SiC技術(shù)

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  • 芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長(zhǎng) 營(yíng)收同比超28%增長(zhǎng)
    百尺竿頭更進(jìn)一步，中流擊水正當(dāng)其時(shí)。 4月28日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年及2025年第一季度業(yè)績(jī)公告。2024年，公司各季度營(yíng)收節(jié)節(jié)攀升，以"新能源+智能化"雙引擎驅(qū)動(dòng)業(yè)務(wù)發(fā)展，在行業(yè)波動(dòng)中交出逆勢(shì)增長(zhǎng)答卷： 實(shí)現(xiàn)營(yíng)收65.09億，其中主營(yíng)收入62.76億元，同比增長(zhǎng)27.8% 歸母凈利潤(rùn)大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正達(dá)1.03% EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤(rùn)）21.45億元，同比增長(zhǎng)
    芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長(zhǎng) 營(yíng)收同比超28%增長(zhǎng)
  • 2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長(zhǎng)170%；單季600萬顆
    新能源汽車和清潔能源市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)升溫。智新半導(dǎo)體和瀚薪科技作為行業(yè)內(nèi)的佼佼者，近期頻頻傳來訂單增長(zhǎng)的喜訊：
    2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長(zhǎng)170%；單季600萬顆
  • 兆瓦超充時(shí)代將至！SiC技術(shù)如何引領(lǐng)變革？
    一個(gè)月前，比亞迪高調(diào)發(fā)布兆瓦級(jí)快充技術(shù)，并同步啟動(dòng)"超充網(wǎng)絡(luò)建設(shè)計(jì)劃"，將建設(shè)4000多座“兆瓦閃充站”，并計(jì)劃將兆瓦閃充樁的技術(shù)面向行業(yè)全面共享，這一舉措正在推動(dòng)整個(gè)充電網(wǎng)絡(luò)向更高功率密度、更低度電成本的方向演進(jìn)。
    兆瓦超充時(shí)代將至！SiC技術(shù)如何引領(lǐng)變革？
  • 中國(guó)車載SiC器件技術(shù)部分已領(lǐng)跑 有望主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈
    新能源汽車無疑是近年來最耀眼的行業(yè)之一，其發(fā)展速度遠(yuǎn)超預(yù)期。2023年，中國(guó)新能源汽車銷量預(yù)計(jì)達(dá)到950萬輛，市場(chǎng)占比高達(dá)31.6%，即每銷售10輛汽車中，就有3輛是新能源汽車。展望2024年，年銷量有望攀升至1200-1300萬輛，市場(chǎng)占比可能超過45%，并占據(jù)全球年產(chǎn)銷量的60%。這一增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)令人振奮，不禁讓人聯(lián)想到十幾年前光伏行業(yè)的崛起，新能源汽車行業(yè)的發(fā)展軌跡似乎正沿著相似的路徑加速前進(jìn)。? ? ? ?
    中國(guó)車載SiC器件技術(shù)部分已領(lǐng)跑 有望主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈
  • 速度快10倍！這項(xiàng)SiC技術(shù)提供降本新思路
    在第1-3期內(nèi)容中，“行家說三代半“介紹了日本電裝（Denso）的SiC長(zhǎng)晶核心技術(shù)（鏈接），今天這期內(nèi)容我們給大家剖一下他們和昭和電工（Resonac）的超快速SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)。
    速度快10倍！這項(xiàng)SiC技術(shù)提供降本新思路
  • 液相法SiC有戲？8吋產(chǎn)品將送樣，晶圓廠已合作
    今天，液相法SiC技術(shù)有了重磅進(jìn)展——日本Oxide公司宣布，他們已經(jīng)與日本SiC芯片代工廠JS?foundry株式會(huì)社簽署了一項(xiàng)基本協(xié)議，雙方將在日本開展液相法SiC全鏈條產(chǎn)業(yè)協(xié)同。
    液相法SiC有戲？8吋產(chǎn)品將送樣，晶圓廠已合作
  • 新增5起SiC合作，供貨蔚來/極氪/零跑等車企？
    近期，行業(yè)內(nèi)新增了幾項(xiàng)重要的合作，旨在通過技術(shù)創(chuàng)新和資源共享，加速SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用：●?英飛凌&零跑汽車：為零跑C16智能電動(dòng)汽車供應(yīng)SiC模塊和MCU等多款產(chǎn)品?！?鈞聯(lián)電子&博世：深化汽車電子領(lǐng)域合作，共同推動(dòng)SiC功率芯片在新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用?！?羅姆&極氪：羅姆的第四代SiC MOSFET芯片被用于極氪品牌的三款電動(dòng)車型。
    新增5起SiC合作，供貨蔚來/極氪/零跑等車企？
  • 貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
    注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。 貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2
    貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
  • 2家企業(yè)加碼SiC！已獲近30億補(bǔ)貼
    昨天，環(huán)球晶和俄羅斯的2家半導(dǎo)體企業(yè)/組織公開披露了他們?cè)谔蓟桀I(lǐng)域的最新布局：環(huán)球晶：最高將獲得約29億人民幣的補(bǔ)助資金，計(jì)劃擴(kuò)建SiC外延生產(chǎn)線。PJSC Element & ETU LETI：共同成立Letiel LLC合資企業(yè)，開發(fā)碳化硅器件。
    2家企業(yè)加碼SiC！已獲近30億補(bǔ)貼
  • 尺寸減小28%，羅姆面向xEV逆變器推出“二合一”SiC封裝模塊
    碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高功率、高電壓、高頻率的應(yīng)用場(chǎng)景下具有顯著優(yōu)勢(shì)，其在xEV（包括純電動(dòng)汽車BEV和插電式混合動(dòng)力汽車PHEV）上的應(yīng)用規(guī)模快速增長(zhǎng)。根據(jù)Yole Intelligence 2023年功率SiC報(bào)告，從SiC在xEV中各種應(yīng)用產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模來看，按DC-DC、OBC和牽引逆變器三個(gè)主要應(yīng)用產(chǎn)品區(qū)分，其中牽引逆變器占比超90%，是整個(gè)車載SiC的主戰(zhàn)場(chǎng)。 數(shù)
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    2024/07/01
    尺寸減小28%，羅姆面向xEV逆變器推出“二合一”SiC封裝模塊
  • 該環(huán)節(jié)良率僅有50%，8英寸SiC如何破局？
    近年來，8英寸SiC技術(shù)突破明顯加快，據(jù)“行家說三代半”調(diào)研發(fā)現(xiàn)，全球已有29家企業(yè)實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC單晶生長(zhǎng)的研發(fā)突破，其中包括19家中國(guó)企業(yè)。但是，有一些SiC企業(yè)向我們透露，目前生長(zhǎng)8英寸SiC單晶的技術(shù)已經(jīng)逐漸成熟，但在磨拋等后道工序還存在技術(shù)難點(diǎn)，目前業(yè)內(nèi)8英寸SiC襯底磨拋良率僅為40-50%。
    該環(huán)節(jié)良率僅有50%，8英寸SiC如何破局？
  • 數(shù)百位SiC精英將齊聚上海，共推3件大事
    6月14日，行家說三代半將在上海舉辦第2屆“汽車/光儲(chǔ)充SiC技術(shù)應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)”。作為碳化硅行業(yè)的專業(yè)盛會(huì)，此次活動(dòng)受到了小鵬汽車、東風(fēng)汽車、徐工集團(tuán)等眾多汽車及光儲(chǔ)充終端企業(yè)的高度關(guān)注和支持，預(yù)計(jì)屆時(shí)將有數(shù)百位行業(yè)精英參會(huì)。
  • Allegro MicroSystems推出高帶寬電流傳感器技術(shù)幫助實(shí)現(xiàn)高性能電源轉(zhuǎn)換
    運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感技術(shù)和功率半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（納斯達(dá)克股票代碼：ALGM）（以下簡(jiǎn)稱Allegro）宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，能夠幫助采用GaN和SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換。 當(dāng)前的高功率密度 GaN 和 SiC FET 充電和電源基礎(chǔ)設(shè)施需要高速度、低損
    Allegro MicroSystems推出高帶寬電流傳感器技術(shù)幫助實(shí)現(xiàn)高性能電源轉(zhuǎn)換
  • 致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動(dòng)力電池容量60k
    致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效
  • 投用電網(wǎng)！國(guó)產(chǎn)SiC器件連破3關(guān)
    近日，國(guó)家電網(wǎng)等多家企業(yè)宣布，他們成功將SiC技術(shù)應(yīng)用在電網(wǎng)電力系統(tǒng)中，并且實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET芯片的全國(guó)產(chǎn)化，為SiC器件應(yīng)用又拓寬了應(yīng)用面，詳情請(qǐng)往下看：
    投用電網(wǎng)！國(guó)產(chǎn)SiC器件連破3關(guān)
  • 8英寸SiC領(lǐng)域又一強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合！
    據(jù)報(bào)道，近日，新加坡科學(xué)技術(shù)研究局 (A * STAR) 下屬研究機(jī)構(gòu)微電子研究所 (IME) 與德國(guó)擴(kuò)散及退火設(shè)備供應(yīng)商centrotherm International AG就8英寸SiC技術(shù)達(dá)成合作，IME的8英寸開放式R&D SiC試產(chǎn)線將與centrotherm的擴(kuò)散及退火設(shè)備相結(jié)合，為SiC材料制備環(huán)節(jié)提供解決方案。
    8英寸SiC領(lǐng)域又一強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合！
  • 浮思特 | 碳化硅（SiC）技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力
    正在被廣泛使用的伺服技術(shù)使60年代的自動(dòng)化工程師羨慕無比。這種體積小、精確且完全電動(dòng)的技術(shù)反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導(dǎo)體控制、傳感器和電力技術(shù)的緊湊性。今天的最大挑戰(zhàn)仍然是伺服和其控制器之間的布線。由于必須承受來自電機(jī)和控制信號(hào)的高電流，布線成本昂貴，且是電磁干擾（EMI）的重要源頭。阻抗不匹配引發(fā)的反射波經(jīng)常成為問題，對(duì)電機(jī)繞組的絕緣產(chǎn)生了破壞性壓力。
  • 意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)，為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車賦能
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊提供意法半導(dǎo)體最新的第三代 750V 碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 芯片。博格華納將使用該功率模塊為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款電動(dòng)車型設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。
    意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)，為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車賦能
  • Bosch為什么要在美國(guó)生產(chǎn)SiC？
    上周，Bosch宣布計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)芯片制造商TSI Semiconductors在加州Roseville的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易將把目前提供全系列邏輯CMOS工藝技術(shù)的TSI設(shè)施轉(zhuǎn)變?yōu)锽osch的美國(guó)制造基地。從2026年開始，Bosch將在這里生產(chǎn)基于200㎜晶圓的SiC芯片。
    Bosch為什么要在美國(guó)生產(chǎn)SiC？
  • 通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
    高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。

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