(qū)動方式。在電磁
  • 高性能三通道雙向電源:實(shí)現(xiàn)更多測試與更高吞吐量
    隨著科技的飛速發(fā)展,測試工程師們常常面臨這樣的挑戰(zhàn):生產(chǎn)需求超出了現(xiàn)有測試系統(tǒng)的能力,或者需要同時(shí)測試多個(gè)參數(shù)。在這種情況下,傳統(tǒng)的解決方案通常是構(gòu)建更多的測試系統(tǒng)并配備更多的測試設(shè)備,尤其是在需要多臺直流電源的大功率應(yīng)用中。然而,這種方法不僅成本高昂,還增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性和維護(hù)難度。 典型應(yīng)用場景包括: 測試帶有多個(gè)逆變器和電池備份的太陽能電池組,確保其在復(fù)雜工況下的性能和可靠性; 同時(shí)為電動汽
    高性能三通道雙向電源:實(shí)現(xiàn)更多測試與更高吞吐量
  • MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì)時(shí),為什么可以“慢”開,但是要“快”關(guān)呢?
    MOSFET作為開關(guān)器件,在驅(qū)動電路中主要用于控制電流的通斷,比如在DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動或者功率放大電路中。它的開關(guān)過程(開和關(guān))會直接影響電路的效率、發(fā)熱和可靠性。“慢開快關(guān)”的這個(gè)設(shè)計(jì)原則,背后有什么電路設(shè)計(jì)原理呢?咱們從MOSFET的工作原理和實(shí)際應(yīng)用場景來分析分析一下。MOSFET的開關(guān)過程中開和關(guān)的本質(zhì)是什么呢?
    MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì)時(shí),為什么可以“慢”開,但是要“快”關(guān)呢?
  • 英飛凌與科士達(dá)深入合作,全棧方案樹立UPS高效可靠新標(biāo)桿
    在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下,高頻中大功率UPS(不間斷電源)市場需求持續(xù)攀升,對能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。 近日,英飛凌宣布與深圳科士達(dá)科技股份有限公司深化合作,通過提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,助力
    英飛凌與科士達(dá)深入合作,全棧方案樹立UPS高效可靠新標(biāo)桿
  • SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
    作者:安森美產(chǎn)品線經(jīng)理 Wonhwa Lee 如今所有東西都存儲在云端,但云究竟在哪里? 答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求,正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。 國際能源署 (IEA) 指出,人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間,數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運(yùn)營成本,還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)
    SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
  • 無人機(jī)電調(diào)系統(tǒng)技術(shù)架構(gòu)與電路設(shè)計(jì)解析
    一、無人機(jī)電調(diào)(ESC)核心原理與技術(shù)架構(gòu) 1.1 電調(diào)的本質(zhì)功能 電調(diào)作為無人機(jī)動力系統(tǒng)的核心控制器件,承擔(dān)以下關(guān)鍵任務(wù): 能量轉(zhuǎn)換:將電池直流電(DC)轉(zhuǎn)換為電機(jī)所需的三相交流電(AC),通過 PWM 信號控制占空比實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)。 安全防護(hù):集成過流、過熱、欠壓等多重保護(hù)機(jī)制,確保極端工況下的系統(tǒng)穩(wěn)定性。 智能交互:通過通信協(xié)議(如 DShot、CAN 總線)與飛控實(shí)時(shí)聯(lián)動,支持動態(tài)參數(shù)調(diào)整。
    無人機(jī)電調(diào)系統(tǒng)技術(shù)架構(gòu)與電路設(shè)計(jì)解析
  • 英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本
    Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的 600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品系列,簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ,Enpha
    英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本
  • 納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011,PIN TO PIN AP20G02BDF
    納祥科技NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低,可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù),非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。
    873
    03/27 07:29
    納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011,PIN TO PIN AP20G02BDF
  • 這些硬件工程師技術(shù)面試題目你會嗎?
    在W35周報(bào)中分享了本科大三那會實(shí)習(xí)面試的題目,文章發(fā)布之后,很多人在大話硬件群里讓我寫一下問題的答案??紤]到是面試的題目,用文章寫出來可能會有一些相關(guān)信息的丟失,下面就針對面試官的提問,說一下當(dāng)時(shí)是怎樣回答的,并在其中加入現(xiàn)在我對這些問題的理解。
    1834
    03/26 14:05
    這些硬件工程師技術(shù)面試題目你會嗎?
  • 2家SiC企業(yè)實(shí)現(xiàn)主驅(qū)突破,今年MOS國產(chǎn)化率將達(dá)20%?
    近日,國內(nèi)2家SiC企業(yè)先后宣布實(shí)現(xiàn)了主驅(qū)突破:● 清純半導(dǎo)體:通過大眾集團(tuán)POT審核,成為大眾汽車中國本土碳化硅芯片供應(yīng)商;●?芯粵能:成功開發(fā)出第一代SiC溝槽MOSFET工藝平臺,旗下芯片有望在今年上半年上車。
    2家SiC企業(yè)實(shí)現(xiàn)主驅(qū)突破,今年MOS國產(chǎn)化率將達(dá)20%?
  • 納祥科技NX7010,PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET
    納祥科技NX7010是一款30V 20A雙N溝道MOSFET,它的工作原理是基于柵源電壓的控制。當(dāng)柵源電壓大于導(dǎo)通電壓時(shí),兩個(gè)MOS管都處于導(dǎo)通狀態(tài),電流從N1的源極流向N2的漏極,再從N2的源極回到N1的漏極;當(dāng)柵極電壓小于截止電壓時(shí),兩個(gè)MOS管都處于截止?fàn)顟B(tài),電路中的電流幾乎為零。
    515
    03/24 08:38
    納祥科技NX7010,PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET
  • 用兩個(gè)NPN三極管搭建一個(gè)MOSFET驅(qū)動電路,1000字講解清楚原理和選型
    今天分析一下下面的這個(gè)電路,一個(gè)基于NPN三極管的MOSFET柵極自偏置關(guān)斷電路。電路很簡單,里面可是藏著不少門道,既有設(shè)計(jì)亮點(diǎn),也有效率與延遲問題。咱們一邊分析,一邊看看器件選型和計(jì)算的門道,爭取把這電路的“前世今生”講透了!
    用兩個(gè)NPN三極管搭建一個(gè)MOSFET驅(qū)動電路,1000字講解清楚原理和選型
  • 瑞薩電子推出具備預(yù)驗(yàn)證固件的完整鋰離子電池管理平臺
    先進(jìn)的電源管理解決方案包括電量計(jì)IC、MCU、預(yù)驗(yàn)證固件、軟件和文檔,可顯著簡化電池組設(shè)計(jì) 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布推出針對電動自行車、吸塵器、機(jī)器人和無人機(jī)等多種采用鋰電池供電的消費(fèi)產(chǎn)品推出鋰電池組一站式管理解決方案——R-BMS F。得益于所提供的預(yù)驗(yàn)證固件,R-BMS F(具備固定固件的即用型電池管理系統(tǒng))將顯著縮短開發(fā)者的學(xué)習(xí)周期,助力其快速設(shè)計(jì)出安全、
    瑞薩電子推出具備預(yù)驗(yàn)證固件的完整鋰離子電池管理平臺
  • 用PNP三極管搭建MOSFET快速關(guān)斷電路為什么要并聯(lián)一個(gè)二極管,1000字搞定它
    下圖是一個(gè)使用PNP晶體管實(shí)現(xiàn)的MOSFET驅(qū)動電路,電路很簡單,一個(gè)RGATE電阻、二極管DON和關(guān)斷晶體管QOFF。這個(gè)電路設(shè)計(jì)類似“輕量版Totem-Pole”的MOSFET驅(qū)動拓?fù)?,既保留了高效?qū)動的優(yōu)點(diǎn),又通過獨(dú)特布局優(yōu)化了性能。RGATE電阻和晶體管QOFF的作用很好理解,但是二極管DON有什么用呢?今天就來講解一下。
    用PNP三極管搭建MOSFET快速關(guān)斷電路為什么要并聯(lián)一個(gè)二極管,1000字搞定它
  • 用NPN和PNP三極管搭建一個(gè)MOSFET驅(qū)動電路,1200字講透它
    這個(gè)電路設(shè)計(jì)有幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn),涉及外部驅(qū)動器位置、旁路電容布局、RGATE電阻設(shè)計(jì),還有就是Totem-Pole拓?fù)潆娐返淖糟Q位保護(hù)機(jī)制。咱們今天就來好好把這個(gè)電路拆解一下,看看這設(shè)計(jì)到底有多牛,我們在應(yīng)用這個(gè)電路時(shí)又有哪些小細(xì)節(jié)需要注意的。
    用NPN和PNP三極管搭建一個(gè)MOSFET驅(qū)動電路,1200字講透它
  • 東芝推出面向車載直流有刷電機(jī)的柵極驅(qū)動IC,助力縮小設(shè)備尺寸
    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,量產(chǎn)面向車載直流有刷電機(jī)應(yīng)用的柵極驅(qū)動IC[1]——“TB9103FTG”,其典型應(yīng)用包括用于電動后門和電動滑門的閂鎖電機(jī)[2]和鎖定電機(jī)[3],以及電動車窗和電動座椅的驅(qū)動電機(jī)等。 汽車部件現(xiàn)已基本實(shí)現(xiàn)電氣化,電機(jī)的需求以及在汽車中集成的電機(jī)數(shù)量都在增加。隨著電動機(jī)中使用的驅(qū)動IC數(shù)量的增加,人們更傾向采用高集成度和小型化的系統(tǒng)解決方案。此外,
    東芝推出面向車載直流有刷電機(jī)的柵極驅(qū)動IC,助力縮小設(shè)備尺寸

正在努力加載...