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北方華創(chuàng)：成立于 2001 年 9 月，深耕半導(dǎo)體裝備、真空及新能源裝備和精密電子元器件等業(yè)務(wù)板塊，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示、襯底材料、真空熱處理、新能源、工業(yè)控制、生命科學(xué)及科學(xué)研究等領(lǐng)域。
北方華創(chuàng)發(fā)展歷程如下：
2001年：北京電子控股有限責(zé)任公司整合資源，以北京七星華電科技集團(tuán)有限責(zé)任公司為主發(fā)起人，發(fā)起設(shè)立七星華創(chuàng)七星華創(chuàng)，主營(yíng)半導(dǎo)體裝備及精密電子元器件業(yè)務(wù)；北京電子控股有限責(zé)任公司發(fā)起，聯(lián)合北京七星華電科技集團(tuán)有限責(zé)任公司、清華大學(xué)、北京大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所和中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所共同創(chuàng)立北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“北方微電子”)，主營(yíng)高端半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)。
2003年：北方微電子承接科技部國(guó)家“十五”863 計(jì)劃“100nm 高密度等離子刻蝕機(jī)”項(xiàng)目，2006年項(xiàng)目正式通過(guò)科技部和北京市人民政府的聯(lián)合驗(yàn)收，并于2009年獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。
2008年：北方微電子和七星華創(chuàng)分別開始承擔(dān)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國(guó)家科技重大專項(xiàng)。
2010年：七星華創(chuàng)在深圳證券交易所上市，股票代碼 002371，北方微電子亦莊半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地正式投入使用。
2014年：七星華創(chuàng)平谷馬坊元器件研發(fā)生產(chǎn)基地正式投入使用。
2016年：七星華創(chuàng)與北方微電子戰(zhàn)略重組，更名為北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司，推出全新品牌“北方華創(chuàng)”(NAURA)，成為技術(shù)代和工藝覆蓋廣泛、產(chǎn)品豐富、多領(lǐng)域應(yīng)用的高端半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域解決方案服務(wù)商。
2018年：北方華創(chuàng)被納入國(guó)務(wù)院國(guó)資委國(guó)企改革“雙百企業(yè)”試點(diǎn)名單，并以此為契機(jī)，深入推動(dòng)法人治理體系、股權(quán)激勵(lì)、職業(yè)經(jīng)理人等多方面改革進(jìn)程。
2019年：國(guó)家發(fā)展改革委、科技部、財(cái)政部、海關(guān)總署、國(guó)家稅務(wù)總局聯(lián)合發(fā)布公告授予北方華創(chuàng)下屬北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司國(guó)家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心資質(zhì)。
2020年：北方華創(chuàng)收購(gòu)北京北廣科技股份有限公司射頻應(yīng)用技術(shù)相關(guān)資產(chǎn)，持續(xù)增強(qiáng)核心技術(shù)能力。
2021年：北方華創(chuàng)首次進(jìn)入中國(guó)電子信息競(jìng)爭(zhēng)力百?gòu)?qiáng)企業(yè)榜單，排名第95位。
2022年：北方華創(chuàng)銷售收入首次突破百億元，北方華創(chuàng)榮獲“北京市安全文化建設(shè)示范企業(yè)集團(tuán)”稱號(hào)。
2023年：臺(tái)馬半導(dǎo)體設(shè)備基地正式投入使用。北方華創(chuàng)收購(gòu)北京丹普表面技術(shù)有限公司業(yè)務(wù)，完成股權(quán)交割。工信部認(rèn)定北方華創(chuàng)為2023年國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)。
2024年：北方華創(chuàng)入選首批國(guó)家質(zhì)量強(qiáng)國(guó)領(lǐng)軍企業(yè)培育庫(kù)。12英寸減壓外延團(tuán)隊(duì)榮獲中共中央國(guó)務(wù)院授予的“國(guó)家卓越工程師團(tuán)隊(duì)”稱號(hào)。
北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品為電子工藝裝備和電子元器件，電子工藝裝備包括半導(dǎo)體裝備、真空及新能源裝備。電子元器件包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。
1、在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法、離子注入等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示等制造領(lǐng)域。北方華創(chuàng)借助產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先、種類多樣、工藝覆蓋廣泛等優(yōu)勢(shì)，以產(chǎn)品迭代升級(jí)和成套解決方案為客戶創(chuàng)造更大價(jià)值。
在集成電路制造工藝中，刻蝕設(shè)備主要用于去除特定區(qū)域的材料來(lái)形成微小的結(jié)構(gòu)和圖案。根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2023年刻蝕設(shè)備在集成電路設(shè)備資本支出中的占比為15.7%。
刻蝕設(shè)備主要通過(guò)兩種方式實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精細(xì)構(gòu)建。一是物理刻蝕方式，借助高速發(fā)射的離子束，通過(guò)物理轟擊精準(zhǔn)去除晶圓表面不需要的材料；二是化學(xué)刻蝕方式，利用特定化學(xué)氣體與晶圓表面材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使多余材料轉(zhuǎn)化為氣態(tài)并揮發(fā)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路結(jié)構(gòu)的精確塑造。
隨著芯片制造技術(shù)不斷向更精細(xì)化邁進(jìn)，對(duì)刻蝕速率、深寬比以及刻蝕均勻性等關(guān)鍵參數(shù)的精確控制提出了更高的要求。同時(shí)，隨著器件結(jié)構(gòu)從二維到三維的演變，以及新材料（High-k 介質(zhì)/金屬柵等）和新工藝（銅線低k介質(zhì)鑲嵌式刻蝕工藝、多次圖形工藝等）不斷涌現(xiàn)，對(duì)刻蝕設(shè)備的工藝能力提出了更高的要求。比如，電感耦合等離子體刻蝕機(jī)（ICP）要求更高的刻蝕選擇比，并將器件的損傷降至最低，因此在更先進(jìn)的設(shè)備中，將配置脈沖等離子體，通過(guò)控制更窄的離子能量分布范圍來(lái)實(shí)現(xiàn)需求；電容耦合等離子體刻蝕機(jī)（CCP）要求更高的刻蝕速率和刻蝕深寬比，設(shè)備將配置更高功率的電源以及更低的溫度來(lái)精確控制刻蝕的深度、角度，實(shí)現(xiàn)工藝需求。
北方華創(chuàng)在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，已形成了 ICP、CCP、Bevel 刻蝕設(shè)備、高選擇性刻蝕設(shè)備和干法去膠設(shè)備的全系列產(chǎn)品布局。2024年北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備收入超80億元。
北方華創(chuàng)主要批量銷售的刻蝕設(shè)備如下：
薄膜沉積設(shè)備作為半導(dǎo)體制造的核心裝備，通過(guò)物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、外延生長(zhǎng)（EPI）、電化學(xué)沉積（ECP）及原子層沉積（ALD）等技術(shù)，在基底表面精準(zhǔn)構(gòu)筑納米級(jí)功能膜層，這些膜層在芯片中扮演重要的角色。
其中，PVD 主要采用磁控濺射技術(shù)制備高純度金屬互連層；CVD 技術(shù)通過(guò)氣相反應(yīng)生成介質(zhì)和金屬薄膜；外延設(shè)備（EPI）通過(guò)氣相外延或分子束外延實(shí)現(xiàn)多種材料的薄膜生長(zhǎng)；電鍍?cè)O(shè)備（ECP）通過(guò)高深寬比孔內(nèi)金屬填充技術(shù)提升芯片互連密度；隨著芯片制程向更精細(xì)化邁進(jìn)，薄膜沉積設(shè)備需要具備更高的沉積效率和更精確的厚度控制能力，尤其在三維結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋成為關(guān)鍵挑戰(zhàn)，原子層沉積（ALD）等先進(jìn)技術(shù)通過(guò)精確控制單原子層生長(zhǎng)，有效解決了高深寬比結(jié)構(gòu)的全覆蓋難題。
而新型材料的應(yīng)用，也促使薄膜沉積設(shè)備不斷開發(fā)新的工藝和技術(shù)，以適應(yīng)不同材料的特性和沉積需求。這對(duì)薄膜沉積設(shè)備的氣體輸送系統(tǒng)、反應(yīng)腔設(shè)計(jì)以及溫度、壓力控制精度提出了更高的要求。根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2023 年薄膜沉積設(shè)備在集成電路設(shè)備資本支出中的占比為 22.1%。?北方華創(chuàng)在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，已形成了物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）、外延（EPI）和電鍍（ECP）設(shè)備的全系列布局。2024 年公司薄膜沉積設(shè)備收入超 100 億元。
北方華創(chuàng)主要批量銷售的薄膜沉積設(shè)備包括：
熱處理設(shè)備是半導(dǎo)體制造中用于調(diào)控材料性質(zhì)的核心裝備，通過(guò)精確控制溫度、時(shí)間及氣體環(huán)境，實(shí)現(xiàn)氧化、擴(kuò)散、退火等工藝。其技術(shù)路徑主要包括：氧化工藝，在高溫下（800~1200℃）通過(guò)氧氣或水蒸氣在硅片表面生成SiO?薄膜，作為離子注入阻擋層或柵介質(zhì)層；擴(kuò)散工藝，利用高溫（通常＞1000℃）將雜質(zhì)元素（如硼、磷）摻入硅襯底，形成PN 結(jié)或調(diào)整電學(xué)特性；退火工藝，通過(guò)高溫（500~1200℃）修復(fù)離子注入或擴(kuò)散造成的晶格損傷，激活摻雜原子，優(yōu)化器件性能。
根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2023 年熱處理設(shè)備在集成電路設(shè)備資本支出中的占比為 3.0%。北方華創(chuàng)在熱處理設(shè)備領(lǐng)域，已形成了立式爐和快速熱處理設(shè)備（RTP）的全系列布局。2024 年公司熱處理設(shè)備收入超 20 億元。
北方華創(chuàng)主要批量銷售的熱處理設(shè)備包括：
濕法工藝貫穿半導(dǎo)體制造的整個(gè)環(huán)節(jié)，通過(guò)化學(xué)溶液，結(jié)合物理或化學(xué)機(jī)理，對(duì)晶圓表面的顆粒物、有機(jī)殘留物、金屬離子、氧化層及副產(chǎn)物等加以去除，進(jìn)而減少污染，避免缺陷，在提升制造良率，保障器件性能與可靠性方面發(fā)揮著無(wú)可替代的作用。
隨著芯片特征尺寸向納米級(jí)不斷縮小，對(duì)晶圓表面污染物的控制要求越來(lái)越高，濕法工藝步驟的數(shù)量隨之大幅提高。同時(shí)，隨著芯片技術(shù)朝三維集成方向持續(xù)發(fā)展，高深寬比結(jié)構(gòu)的有效塑型與清洗為濕法工藝帶來(lái)了更大挑戰(zhàn)，高精度、高效率、低損傷濕法技術(shù)設(shè)備解決方案成為關(guān)鍵。 根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2023 年濕法設(shè)備在集成電路制造設(shè)備資本支出的占比為 5.5%。北方華創(chuàng)在濕法設(shè)備領(lǐng)域，已形成了單片設(shè)備和槽式設(shè)備的全面布局。2024 年公司濕法設(shè)備收入超 10 億元。
北方華創(chuàng)已批量銷售的濕法設(shè)備主要包括：
離子注入設(shè)備通過(guò)高能離子束改變半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性，是集成電路工藝中形成 PN 結(jié)和調(diào)控器件性能的核心裝備。其工作原理是先通過(guò)離子源產(chǎn)生所需離子，在電場(chǎng)作用下加速至預(yù)定能量，再精確注入半導(dǎo)體材料，實(shí)現(xiàn)原子的替換或添加，進(jìn)而調(diào)控材料性能。2023 年離子注入設(shè)備在集成電路設(shè)備資本支出中的占比為 3.4%。2025 年 3 月，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng)，已發(fā)布的離子注入設(shè)備包括：
2、在真空及新能源裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)深耕高壓、高溫、高真空技術(shù)，主要產(chǎn)品包括晶體生長(zhǎng)設(shè)備、真空熱處理設(shè)備、氣氛保護(hù)熱處理設(shè)備、連續(xù)式熱處理設(shè)備、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備、擴(kuò)散氧化退火設(shè)備、磁控濺射鍍膜設(shè)備、低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備、多弧離子鍍膜設(shè)備、金屬雙極板鍍膜設(shè)備等，廣泛應(yīng)用于材料熱處理、真空電子、半導(dǎo)體材料、磁性材料、新能源等領(lǐng)域，為新材料、新工藝、新能源等綠色制造提供技術(shù)支持。晶體生長(zhǎng)設(shè)備是用于制備高純度單晶材料的關(guān)鍵設(shè)備，通過(guò)直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）或化學(xué)氣相沉積（CVD）等工藝，在嚴(yán)格控溫、控壓及氣氛環(huán)境下生長(zhǎng)半導(dǎo)體級(jí)單晶硅、藍(lán)寶石、碳化硅等晶體，廣泛應(yīng)用于集成電路、新能源光伏、半導(dǎo)體照明等領(lǐng)域。其核心在于精準(zhǔn)調(diào)控晶體生長(zhǎng)的溫度梯度、提拉速率及雜質(zhì)濃度，確保晶體結(jié)構(gòu)完整和低缺陷密度，從而提升電子器件的性能與可靠性。隨著半導(dǎo)體和新能源產(chǎn)業(yè)升級(jí)，晶體生長(zhǎng)設(shè)備向大尺寸晶圓、自動(dòng)化控制及低能耗方向持續(xù)迭代，支撐先進(jìn)芯片與高效光伏電池的規(guī)?；a(chǎn)需求。
北方華創(chuàng)主要批量銷售的晶體生長(zhǎng)設(shè)備包括：
真空熱工設(shè)備是在真空或低氣壓環(huán)境下進(jìn)行材料熱處理、加工或制備的特種工業(yè)裝備，其通過(guò)抽真空技術(shù)消除氣體干擾（如氧化、污染），精準(zhǔn)調(diào)控材料性能，廣泛應(yīng)用于航空航天、電真空器件、新能源及精密制造等領(lǐng)域。典型設(shè)備包括真空熱處理爐（用于金屬退火、淬火等工藝，提升力學(xué)性能）、真空釬焊爐（無(wú)氧高精度焊接航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片等精密部件）、真空鍍膜設(shè)備（通過(guò) PVD/CVD 技術(shù)制備光學(xué)或耐磨涂層）以及真空燒結(jié)爐（實(shí)現(xiàn)陶瓷、硬質(zhì)合金的高致密化燒結(jié)）等。該設(shè)備具備無(wú)氧化污染、工藝可控性強(qiáng)、節(jié)能環(huán)保等優(yōu)勢(shì)，可保障材料高純度加工并減少能耗。隨著新材料需求增長(zhǎng)，真空熱工設(shè)備正向智能化、多功能集成化方向演進(jìn)，成為高端制造業(yè)的核心裝備。北方華創(chuàng)主要批量銷售的真空熱工設(shè)備包括：
北方華創(chuàng)深耕新能源光伏電池片設(shè)備，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)不斷升級(jí)。公司成功研發(fā)大產(chǎn)能 5 管/6 管/10 管/12 管設(shè)備，尺寸覆蓋182~230 等多種工藝方形或矩形片。在大尺寸 Wafer 工藝上為光伏行業(yè)提供專業(yè)、高效、先進(jìn)、低成本的解決方案，并通過(guò)等離子場(chǎng)、電場(chǎng)、氣場(chǎng)、溫度場(chǎng)等理論分析，完成了單舟到多舟的技術(shù)迭代，單管產(chǎn)能不斷升級(jí)，完成了在TOPCon 工藝路線大產(chǎn)能設(shè)備的行業(yè)布局。公司低壓擴(kuò)散設(shè)備、低壓硼擴(kuò)設(shè)備市占率領(lǐng)先，各類擴(kuò)散、氧化、退火類設(shè)備技術(shù)性能領(lǐng)先。LPCVD 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了大尺寸硅片 M10~M12 兼容和載片量 2,880 片的突破，可完成隧穿氧化層、本征多晶硅層、磷原位摻雜多晶硅層等膜層制備。PECVD 設(shè)備在電池行業(yè)的應(yīng)用覆蓋 PERC、TOPCon、HJT、BC、鈣鈦礦電池技術(shù)，產(chǎn)品涵蓋氮化硅設(shè)備、氧化鋁和氮化硅 2 in 1 設(shè)備、隧穿層&Poly 層&原位摻雜層3 in 1 設(shè)備，新型板式PECVD 也實(shí)現(xiàn)突破。經(jīng)過(guò)幾十年的技術(shù)沉淀、創(chuàng)新突破及產(chǎn)研結(jié)合，公司累計(jì)發(fā)布了近百款量產(chǎn)型光伏設(shè)備，實(shí)現(xiàn)頭部客戶全覆蓋，并出口越南、泰國(guó)、新加坡、馬來(lái)西亞等國(guó)家和地區(qū)，成為國(guó)內(nèi)及國(guó)際光伏設(shè)備主流的解決方案提供商。北方華創(chuàng)主要批量銷售的新能源光伏裝備包括：
新能源鋰電復(fù)合集流體設(shè)備通過(guò)在高分子基材（如 PET、PI）表面沉積納米級(jí)金屬層（銅、鋁等），形成“三明治”結(jié)構(gòu)，替代傳統(tǒng)金屬箔制造鋰電池復(fù)合集流體。該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)超?。ㄎ⒚准?jí)）、高導(dǎo)電、耐腐蝕的輕量化集流體生產(chǎn)，可提升電池能量密度 15%以上，同時(shí)抑制鋰枝晶生長(zhǎng)，增強(qiáng)鋰電池安全性與循環(huán)壽命。其高精度卷對(duì)卷連續(xù)鍍膜技術(shù)適配大規(guī)模量產(chǎn)需求，廣泛應(yīng)用于動(dòng)力電池、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域，助力新能源產(chǎn)業(yè)向高效、安全方向升級(jí)。北方華創(chuàng)主要批量銷售的新能源鋰電復(fù)合集流體設(shè)備包括：
氫能金屬雙極板鍍膜設(shè)備是專為氫燃料電池核心組件——金屬雙極板表面處理而設(shè)計(jì)的高端制造裝備，旨在通過(guò)精密鍍膜技術(shù)提升雙極板的耐腐蝕性、導(dǎo)電性及耐久性，滿足燃料電池苛刻工況下的性能需求。北方華創(chuàng)主要批量銷售的氫能裝備包括：
3、在精密電子元器件業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)推動(dòng)元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向發(fā)展，主要產(chǎn)品包括精密電阻器、新型電容器、石英晶體器件、石英微機(jī)電傳感器、模擬芯片、模塊電源、微波組件等，廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通、智能電網(wǎng)、精密儀器、自動(dòng)控制等領(lǐng)域。在高端精密電子元器件領(lǐng)域，公司主要產(chǎn)品為電源管理芯片、模擬信號(hào)鏈產(chǎn)品、石英晶體器件、石英微機(jī)電傳感器、高精密電阻器、新型電容器、微波組件、電子封裝管殼等。公司將現(xiàn)有工藝與半導(dǎo)體工藝相結(jié)合研制新產(chǎn)品，拓展新應(yīng)用。
新開發(fā)高功率密度負(fù)載點(diǎn)電源，可應(yīng)用于 AI、數(shù)據(jù)中心、新一代高性能 FPGA、CPU、GPU 等應(yīng)用場(chǎng)景。公司積極布局模擬信號(hào)鏈產(chǎn)品，已形成覆蓋 ADC/DAC 模數(shù)/數(shù)模轉(zhuǎn)換器、運(yùn)算放大器、模擬開關(guān)、總線接口、時(shí)鐘芯片、基準(zhǔn)源等十余類 300 多種產(chǎn)品，并積極拓展數(shù)字存儲(chǔ)類產(chǎn)品，已經(jīng)形成 FLASH、DDR 存儲(chǔ)器等系列產(chǎn)品。報(bào)告期內(nèi)，公司研發(fā)出基于石英材質(zhì)的壓力傳感器芯體，在溫漂系數(shù)、穩(wěn)定性方面相較于市場(chǎng)同類型產(chǎn)品有著明顯優(yōu)勢(shì)；完成抗振動(dòng)高能鉭電容技術(shù)攻關(guān)和高分子鉭電容產(chǎn)品研發(fā)，解決行業(yè)痛點(diǎn)，產(chǎn)品性能指標(biāo)大幅提升；成功開發(fā)電子封裝外殼系列產(chǎn)品，目前已廣泛應(yīng)用于單片集成電路、光電探測(cè)和光通信、微波通信模塊、射頻微系統(tǒng)、光電微系統(tǒng)、汽車電子等領(lǐng)域。
北方華創(chuàng)主要批量銷售的精密電子元器件包括：
2024年北方華創(chuàng)收入298億元，同比增長(zhǎng)35%，凈利潤(rùn)56億元，納稅總額20億元。
2024年北方華創(chuàng)全年研發(fā)投入53.72億元，同比增長(zhǎng)21.82%。北方華創(chuàng)擁有研發(fā)人員4583人，
“一代裝備、一代工藝、一代器件”，北方華創(chuàng)的創(chuàng)新性產(chǎn)品如下：
高密度感應(yīng)耦合等離子體源(High density inductive coupled plasma source)被廣泛應(yīng)用于等離子體刻蝕和等離子體沉積設(shè)備，是半導(dǎo)體設(shè)備的核心部件之一。
高密度感應(yīng)耦合等離子體源產(chǎn)生的等離子體的能量、密度和分布直接影響設(shè)備性能，等離子體源的耦合效率穩(wěn)定性也是設(shè)備性能的關(guān)鍵影響因素。因此，滿足工藝要求的高密度感應(yīng)耦合等離子體源在設(shè)計(jì)、加工和應(yīng)用等方面要求極其嚴(yán)苛，一直是國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)，其研究成果被各大設(shè)備公司作為核心專利加以保護(hù)。
北方華創(chuàng)經(jīng)過(guò)二十余年的技術(shù)沉淀與創(chuàng)新突破，使用二次電離技術(shù)設(shè)計(jì)的高密度感應(yīng)耦合等離子體源具有高耦合效率、低等離子體損傷、高可靠性及反應(yīng)粒子可控等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。配備該等離子體源的刻蝕和沉積設(shè)備目前已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)邏輯、存儲(chǔ)、封裝、功率器件等芯片產(chǎn)線。
集成電路中磁控濺射設(shè)備是一種利用磁場(chǎng)輔助進(jìn)行薄膜制備的物理氣相沉積（PVD）設(shè)備。磁控管是為磁控 濺射設(shè)備提供磁場(chǎng)的專屬部件，能夠控制等離子體在靶材表面的分布，決定濺射電壓、能量密度、離化率、 靶材利用率等核心參數(shù)，其性能直接影響磁控濺射設(shè)備的工藝性能，是磁控濺射設(shè)備的核心部件之一。 北方華創(chuàng)經(jīng)過(guò)多年的磁控濺射技術(shù)沉淀與創(chuàng)新，突破了磁控濺射源技術(shù)壁壘，在等離子體產(chǎn)生與控制、薄膜 均勻性控制、顆粒控制等方面具有核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)。北方華創(chuàng)的磁控濺射設(shè)備應(yīng)用跨越多個(gè)技術(shù)代，成為多家 客戶基線設(shè)備，廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)邏輯、存儲(chǔ)、封裝、功率器件等芯片產(chǎn)線。
北方華創(chuàng)幫助客戶提升工藝性能、擴(kuò)大產(chǎn)能、降低成本，為集成電路領(lǐng)域提供核心工藝裝備解決方案。主要產(chǎn)品包括刻蝕、 薄膜沉積、濕法、爐管、離子注入等核心工藝裝備。北方華創(chuàng)子公司如下：
北方華創(chuàng)總部位于北京，擁有90萬(wàn)平方米的研發(fā)和生產(chǎn)基地。2024年北方華創(chuàng)啟用臺(tái)馬半導(dǎo)體設(shè)備基地，該基地的建筑面積達(dá) 36 萬(wàn)平方米，投產(chǎn)產(chǎn)線超 60 條?；亟ㄔO(shè)以“智能化 + 數(shù)字化” 為基礎(chǔ)，打通客戶關(guān)系管理系統(tǒng)（CRM）、供應(yīng)商關(guān)系管理系統(tǒng)（SRM）、企業(yè)資源計(jì)劃系統(tǒng)（ERP）等多個(gè)信息化平臺(tái)， 通過(guò)倉(cāng)儲(chǔ)物流自動(dòng)化控制及精準(zhǔn)配送、數(shù)字孿生技術(shù)虛擬產(chǎn)線、人工智能自適應(yīng)控制系統(tǒng)等手段，實(shí)現(xiàn)“制造業(yè)務(wù)標(biāo)準(zhǔn)化、 流程管理自動(dòng)化、決策數(shù)據(jù)可視化”的全流程管理，新產(chǎn)品導(dǎo)入周期有效縮短，生產(chǎn)效率大幅提升。
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