為什么TSV電鍍填孔那么難？

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，點擊加入）里的學(xué)員問：為什么都說TSV填孔工藝難？難在哪里？TSV電鍍填孔基本情況？

1，高深寬比：TSV深可達(dá)50–150 μm，孔徑卻只有5–10 μm，深寬比>10:1。

2，孔內(nèi)壁復(fù)雜：內(nèi)壁存在臺階，由于采用博世工藝，會產(chǎn)生扇貝形狀。

TSV電鍍的難點？孔內(nèi)不能完全填實，有空洞TSV出現(xiàn)空洞的主要原因？

1，電流密度集中在孔口 → 孔口銅生長快 → 孔口金屬接觸，封口，形成空洞

2，孔內(nèi)電鍍液交互困難，舊的電鍍液無法及時排出，新的電鍍液又無法到達(dá)沉積界面，導(dǎo)致深孔內(nèi)電鍍質(zhì)量電鍍速率都比較差一些電鍍液添加劑的沉積原理？

抑制劑（Suppressor）：抑制表面銅沉積，孔口的銅沉積，孔壁的銅沉積

加速劑（Accelerator）：加速底部銅向上生長沉積

整平劑（Leveler）：使晶圓沉積的銅厚度一致，降低粗糙度

目前我們有cmp，光刻，鍍膜，鍵合，量檢測的技術(shù)群，如需進(jìn)群，請加Tom微，防失聯(lián)：