后摩爾時(shí)代下的光電集成技術(shù)

自GPT4大模型發(fā)布以來，光子技術(shù)以其高帶寬低延時(shí)多通道擴(kuò)展的優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代下集成電路的破局之方向，受到了越來越多的關(guān)注。光子技術(shù)得益于光纖通信技術(shù)的發(fā)展，早期廣泛應(yīng)用于光通信領(lǐng)域，具體的產(chǎn)品形態(tài)包括可插拔光模塊、光交換機(jī)等。與電子技術(shù)的發(fā)展路線類似，為了追求低成本、低功耗的產(chǎn)品，進(jìn)一步匹配信息社會(huì)不斷迭代的需求，光子集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。光子集成技術(shù)可以很好地彌補(bǔ)傳統(tǒng)的集成電路電信號(hào)帶寬瓶頸低、傳輸距離短、抗電磁干擾能力差的不足。借助于集成電路成熟的半導(dǎo)體制造技術(shù)，目前世界各地已經(jīng)衍生出了多個(gè)不同規(guī)模的光芯片集成平臺(tái)，比如Intel、TSMC、Tower Semiconductor、CompoundTek、SMIC、CUMEC等。

相對(duì)于電子集成，光子集成技術(shù)優(yōu)勢(shì)突出，其劣勢(shì)也很明顯，主要體現(xiàn)在如下幾點(diǎn)：

1）功能不完備，集成度較低；

2）信息計(jì)算和處理能力差，特定場(chǎng)景下依賴電芯片；

3）工藝制造良率較低；

未來，面對(duì)海量的信息傳輸、加工、計(jì)算和存儲(chǔ)需求，有如下技術(shù)方向值得關(guān)注：

1）先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)光與電的混合集成，代表技術(shù)有chiplet、3D封裝、硅光、光電共封裝CPO、光引擎OIO等；

2）多材料體系的異質(zhì)集成，包括硅光、薄膜鈮酸鋰、InP/GaAs、二維材料等；

作為一名熱愛學(xué)習(xí)的小韭菜，我在學(xué)習(xí)的過程中做了如下筆記與大家分享。