美國參議院財政委員會6月16日審議通過《2025年美國競爭力稅收法案》草案,擬將半導體制造業(yè)投資稅收抵免比例從現(xiàn)行25%提升至30%,并延長清潔能源稅收優(yōu)惠政策。
根據(jù)草案內(nèi)容,參議院版本擬將半導體工廠投資的稅收抵免有效期延長至2026年底,抵免比例提高5個百分點至30%。此舉旨在激勵英特爾、臺積電、三星和環(huán)球晶圓等企業(yè)在美加速建廠。值得注意的是,該條款與共和黨眾議員克勞迪婭·坦尼(Claudia Tenney)此前提出的《建造先進半導體法案》中35%的抵免比例存在差異。
根據(jù)草案內(nèi)容,參議院版本擬將半導體工廠投資的稅收抵免有效期延長至2026年底,抵免比例提高5個百分點至30%。此舉旨在激勵英特爾、臺積電、三星和環(huán)球晶圓等企業(yè)在美加速建廠。值得注意的是,該條款與共和黨眾議員克勞迪婭·坦尼(Claudia Tenney)此前提出的《建造先進半導體法案》中35%的抵免比例存在差異。
目前法案推進仍面臨挑戰(zhàn)。參議院版本與眾議院草案在關(guān)鍵條款上存在分歧,可能引發(fā)共和黨內(nèi)部政策爭議。雖然特朗普政府曾表示希望廢除《芯片法案》,但兩黨議員普遍支持延續(xù)這項為選區(qū)創(chuàng)造高薪就業(yè)機會的政策。
主要受益企業(yè)動態(tài):
- 臺積電:已啟動亞利桑那州三廠建設(shè),整體六座新廠按計劃推進。公司此前向美商務(wù)部建議,通過稅收政策提升美國半導體制造競爭力。
- 環(huán)球晶圓:得州新廠一期開始產(chǎn)生營收,密蘇里州12英寸SOI晶圓廠獲06億美元補貼。若抵免比例上調(diào),其規(guī)劃的75億美元總投資將獲更多支持。
立法進程顯示,參議院力爭下周通過草案,目標在7月4日獨立日前與眾議院達成一致版本。但分析人士指出,兩院在稅收抵免比例、有效期等關(guān)鍵條款上的分歧可能影響立法進程。