碳化硅

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碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。收起

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  • 碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
    全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級(jí)的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會(huì)帶來(lái)一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。
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    04/24 10:05
    碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
  • 3家SiC企業(yè)透露進(jìn)展：芯片工廠投產(chǎn)、8英寸出貨量增加
    近日，“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn)，士蘭微、揚(yáng)杰科技、晶盛機(jī)電皆公布了2024年財(cái)務(wù)報(bào)告，在碳化硅業(yè)務(wù)方面透露了諸多信息：4月19日，士蘭微公布了2024年年度報(bào)告，其中透露：報(bào)告期內(nèi)，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入112.21億元，同比增長(zhǎng)20.14%；歸母凈利潤(rùn)2.2億元，比 2023 年增加2.56億元。
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  • 從本土突圍到全球布局，瑞能半導(dǎo)體攜創(chuàng)新方案亮相2025慕尼黑上海電子展
    日前，瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展（Electronica China 2025），全方位展示了其在碳化硅、IGBT、MOSFET等領(lǐng)域的最新突破成果。本次展會(huì)，瑞能半導(dǎo)體延續(xù)“高效、可靠、創(chuàng)新”的核心品牌理念，助力消費(fèi)電子、工業(yè)和大數(shù)據(jù)、可再生能源、汽車電子這四大核心應(yīng)用領(lǐng)域的高效發(fā)展。在全球能源轉(zhuǎn)型與智能化浪潮加速的背景下，瑞能半導(dǎo)體正成為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核
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  • 這家IGBT企業(yè)營(yíng)收達(dá)22億，增長(zhǎng)120%
    據(jù)“揚(yáng)州日?qǐng)?bào)”4月16日?qǐng)?bào)道，過(guò)去幾年揚(yáng)州市簽約落戶、開(kāi)工建設(shè)的一批制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，已經(jīng)或即將成長(zhǎng)為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的壓艙石，其中，比亞迪半導(dǎo)體在揚(yáng)州建設(shè)的功率半導(dǎo)體模組及晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目碩果累累。
  • 直擊慕展Day2｜“平臺(tái)化、智能化”雙驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈迎接全球新機(jī)遇
    在科技浪潮中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為核心支柱，正經(jīng)歷著深刻變革。一方面，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈，且國(guó)際政策環(huán)境復(fù)雜多變，供應(yīng)鏈穩(wěn)定性頻頻受擾，讓產(chǎn)業(yè)前行之路布滿荊棘。但另一方面，人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，又為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)辟了廣闊的市場(chǎng)空間。在此挑戰(zhàn)與機(jī)遇交織之際，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)走向備受矚目。 4月15日-17日舉行的慕尼黑上海電子展，Supplyframe四方維以“芯耀計(jì)劃”（Atlas
  • 近20家SiC企業(yè)齊聚，誰(shuí)將引領(lǐng)行業(yè)新風(fēng)向？
    4月15日至17日，慕尼黑上海電子展盛大舉行。本屆展會(huì)規(guī)?？涨?，吸引了來(lái)自全球的1800家展商參展。在本屆展會(huì)中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)成為亮點(diǎn)，多家廠商集中展示了其在高效能、新能源領(lǐng)域的突破性產(chǎn)品與技術(shù)，包括SiC功率模塊、GaN快充芯片以及相關(guān)應(yīng)用解決方案。這些技術(shù)憑借其高效率、低損耗的特性，正在推動(dòng)電動(dòng)汽車、工業(yè)電源等行業(yè)的快速發(fā)展。
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  • 意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)聲明
    意法半導(dǎo)體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監(jiān)事會(huì)對(duì) 4 月 9 日意大利媒體的報(bào)道作出三點(diǎn)評(píng)論： 關(guān)于公司管理委員會(huì)兩名成員在財(cái)報(bào)發(fā)布前夕進(jìn)行個(gè)人交易的指控不實(shí)。在公司股票封鎖期內(nèi)出售股票活動(dòng)是由公司股票計(jì)劃專員通過(guò)自動(dòng)程序完成的，遵守了瑞士企業(yè)管理委員會(huì)稅法規(guī)定，且合法合規(guī)，符合公司政策。在目前正在進(jìn)行的集體訴訟中，監(jiān)事會(huì)已審查相關(guān)流程，并認(rèn)為公司能夠?qū)@些指控進(jìn)行
  • 這家企業(yè)再次出售SiC業(yè)務(wù)？營(yíng)收近10億
    近日，半導(dǎo)體行業(yè)傳出一個(gè)重大股權(quán)出售案：SK集團(tuán)正在出售旗下SK Siltron經(jīng)營(yíng)權(quán)，交易估值高達(dá)248.5億人民幣。
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  • 碳化硅大廠對(duì)全球8座晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)/升級(jí)整合
    4月10日，意法半導(dǎo)體公布了一系列旨在重塑制造布局和調(diào)整全球成本基礎(chǔ)的全公司計(jì)劃，涵蓋了在先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域的投入、全球生產(chǎn)基地的優(yōu)化整合等多方面內(nèi)容。碳化硅市場(chǎng)風(fēng)云變化，除了意法半導(dǎo)體外，安森美作為行業(yè)內(nèi)的重要參與者，也面臨諸多挑戰(zhàn)，2024年第四季度的營(yíng)收數(shù)據(jù)已凸顯其面臨的困境，該公司隨即展開(kāi)了一系列措施變革。
    碳化硅大廠對(duì)全球8座晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)/升級(jí)整合
  • 賽力斯：800V碳化硅雙面散熱模塊設(shè)計(jì)方案公布
    近日，英國(guó)華威大學(xué)工程學(xué)院和重慶賽力斯鳳凰智創(chuàng)科技（ 賽力斯子公司 ）發(fā)表了一篇題為《基于碳化硅 MOSFET 的超低雜散電感雙面散熱無(wú)鍵合線半橋模塊設(shè)計(jì)》的論文。
    賽力斯：800V碳化硅雙面散熱模塊設(shè)計(jì)方案公布
  • 2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長(zhǎng)170%；單季600萬(wàn)顆
    新能源汽車和清潔能源市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)升溫。智新半導(dǎo)體和瀚薪科技作為行業(yè)內(nèi)的佼佼者，近期頻頻傳來(lái)訂單增長(zhǎng)的喜訊：
    2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長(zhǎng)170%；單季600萬(wàn)顆
  • 長(zhǎng)安深藍(lán)：碳化硅在增程汽車中大有可為
    插播：英諾賽科、能華半導(dǎo)體、致能科技、京東方華燦光電、鎵奧科技等已確認(rèn)參編《2024-2025氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，演講或攤位咨詢請(qǐng)聯(lián)系許若冰（hangjiashuo999）。
    長(zhǎng)安深藍(lán)：碳化硅在增程汽車中大有可為
  • 碳化硅器件
    碳化硅器件是一種基于碳化硅（SiC）材料制造的半導(dǎo)體器件，具有優(yōu)異的高溫、高頻、高電壓性能和耐輻照特性。碳化硅器件在功率電子、射頻通信、電動(dòng)汽車、可再生能源等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，被視為下一代半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展方向之一。本文將介紹碳化硅器件的概念、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域、制造工藝、優(yōu)勢(shì)。
  • 碳化硅igbt
    碳化硅（SiC）IGBT是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的絕緣柵極雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT），具有高溫耐受、高電壓和高頻率特性。碳化硅IGBT在功率電子領(lǐng)域中展現(xiàn)出了巨大的潛力，為能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電力應(yīng)用提供了更高效、更可靠的解決方案。本文將介紹碳化硅IGBT的工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用。

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