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  • DRAM,開啟30年“新賭局”
    DRAM制程如何突破?10nm?這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日,SK海力士帶來了它的答案。本周,2025年IEEE VLSI?研討會(huì)在日本東京舉行,會(huì)議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示,4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應(yīng)用于10nm及以下級(jí)內(nèi)存。
    DRAM,開啟30年“新賭局”

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