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近26億元!6個(gè)車規(guī)IGBT項(xiàng)目簽約/投產(chǎn)/開工

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據(jù)“行家說動(dòng)力總成”不完全統(tǒng)計(jì),合計(jì)6個(gè)汽車IGBT項(xiàng)目簽約、投產(chǎn)、開工,總投資額近26億元。

揚(yáng)杰科技:新能源車用IGBT/SiC項(xiàng)目簽2月4日,據(jù)“邗江發(fā)布”消息,2024年維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式在迎賓館舉行。當(dāng)天共簽約7個(gè)項(xiàng)目,總投資約58億元,其中涉及一個(gè)IGBT/SiC項(xiàng)目——揚(yáng)杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目。

據(jù)了解,該項(xiàng)目總投資5億元,主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、DICMOSFET模塊的研發(fā)制造,全部建成投產(chǎn)后,可實(shí)現(xiàn)年開票銷售5億元,年納稅1500萬元。

希爾電子:新項(xiàng)目大樓下半年將投用

3月5日,據(jù)“樂山發(fā)布”消息,樂山希爾電子股份有限公司的新項(xiàng)目大樓預(yù)計(jì)將在今年下半年逐步投用,屆時(shí)將新增4個(gè)品類的生產(chǎn)線,全部投用后可實(shí)現(xiàn)年銷售額10億元。

據(jù)了解,希爾電子成立于2000年5月,專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造及銷售,主要產(chǎn)品為IGBT、FRD及整流器件三大系列,應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)電源、工業(yè)控制汽車電子等領(lǐng)域。

目前,希爾電子自主研發(fā)的IGBT、FRD等產(chǎn)品多項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)行業(yè)首創(chuàng),其碳化硅功率器件已逐步量產(chǎn),氮化鎵功率器件已經(jīng)進(jìn)入樣品試制階段。

新佳電子:IGBT/SiC項(xiàng)目入選省重點(diǎn)項(xiàng)目

2月22日,據(jù)“威海新聞網(wǎng)”消息,山東省發(fā)展改革委、省自然資源廳、省生態(tài)環(huán)境廳聯(lián)合印發(fā)《首批省級(jí)數(shù)字產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目名單》,威海市共計(jì)8個(gè)項(xiàng)目入選,涉及集成電路、能源電子、新型電子材料等多領(lǐng)域。其中包括一個(gè)IGBT/SiC項(xiàng)目——新佳電子高功率密度IGBT及SiC功率半導(dǎo)體模塊封裝產(chǎn)業(yè)化升級(jí)項(xiàng)目。

據(jù)了解,該項(xiàng)目總投資3800萬元,項(xiàng)目產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體器件,包括IGBT模塊,SiC功率模塊。項(xiàng)目產(chǎn)品的封測(cè)技術(shù)為新佳公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)自主研發(fā),部分已申請(qǐng)發(fā)明專利。項(xiàng)目完成后可新增功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)能力100萬只/年,預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可新增銷售收入11000萬元,利稅1656萬元。

北一半導(dǎo)體:晶圓工廠項(xiàng)目簽約

1月31日,據(jù)“牡丹江發(fā)布”消息,牡丹江(穆棱)北一半導(dǎo)體科技有限公司旗下的晶圓工廠和分立器件生產(chǎn)加工兩個(gè)項(xiàng)目簽約落戶牡丹江穆棱經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),牡丹江首家晶圓廠即將誕生。

據(jù)了解,北一半導(dǎo)體晶圓工廠項(xiàng)目總投資20億元,項(xiàng)目新上國(guó)外先進(jìn)6英寸晶圓生產(chǎn)線1條,產(chǎn)品應(yīng)用于變頻器、UPS、工業(yè)控制、新能源汽車充電樁等領(lǐng)域。全部達(dá)產(chǎn)后,年產(chǎn)6英寸晶圓100萬片,年產(chǎn)值達(dá)10億元以上。

東海半導(dǎo)體:車規(guī)級(jí)IGBT生產(chǎn)項(xiàng)目

2023年12月1日,無錫市科泓環(huán)境工程技術(shù)有限責(zé)任公司公示“東海半導(dǎo)體年產(chǎn) 2000 萬只車規(guī)級(jí) IGBT 與特種二極管生產(chǎn)項(xiàng)目”環(huán)評(píng)表。

據(jù)公告,該項(xiàng)目位于無錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路 88 號(hào),總投資1000萬元,其中環(huán)保投資5萬元,主要從事半導(dǎo)體分立器件制造。項(xiàng)目建成后,全廠生產(chǎn)規(guī)模為:年產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件 20000 萬只、集成電路 7300 萬只、功率VDMOS 器件 3000 萬只、多排貼片式功率器件 19000 萬只、車規(guī)級(jí) IGBT 與特種二極管2000 萬只。

慶虹電子:電子半導(dǎo)體模組改擴(kuò)建項(xiàng)目

23年11月23日,廣州開發(fā)區(qū)公布關(guān)于“廣東慶虹電子有限公司年產(chǎn)50萬件電子半導(dǎo)體模組改擴(kuò)建項(xiàng)目”環(huán)境影響報(bào)告表的批復(fù)。

據(jù)了解,該項(xiàng)目新增晶片安裝機(jī)、晶片抽真空回流焊、焊線機(jī)、錫膏印刷機(jī)、超聲波清洗機(jī)等生產(chǎn)設(shè)備(具體詳見《報(bào)告表》),以DBC 基板、有機(jī)硅膠(AB 膠)、銅底板、IGBT(晶體管)、二極管、ST-120T 清洗劑等為主要原輔材料,年增產(chǎn)40萬件電子半導(dǎo)體模組,改擴(kuò)建完成后全廠年產(chǎn)50萬件電子半導(dǎo)體模組。

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