研討會要點:
1.為何選擇400V SiC MOSFET
2.核心價值主張
3.關鍵拓撲結構與應用場景
適用人群:
從事兩電平和三電平拓撲開發(fā)的工程師必看(適用于AI服務器電源、開關電源、電機控制、可再生能源等應用)
白皮書資料:
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1、《10 kW 三電平ANPC虛擬設計》
基于400V CoolSiC? MOSFET的三電平ANPC拓撲虛擬評估板。很適合工業(yè)電機驅動和光伏組串逆變器的三電平ANPC系統(tǒng)工程師與研究人員。內容要點:(1)、三電平ANPC拓撲測試平臺(2)、免費提供設計文件。
2、《CoolSiC? MOSFET 400V 第二代 Spice仿真模型》
CoolSiC? MOSFET 400V 第二代器件兼具高魯棒性與超低開關損耗,同時實現(xiàn)更優(yōu)系統(tǒng)成本。很適合AI服務器電源、開關電源、電機控制、可再生能源及D類音頻的電力轉換工程師。內容要點:(1)、RDS(on) 導通電阻:11-45 毫歐;(2)、提供 D2PAK-7 和 TOLL 封裝;(3)、免費提供 Spice 仿真模型。
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