芯耀
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在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)賽道上，12 英寸碳化硅正嶄露頭角。據(jù)《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》透露，今年以來(lái)共有13家碳化硅企業(yè)公布了12英寸技術(shù)進(jìn)展，并顯露出不少行業(yè)新趨勢(shì)：
來(lái)源：行家說(shuō)Research-《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》
設(shè)備端：7家SiC企業(yè)公布12英寸技術(shù)，聚焦激光切割、電阻法等；襯底端：6家SiC企業(yè)展示12英寸SiC晶錠和襯底，全部集中在中國(guó)；終端應(yīng)用：AR眼鏡、激光器等行業(yè)發(fā)展加速，將為大尺寸SiC襯底應(yīng)用增添新賽道。
7家SiC企業(yè)公布進(jìn)展：
攻克12英寸長(zhǎng)晶及加工難題
據(jù)“行家說(shuō)三代半”此前報(bào)道，今年以來(lái)，大族半導(dǎo)體、西湖儀器、天成半導(dǎo)體、晶馳機(jī)電及天晶智能相繼公布了12英寸SiC技術(shù)進(jìn)展，聚焦激光剝離、晶體生長(zhǎng)等工藝，致力于破解大尺寸碳化硅產(chǎn)業(yè)難題，將為行業(yè)降本增效開(kāi)辟新路徑。
而在近期，又有2家碳化硅企業(yè)透露了12英寸技術(shù)，并能有效解決當(dāng)前的效率和成本痛點(diǎn)：
- 連城數(shù)控
4月28日，連城數(shù)控在官微宣布，連科半導(dǎo)體有限公司等單位完成的兩項(xiàng)科技成果參與了科技成果評(píng)價(jià)會(huì)，由中科院技物所褚君浩院士等5位專家進(jìn)行評(píng)審。
專家組一致認(rèn)為，連科半導(dǎo)體的“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。據(jù)悉，該項(xiàng)目聯(lián)合了浙江大學(xué)等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw。
此外，連科半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了高精度控制軟件，實(shí)現(xiàn)了對(duì)氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長(zhǎng)，技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益顯著，助力客戶生長(zhǎng)8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達(dá)到5cm以上。
中國(guó)電科裝備
4月9日，中國(guó)電科官微透露，他們緊盯大尺寸發(fā)展趨勢(shì)，培育了晶錠減薄設(shè)備、激光剝離設(shè)備、晶片減薄設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等明星產(chǎn)品，形成8至12英寸碳化硅材料加工智能解決方案。
電科專家表示，“中國(guó)電科裝備是國(guó)內(nèi)首個(gè)同時(shí)具備四種設(shè)備且提供智能集成服務(wù)的供應(yīng)商。在加工效率方面，該解決方案可將單片加工時(shí)間由90分鐘縮短到25分鐘左右；在成本控制方面，將單片損失從220微米減少到80微米，每個(gè)晶錠可切割晶片的數(shù)量約為現(xiàn)有工藝的1.4倍，有效解決當(dāng)前的效率和成本痛點(diǎn)?！?/p>
在該解決方案中，電科裝備采用最新激光剝離工藝進(jìn)行晶體切片，平均每片切割研磨損耗僅為原來(lái)的40%左右，顯著降低加工成本。?目前該解決方案已獲得市場(chǎng)積極反饋，進(jìn)入用戶產(chǎn)線開(kāi)展試驗(yàn)驗(yàn)證，并與多家頭部企業(yè)達(dá)成意向合作。
與之相對(duì)應(yīng)的是，國(guó)內(nèi)天岳先進(jìn)、爍科晶體、天科合達(dá)等襯底端企業(yè)也在加速12英寸SiC產(chǎn)品布局，進(jìn)一步推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)和成本優(yōu)化。
將助力AR眼鏡等市場(chǎng)發(fā)展
據(jù)“行家說(shuō)三代半”不完全統(tǒng)計(jì)，今年以來(lái)，一共有6家碳化硅企業(yè)對(duì)外展示了12英寸SiC晶錠和襯底，且全部都集中在中國(guó)：
N型導(dǎo)電型襯底方面，天岳先進(jìn)、爍科晶體、天科合達(dá)、同光股份/晶馳光電都有相關(guān)12英寸SiC襯底或晶錠展示；
半絕緣/光學(xué)級(jí)襯底方面，目前天岳先進(jìn)和爍科晶體都實(shí)現(xiàn)了12英寸突破，2025年H2天科合達(dá)也將推出12寸產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)的是AR眼鏡光波導(dǎo)鏡片等基板市場(chǎng)；
天科合達(dá)推出12英寸的熱沉級(jí)SiC襯底，瞄準(zhǔn)先進(jìn)封裝和散熱基板市場(chǎng)；
晶盛機(jī)電-浙江晶瑞推出12英寸多晶SiC襯底，主要面向晶圓鍵合與半導(dǎo)體設(shè)備耐耗件市場(chǎng)。
綜合來(lái)看，現(xiàn)階段中國(guó)碳化硅企業(yè)展示了5個(gè)類型的12英寸SiC晶錠和襯底，包括導(dǎo)電型襯底（N型和P型）、半絕緣/光學(xué)級(jí)襯底、熱沉級(jí)襯底、多晶型襯底。
行家說(shuō)Research認(rèn)為，12英寸導(dǎo)電型及非導(dǎo)電型SiC襯底技術(shù)的發(fā)展，還需注意以下關(guān)鍵點(diǎn)：
導(dǎo)電型：N型和P型12英寸導(dǎo)電型襯底在功率半導(dǎo)體的應(yīng)用還需要時(shí)間，目前主力重點(diǎn)仍然是6英寸轉(zhuǎn)8英寸。此外，現(xiàn)階段，80%的12英寸晶圓主要被應(yīng)用于生產(chǎn)附加值更高的邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片，盡管IGBT等功率器件也在轉(zhuǎn)向12英寸，但其占比僅10%左右，因此導(dǎo)入SiC的時(shí)間會(huì)更晚。
非導(dǎo)電型：半絕緣、熱沉級(jí)、多晶型的12英寸SiC晶圓預(yù)計(jì)會(huì)在未來(lái)2-3年落地應(yīng)用，導(dǎo)入到AR眼鏡、散熱片、先進(jìn)封裝和鍵合襯底等領(lǐng)域，為SiC行業(yè)新增了多個(gè)新賽道。
據(jù)《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》透露，若在未來(lái)若碳化硅的光波導(dǎo)鏡片將有望達(dá)到百萬(wàn)片級(jí)（折合8英寸）、可用于TF-SAW濾波器和激光器散熱片基板的SiC襯底也有數(shù)萬(wàn)片的潛在規(guī)模（12英寸）。但這些都需要對(duì)應(yīng)的市場(chǎng)能夠起量，且SiC襯底展現(xiàn)出高性價(jià)替代能力。
值得關(guān)注的是，由行家說(shuō)Research調(diào)研撰寫(xiě)的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》不僅整理、分析了12英寸SiC技術(shù)突破，還同步剖析了半絕緣SiC與液相法實(shí)現(xiàn)大尺寸化、AR眼鏡的碳化硅光波導(dǎo)需求等技術(shù)及終端應(yīng)用最新進(jìn)展，有利于為相關(guān)企業(yè)提供具體且深入的行業(yè)洞察，助力其把握技術(shù)前沿，提前布局戰(zhàn)略方向。
目前，《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》已正式發(fā)布，以下為報(bào)告目錄，歡迎各位業(yè)內(nèi)人士掃碼訂閱：
本文發(fā)自【行家說(shuō)三代半】，專注第三代半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）行業(yè)觀察。
