高壓、高速功率MOSFET/IGBT驅(qū)動器:HPD2606X

5小時前作者：華普微 HOPERF

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為提升工業(yè)電機(jī)能源轉(zhuǎn)換效率，讓電機(jī)能擁有更快的響應(yīng)速度、更高的帶寬、更高精度的位置和速度控制，華普微于近期重磅推出了一款自主研發(fā)的高壓、高速的功率MOSFET和IGBT 半橋驅(qū)動器——HPD2606X。

HPD2606X采用了專有HVIC和抗閂鎖CMOS技術(shù)，具有強(qiáng)固的電路結(jié)構(gòu)。邏輯輸入端口兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS/LSTTL電平，最低支持3.3V邏輯信號。輸出驅(qū)動集成高脈沖電流緩沖電路，可有效抑制驅(qū)動信號交叉導(dǎo)通。此外，其浮動通道設(shè)計(jì)支持驅(qū)動高邊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的N溝道功率MOSFET或IGBT，最高工作電壓可達(dá)600V。

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