揭秘AI PSU爆款方案：安森美SiC Combo JFET的硬核技術(shù)邏輯

安森美（onsemi）的UG4SC075005L8S在AI PSU設(shè)計(jì)中非常受歡迎，有助于實(shí)現(xiàn)下一代20 kW系統(tǒng)，以創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性，解決了AI領(lǐng)域大電流、高功率場(chǎng)景的核心痛點(diǎn)，為人工智能硬件的高效運(yùn)行與規(guī)?；瘮U(kuò)展提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐，具備顯著的行業(yè)革新價(jià)值。

SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

Combo JFET的設(shè)計(jì)旨在讓用戶(hù)能夠分別獨(dú)立控制MOSFET和SiC JFET的柵極。

超低導(dǎo)通電阻Rds(on)：采用SiC JFET技術(shù)，UG4SC075005L8S的導(dǎo)通電阻低至5mOhm，顯著降低導(dǎo)通損耗，提高能效。

更高的峰值電流(IDM)：峰值電流對(duì)于電路保護(hù)應(yīng)用至關(guān)重要，而高IDM的UG4SC075005L8S正是實(shí)現(xiàn)這一目的的理想選擇。電路保護(hù)應(yīng)用因其特定的工作條件而要求穩(wěn)健性和大電流穿越能力。

低熱阻RθJC：安森美的UG4SC075005L8S采用銀燒結(jié)裸片貼裝技術(shù)，與大多數(shù)焊接材料相比，界面導(dǎo)熱性能提高了六倍，從而在更小的裸片尺寸下實(shí)現(xiàn)相同甚至更低的結(jié)至外殼熱阻RθJC。低RθJC有助于保持較低的結(jié)溫，并確保更高的可靠性。

速度可控性：電路保護(hù)和多路并聯(lián)應(yīng)用的理想選擇。通過(guò)降低關(guān)斷速度來(lái)減少電壓過(guò)沖，可加強(qiáng)電路保護(hù)，尤其是短路保護(hù)。易于并聯(lián)，出色地平衡了開(kāi)關(guān)損耗和動(dòng)態(tài)電流平衡之間的性能。

結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用壽命長(zhǎng)，無(wú)參數(shù)漂移。

柵極驅(qū)動(dòng)兼容性：支持使用成熟的硅基晶體管驅(qū)動(dòng)器，無(wú)需專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，加快開(kāi)發(fā)速度。

安森美的UG4SC075005L8S憑借創(chuàng)新架構(gòu)與卓越性能，突破AI PSU設(shè)計(jì)瓶頸?，F(xiàn)在，它正角逐維科杯·OFweek 2025人工智能行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新力產(chǎn)品獎(jiǎng)，誠(chéng)邀您投出寶貴一票，讓這份創(chuàng)新力量被更多人看見(jiàn)。