IGBT

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳收起

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  • 芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長 營收同比超28%增長
    百尺竿頭更進一步，中流擊水正當其時。 4月28日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年及2025年第一季度業(yè)績公告。2024年，公司各季度營收節(jié)節(jié)攀升，以"新能源+智能化"雙引擎驅動業(yè)務發(fā)展，在行業(yè)波動中交出逆勢增長答卷： 實現(xiàn)營收65.09億，其中主營收入62.76億元，同比增長27.8% 歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉正達1.03% EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）21.45億元，同比增長
    芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長 營收同比超28%增長
  • 黑龍江IGBT項目即將投產，年產能500萬個
    4月21日，“大慶政事”報道了黑龍江功率模塊項目的建設進展，該項目預計6月實現(xiàn)量產，年產能將達500萬個。該報道提到，匯芯功率半導體模塊生產制造項目是由廣東匯芯半導體有限公司全資子公司——黑龍江匯芯半導體有限公司投資建設，該項目力爭5月底達到試生產條件，預計6月份實現(xiàn)量產，屆時，全球首條智能功率模塊AI示范封測線將投產。
    黑龍江IGBT項目即將投產，年產能500萬個
  • 南京IGBT/SiC功率模塊項目投產，年產250萬只
    4月23日，丹佛斯動力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用,總投資超8億元，可年產IGBT/SiC功率模塊250萬只，電機及電驅動產品10萬套。
    南京IGBT/SiC功率模塊項目投產，年產250萬只
  • 這家IGBT企業(yè)營收達22億，增長120%
    據“揚州日報”4月16日報道，過去幾年揚州市簽約落戶、開工建設的一批制造業(yè)重點項目，已經或即將成長為工業(yè)經濟的壓艙石，其中，比亞迪半導體在揚州建設的功率半導體模組及晶圓生產項目碩果累累。
  • 走進英飛凌無錫工廠，見證30年成長路
    1995年，英飛凌（原西門子半導體事業(yè)部）進入中國，在無錫建立了第一家工廠，開啟在華發(fā)展的篇章。 1999年，西門子將半導體業(yè)務剝離成立英飛凌科技（以下簡稱“英飛凌”），彼時這家公司僅擁有5 萬名員工，主要生產消費電子芯片，無錫工廠也因此同步更名為英飛凌無錫。 2001年，英飛凌無錫工廠率先引入分立器件和智能卡芯片生產線，奠定了領先制造工藝的基礎。 2013年，啟動智能工廠建設，開啟數(shù)字化轉型之路 2015年，英飛凌半導體（無錫）有限公司正式成立，加速在華智能制造步伐。 從2018年至今，英飛凌無錫工廠不斷豐富本土生產的產品組合，同時提升相關制造能力和工藝水平。
    走進英飛凌無錫工廠，見證30年成長路
  • 新品 | IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產品
    英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產品拓展，帶焊接針和帶預涂導熱材料版本(TIM)。
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    04/10 08:36
    新品 | IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產品
  • 2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長170%；單季600萬顆
    新能源汽車和清潔能源市場的強勁需求推動下，功率半導體領域持續(xù)升溫。智新半導體和瀚薪科技作為行業(yè)內的佼佼者，近期頻頻傳來訂單增長的喜訊：
    2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長170%；單季600萬顆
  • 安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
    安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實現(xiàn)能效和性能領先行業(yè)的更緊湊變頻電機驅動 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7） IGBT技術相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝
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  • CGD 官宣突破100KW以上技術，推動GAN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場
    無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT
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    03/11 08:37
    CGD 官宣突破100KW以上技術，推動GAN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場
  • 東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器
    東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出
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    03/06 09:07
    東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器
  • 目標20億！4家IGBT/SiC企業(yè)今年營收將大漲
    2025年開年以來，國內功率半導體企業(yè)呈現(xiàn)強勁發(fā)展勢頭。重慶平偉實業(yè)、樂山希爾電子、威海新佳電子及安徽陶芯科半導體等企業(yè)通過技術創(chuàng)新、產能擴張和海外市場拓展，加速沖刺一季度“開門紅”。其中：
    目標20億！4家IGBT/SiC企業(yè)今年營收將大漲
  • 這家IGBT/SiC企業(yè)被收購！營收超6200萬元
    近日，長城汽車間接收購了一家功率半導體企業(yè)80%股權。2月21日，長城汽車發(fā)布公告稱，其間接全資子公司諾博汽車科技有限公司與穩(wěn)晟科技(天津)有限公司簽訂股權轉讓協(xié)議，諾博科技擬使用自有資金人民幣379.215777萬元收購穩(wěn)晟科技持有的無錫芯動半導體科技有限公司80%的股權。
    這家IGBT/SiC企業(yè)被收購！營收超6200萬元
  • IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃
    近幾年主流芯片制造廠商，包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片，在芯片大小，芯片厚度，飽和壓降，開關損耗等權衡之間進行了升級。其中，最高工作結溫被提及的次數(shù)略多。
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    01/21 11:23
  • IGBT并聯(lián)設計指南，拿下！
    大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。
    IGBT并聯(lián)設計指南，拿下！
  • 英飛凌IGBT7系列芯片大解析
    上回書說到，IGBT自面世以來，歷經數(shù)代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實現(xiàn)極低的導通壓降和優(yōu)化的開關性能。
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    01/16 11:45
    英飛凌IGBT7系列芯片大解析
  • 蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴大結盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導體動態(tài)可靠度驗證實驗室
    /美通社/ -- 半導體封裝測試解決方案專業(yè)品牌蔚華科技（TWSE: 3055）與經銷合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導體動態(tài)可靠度驗證實驗室，瞄準亞太地區(qū)功率半導體芯片在車規(guī)驗證的需求，為亞太地區(qū)半導體制造業(yè)客戶就近提供驗證服務，加速客戶研發(fā)及生產制造的進程。 [caption id="attachment_1793744" align="alignnone" widt
    蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴大結盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導體動態(tài)可靠度驗證實驗室
  • 羅姆功率半導體產品概要
    1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運輸領域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎的火力發(fā)電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此，為了實現(xiàn)零碳社會，努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標。 在這種背景下，羅姆致力于通過電子技術解決社會問題，專注于開發(fā)在大功率應用中可提升效率的關鍵——功率半導體，并提供相關的電源解決方案。本白皮書將通過
    羅姆功率半導體產品概要
  • 功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
    IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。
  • 車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
    車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網的交流電轉換為適合電池充電的直流電，從而實現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設計、架構和尺寸越來越豐富，車載充電器的實施也變得越來越復雜。
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    2024/11/08
    車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
  • 芯聯(lián)集成總經理趙奇：公司2026年收入預計將超100億
    芯聯(lián)集成四季度能否延續(xù)良好增長勢頭？碳化硅業(yè)務盈利趨勢如何？模擬IC有哪些客戶？功率模塊業(yè)務收入增長前景如何？ 針對投資者廣泛關心的話題，10月29日，芯聯(lián)集成舉辦2024年三季度報電話說明會。公司董事、總經理趙奇，財務負責人、董事會秘書王韋，芯聯(lián)動力董事長袁鋒出席說明會。 趙奇在會上作業(yè)績發(fā)布報告，對2024年前三季度經營業(yè)績進行全面解讀，研判行業(yè)趨勢，并展望未來發(fā)展重點。 Q1 芯聯(lián)集成前三季
    芯聯(lián)集成總經理趙奇：公司2026年收入預計將超100億

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