• 正文
    • 一、產(chǎn)品概述:PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合 ?
    • 二、核心性能與關(guān)鍵參數(shù) ?
    • 三、典型應(yīng)用場(chǎng)景 ?
    • 四、選型推薦
  • 相關(guān)推薦
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MDDG03R04Q,低內(nèi)阻大電流 服務(wù)器和新能源的好幫手

3小時(shí)前
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服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。

一、產(chǎn)品概述:PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合 ?

MDDG03R04Q采用MDD的Trench工藝,結(jié)合屏蔽柵結(jié)構(gòu),通過優(yōu)化載流子遷移路徑與電場(chǎng)分布,實(shí)現(xiàn):

極低導(dǎo)通電阻:RDS(on)低至3.5mΩ(VGS=10V,ID=20A),顯著降低導(dǎo)通損耗。

快速開關(guān)性能:優(yōu)化柵極電荷(Qg)與軟恢復(fù)體二極管,支持高頻應(yīng)用。

工業(yè)級(jí)可靠性:100% UIS測(cè)試認(rèn)證,確保雪崩能量耐受能力。

二、核心性能與關(guān)鍵參數(shù) ?

1.導(dǎo)通與動(dòng)態(tài)特性

RDS(on)@10V=3.5mΩ:相比傳統(tǒng)MOSFET,導(dǎo)通損耗降低,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

低反向恢復(fù)電荷(Qrr):減少同步整流中的反向?qū)〒p耗,優(yōu)化系統(tǒng)能效。

快速開關(guān)響應(yīng):開啟/關(guān)斷延遲時(shí)間優(yōu)化,適配高頻PWM控制。

2.可靠性認(rèn)證與環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

100% UIS測(cè)試:?jiǎn)蚊}沖雪崩能量(EAS)通過嚴(yán)格驗(yàn)證,保障感性負(fù)載場(chǎng)景穩(wěn)定性。

RoHS合規(guī):無鉛環(huán)保工藝,符合全球環(huán)保法規(guī)。

3.熱性能與封裝設(shè)計(jì)

PDFN3*3-8L封裝:貼片式金屬背板設(shè)計(jì)提升散熱能力,支持持續(xù)高電流工況。

寬溫工作范圍:-55℃~150℃,適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境。

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景 ?

1.同步整流(ATX/服務(wù)器/電信PSU)

低RDS(on)與Qrr特性:優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換效率,減少同步整流損耗,適用于鈦金級(jí)電源設(shè)計(jì)。

高頻開關(guān)能力:適配LLC諧振拓?fù)?,提升功率密度?/p>

2.工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與不間斷電源(UPS)

80A持續(xù)電流能力:支持伺服電機(jī)、AGV小車驅(qū)動(dòng)需求。

高雪崩能量耐受:應(yīng)對(duì)電機(jī)啟停與電池切換瞬態(tài)沖擊,系統(tǒng)可靠性提升25%。

3.微型太陽能逆變器(Micro Solar Inverter)

高效MPPT控制:低導(dǎo)通損耗提升光伏能量轉(zhuǎn)換效率。

寬溫工作范圍:適應(yīng)戶外極端溫度波動(dòng),保障長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

四、選型推薦

除此之外,MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景,推出不同的型號(hào),以滿足各行業(yè)匹配需求。

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