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隨著市場份額穩(wěn)步提升的中國企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。

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03/05 11:35

dram 長鑫存儲(chǔ)

長鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）已采用 16 納米技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。據(jù)業(yè)界1月26日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體市場研究公司TechInsights近日?qǐng)?bào)道稱，“中國分銷市場發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長鑫存儲(chǔ)的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM組成”，而“長鑫存儲(chǔ)最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術(shù)”。?TechInsights 獲取并分析了上個(gè)月上市的中國 DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大，傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。

芯片說 IC TIME

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01/27 11:30

DDR5 存儲(chǔ)技術(shù)

傳長鑫存儲(chǔ)3倍年薪挖角千人

金先生，長鑫存儲(chǔ)科技有限公司（CXMT）負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁，是韓國人，畢業(yè)于韓國著名大學(xué)，曾在三星電子從事DRAM設(shè)計(jì)和開發(fā)工作26年。金先生曾擔(dān)任三星電子研究員（高管）和一家附屬公司負(fù)責(zé)戰(zhàn)略營銷的高管，于 2019 年 11 月移居中國，五年多來一直領(lǐng)導(dǎo)長鑫存儲(chǔ)的尖端 DRAM 開發(fā)。得益于這支“外籍工程師團(tuán)隊(duì)”，長鑫存儲(chǔ)以超出市場預(yù)期的速度進(jìn)軍傳統(tǒng)DRAM市場，目前正投入到HBM和DRAM 開發(fā)。

芯片說 IC TIME

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01/02 12:20

長鑫存儲(chǔ)

傳長鑫存儲(chǔ)HBM2已送樣，計(jì)劃明年中量產(chǎn)

長鑫存儲(chǔ)正準(zhǔn)備將主要應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）以自己的技術(shù)商業(yè)化并供應(yīng)給客戶。據(jù)媒體12月31日?qǐng)?bào)道，長鑫存儲(chǔ)已開始向主要客戶供應(yīng)HBM2標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體樣品，并計(jì)劃于明年年中開始量產(chǎn)。

芯片說 IC TIME

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01/02 10:15

HBM 長鑫存儲(chǔ)

美國未制裁長鑫存儲(chǔ)的可能性分析

美國此次未將長鑫存儲(chǔ)列入制裁名單，部分原因是來自日本的反對(duì)。長鑫存儲(chǔ)與日本半導(dǎo)體行業(yè)合作密切，而中國是日本半導(dǎo)體產(chǎn)品主要的出口對(duì)象，若響應(yīng)美國對(duì)華限制出口芯片，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將下滑，影響未來產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展。此外，中國掌握著豐富的稀有金屬材料鎵、鍺等，是制造半導(dǎo)體的主要來源，一旦日本跟隨美國限制芯片出口，中國可能限制這些材料出口，日本半導(dǎo)體生產(chǎn)將受影響。同時(shí)，日本似乎也在中美之間尋求平衡，其在經(jīng)貿(mào)上依賴中國，中日貿(mào)易往來能促進(jìn)日本發(fā)展。

是說芯語

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2024/12/09

長鑫存儲(chǔ)