NAND Flash

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Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。收起

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  • 兆易創(chuàng)新Flash,高歌猛進
    存儲芯片行業(yè)經(jīng)歷2021年漲價缺貨后,價格持續(xù)下行至2023年底觸底。2024年隨著庫存出清和補庫存需求啟動,國內(nèi)晶圓廠產(chǎn)能趨緊,帶動存儲芯片價格企穩(wěn)回升。預計2025年行業(yè)將進入上行周期,整體行情優(yōu)于2024年。同時,依托國內(nèi)代工廠,兆易創(chuàng)新的Fabless模式更具供應鏈靈活性和成本優(yōu)勢,毛利率表現(xiàn)優(yōu)于IDM廠商。
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  • 國際形勢變化帶動拉貨潮,預估2Q25存儲器合約價漲幅將擴大
    近期國際形勢變化已實質(zhì)改變存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示,由于買賣雙方急于完成交易、推動生產(chǎn)出貨,以應對未來市場不確定性,預期第二季存儲器市場的交易動能將隨之增強。 基于對未來國際形勢走向不明的擔憂,采購端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫存”的策略,積極提高DRAM和NAND Flash的庫存水位。 TrendForce集邦咨詢表示,受到積極備貨潮帶動,第二季
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  • 兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash,突破性讀取速度,助力應用快速啟動
    業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash,該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理(BBM)功能,可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案,GD5F1GM9
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  • 減產(chǎn)奏效、買方回補庫存,2Q25 NAND Flash價格逐步回升
    NAND Flash原廠自2024年第四季陸續(xù)減產(chǎn),效應已逐步顯現(xiàn)。此外,消費性電子品牌商順應國際形勢變化而提前生產(chǎn),帶動需求,加上PC、智能手機和數(shù)據(jù)中心等應用領域已開始重建庫存,預計2025年第二季NAND Flash價格將止跌回穩(wěn),Wafer和Client SSD價格則是季增。 Client SSD價格將季增3-8%,Enterprise SSD持平上季 TrendForce集邦咨詢表示,C
    減產(chǎn)奏效、買方回補庫存,2Q25 NAND Flash價格逐步回升
  • 因消費性電子產(chǎn)品需求疲軟,4Q24 NAND Flash營收季減6.2%
    2024年第四季因PC、智能手機等消費性電子產(chǎn)品廠商持續(xù)去化庫存,供應鏈大幅調(diào)整采購訂單,造成NAND Flash價格反轉(zhuǎn)向下,平均銷售價格季減4%,整體出貨位元也下滑2%,整體產(chǎn)業(yè)營收為165.2億美元,較2024年第三季減少6.2%。 分析2025年第一季市況,盡管供應商已開始積極減產(chǎn),仍難以避免傳統(tǒng)淡季效應,包括Server等各項終端產(chǎn)品備貨速度已放緩,預估在訂單量、合約價皆大幅衰退的情況下
    因消費性電子產(chǎn)品需求疲軟,4Q24 NAND Flash營收季減6.2%
  • 直道超車代表作!國產(chǎn)存儲芯片重大突破!
    今天半導體行業(yè)迎來重大消息!根據(jù)印科技的報道:國內(nèi)領先的NAND FLASH存儲公司Y公司,與芯片存儲巨頭韓國三星達成合作,三星已經(jīng)確認從V10開始,將使用來自中國同行Y公司的專利技術,主要就是在新型先進封裝技術“混合鍵合”方面。三星選擇與Y公司簽署混合鍵合專利許可協(xié)議,來避免潛在的專利風險!
    直道超車代表作!國產(chǎn)存儲芯片重大突破!
  • 研報 | 供應商積極減產(chǎn)應對供過于求,庫存去化及AI需求可望推動下半年NAND Flash價格回升
    根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,今年第一季NAND Flash市場持續(xù)面臨供過于求的挑戰(zhàn),導致價格持續(xù)下滑,供應商面臨虧損困境。TrendForce集邦咨詢認為,NAND Flash市場供需結構將有望在下半年顯著改善,
    研報 | 供應商積極減產(chǎn)應對供過于求,庫存去化及AI需求可望推動下半年NAND Flash價格回升
  • 供應商積極減產(chǎn)應對供過于求,庫存去化及AI需求可望推動下半年NAND Flash價格回升
    今年第一季NAND Flash市場持續(xù)面臨供過于求的挑戰(zhàn),導致價格持續(xù)下滑,供應商面臨虧損困境。TrendForce集邦咨詢認為,NAND Flash市場供需結構將有望在下半年顯著改善,包含原廠減產(chǎn)、智能手機庫存去化、AI及DeepSeek效應等因素將推升NAND Flash需求,從而緩解供過于求的局面,預期下半年也將迎來價格回升。 TrendForce集邦咨詢指出,自2023年起,各大NAND
    供應商積極減產(chǎn)應對供過于求,庫存去化及AI需求可望推動下半年NAND Flash價格回升
  • 研報 | NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略,以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出,NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布減產(chǎn),Kioxia/ SanDisk(鎧俠/閃迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也啟動相關計劃,可能長期內(nèi)加快供應商整合步伐。
    研報 | NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略,以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格
  • NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略,以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格
    NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布減產(chǎn),Kioxia/ SanDisk(鎧俠/閃迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也啟動相關計劃,可能長期內(nèi)加快供應商整合步伐。 TrendForce集邦咨詢表示,NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方
  • 存儲市場迎三大挑戰(zhàn)!
    剛剛過去的2024年,存儲市場上演了一出“冰與火之歌”:終端市場消費電子復蘇遲緩,AI應用則繼續(xù)強勢突圍。存儲產(chǎn)品因而開啟兩極化發(fā)展:消費類存儲需求平淡,高性能、企業(yè)級存儲產(chǎn)品市場反響熱鬧。
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  • 原廠庫存增加與淡季需求疲軟,預計1Q25 NAND Flash價格將出現(xiàn)超10%下滑
    2025年第一季NAND Flash供貨商將面臨庫存持續(xù)上升,訂單需求下降等挑戰(zhàn),平均合約價恐季減10%至15%。其中,Wafer跌幅將收斂,模組產(chǎn)品部分,由于Enterprise SSD訂單穩(wěn)定,預期可緩沖合約價跌勢;Client SSD及UFS則因消費性終端產(chǎn)品需求疲軟,買家采購意愿保守,價格將持續(xù)下探。 2025年第一季市場步入傳統(tǒng)淡季,PC市場雖有Windows 10停止支持和新款CPU推
    原廠庫存增加與淡季需求疲軟,預計1Q25 NAND Flash價格將出現(xiàn)超10%下滑
  • 研報 | 3Q24 NAND Flash營收季增4.8%,企業(yè)級SSD需求強勁,消費性訂單未復蘇
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%,但平均銷售單價(ASP)上漲7%,帶動產(chǎn)業(yè)整體營收達176億美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示,不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化,企業(yè)級SSD需求強勁,推升價格季增近15%,消費級SSD價格雖有小幅上漲,但訂單需求較前一季衰退。
    研報 | 3Q24 NAND Flash營收季增4.8%,企業(yè)級SSD需求強勁,消費性訂單未復蘇
  • 3Q24 NAND Flash營收季增4.8%,企業(yè)級SSD需求強勁,消費性訂單未復蘇
    2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%,但平均銷售單價(ASP)上漲7%,帶動產(chǎn)業(yè)整體營收達176億美元,季增4.8%。 TrendForce集邦咨詢表示,不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化,企業(yè)級SSD需求強勁,推升價格季增近15%,消費級SSD價格雖有小幅上漲,但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產(chǎn)品因中國手機品牌嚴守低庫存策略,訂單大量減少,第三
    3Q24 NAND Flash營收季增4.8%,企業(yè)級SSD需求強勁,消費性訂單未復蘇
  • 中國本土6家存儲芯片企業(yè)對比分析
    一、存儲行業(yè)背景 根據(jù)WSTS數(shù)據(jù),全球存儲芯片市場上一輪周期頂點出現(xiàn)在2021年,在全球半導體市場規(guī)模中占比接近28%(1500億美元)。2022-2023年,受產(chǎn)業(yè)周期下行影響,市場規(guī)模出現(xiàn)萎縮。2022年存儲芯片市場規(guī)模約為1300億美元,占整個半導體行業(yè)的23%。2023年存儲市場同比下滑35.2% 至 840 億美元。預計2024年將重回1300億美元的市場規(guī)模,存儲芯片占據(jù)整個半導體市
    1.4萬
    2024/11/19
    中國本土6家存儲芯片企業(yè)對比分析
  • 需求展望疲弱、庫存和供給上升,預計2025年DRAM價格將下跌
    第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價的關鍵時期,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應充足、需求減弱,目前價格已呈現(xiàn)跌勢。DDR5與LPDDR5X等先進制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確,加上部分買賣方庫存水位偏高,價格不排除于今年第四季底開始下跌。 TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,先前受三大供應商積極建置HBM產(chǎn)能,加上預計新廠到2026年才會
  • 因原廠增產(chǎn)和需求疲軟,預計2024年第四季度NAND Flash合約價將下調(diào)3%至8%
    NAND Flash產(chǎn)品受2024年下半年旺季不旺影響, wafer合約價于第三季率先下跌,預期第四季跌幅將擴大至10%以上。模組產(chǎn)品部分,除了Enterprise SSD因訂單動能支撐,有望于第四季小漲0%至5%;PC SSD及UFS因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預期,采購策略更加保守。TrendForce集邦咨詢預估,第四季NAND Flash產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減3%至8%的情況。 Client
    因原廠增產(chǎn)和需求疲軟,預計2024年第四季度NAND Flash合約價將下調(diào)3%至8%
  • 2024年第二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%
    由于Server(服務器)終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲,但因為PC和智能手機廠商庫存偏高,導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達167.96億美元,較前一季增長了14.2%。 第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài),并計劃在第三季擴大產(chǎn)能,以滿足AI和服務
    2024年第二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%
  • 聊聊NAND Flash的原理、結構、工藝挑戰(zhàn)、應用及未來發(fā)展
    NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲器技術,主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。
    5273
    2024/08/29
    聊聊NAND Flash的原理、結構、工藝挑戰(zhàn)、應用及未來發(fā)展
  • 我的EMMC啟動不正常,問題到底在哪里?
    這個項目的主芯片是瑞芯微的RV1126(位號U10),分別拖了一個金士頓的eMMC芯片(位號U40)和鎂光的NAND Flash芯片(位號U41),在Layout的時候做了兼容設計,也就是通過選焊電阻的方式,讓主芯片來選通其中一個芯片,使用的時候二選一,eMMC和NAND Flash芯片不會一起工作,大致的拓撲圖如下所示:
    我的EMMC啟動不正常,問題到底在哪里?

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