SiC功率器件

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  • 成本降低30%！低溫銀燒結(jié)技術(shù)加速SiC器件規(guī)?；瘧?yīng)用
    導語 在工業(yè)電源、電動汽車與航空航天領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件的高效率與耐高溫特性正逐步替代傳統(tǒng)硅基器件。然而，SiC芯片的高功率密度與高溫運行需求，對封裝技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)——傳統(tǒng)焊料在高溫下易疲勞失效，成為制約性能釋放的關(guān)鍵瓶頸。 銀燒結(jié)技術(shù)憑借低溫工藝與超高可靠性，成為解鎖SiC潛力的‘銀鑰匙’。愛仕特基于此技術(shù)開發(fā)的碳化硅模塊，已在多個應(yīng)用場景中驗證其性能優(yōu)勢，為行業(yè)提供高效、穩(wěn)
    成本降低30%！低溫銀燒結(jié)技術(shù)加速SiC器件規(guī)?；瘧?yīng)用
  • 數(shù)億元！4家SiC企業(yè)獲得融資/貸款
    近日，國內(nèi)又有4家SiC企業(yè)完成新一輪融資/貸款，合計金額達數(shù)億元：11月26日，據(jù)“合肥高投”等消息，阿基米德半導體已正式完成數(shù)億元戰(zhàn)略輪融資，由陽光電源領(lǐng)投，仁發(fā)投資共同出資。目前，陽光電源持股比例為10.1695%，在股東中排名第三。
    數(shù)億元！4家SiC企業(yè)獲得融資/貸款
  • 三安、士蘭微等5個SiC項目公布新進展
    近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)新增5個碳化硅項目進展，包括士蘭微、三安半導體等。11月21日，據(jù)福建環(huán)保網(wǎng)公示，廈門士蘭明稼SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已完成環(huán)保驗收，目前正在穩(wěn)定運行中。
    三安、士蘭微等5個SiC項目公布新進展
  • 科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC
    全球知名半導體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC?產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”），被日本先進電源制造商COSEL CO., LTD. （以下簡稱“科索”）生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風冷型“HFA系列”和傳導散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD，從而實現(xiàn)了最大94%的工作效率
    科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC
  • 意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在 2027 年前推
    意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制