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• DRAM，開啟30年“新賭局”

  DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會(huì)在日本東京舉行，會(huì)議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應(yīng)用于10nm及以下級(jí)內(nèi)存。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  16小時(shí)前

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