芯耀
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高質(zhì)量的材料制備是一切器件研究的核心與基礎(chǔ),本篇文章主要講述MBE的原理及制備過程?
一、分子束外延系統(tǒng)
MBE是一種超高真空設(shè)備,主要在超高真空環(huán)境中將單質(zhì)元素以熱蒸發(fā)的方式直接噴射到襯底表面,實(shí)現(xiàn)外延材料的生長(zhǎng)制備,相比于氫化物氣相外延(HVPE)和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD),采用MBE技術(shù)的外延生長(zhǎng)是一種更加遠(yuǎn)離平衡態(tài)生長(zhǎng)模式,具有很多獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)?
(a)生長(zhǎng)溫度低,有效避免界面原子的互擴(kuò)散;
(b)生長(zhǎng)速度低,實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的沉積速度,有利于新型結(jié)構(gòu)的制備;
(c)超高真空,大大降低外延過程中雜質(zhì)的非故意摻雜,提高了材料的質(zhì)量和純度?
因此,在單原子層?短周期數(shù)字合金?超晶格?量子點(diǎn)?量子盤?納米線等新型結(jié)構(gòu)的研制方面具有顯著優(yōu)勢(shì)?
二、分子束外延系統(tǒng)簡(jiǎn)介
上世紀(jì)70年代,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的卓以和(A.Y.Cho)等人研制出MBE系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)材料制備的原子級(jí)操縱?為表彰卓以和在MBE領(lǐng)域的開創(chuàng)性工作,曾兩度授予美國(guó)國(guó)家科學(xué)獎(jiǎng)?wù)?被評(píng)為美國(guó)科學(xué)院?工程院?科學(xué)與藝術(shù)三院院士,以及中國(guó)科學(xué)院外籍院士,因此卓以和被稱為“分子束外延之父”?
分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE),主要用來描述化合物半導(dǎo)體薄膜的外延生長(zhǎng),涉及到單個(gè)或者多個(gè)熱分子束在超高真空中結(jié)晶化的相互作用?
MBE雖與真空蒸鍍相關(guān),但是提供了一種更高級(jí)的入射原子或者分子束控制方法,可以實(shí)現(xiàn)不同種類束流的快速切換?
MBE研制的初衷,是為了實(shí)現(xiàn)GaAs/AlGaAs超晶格結(jié)構(gòu),在這種結(jié)構(gòu)中,阱層厚度不足10A?與傳統(tǒng)的生長(zhǎng)技術(shù)相比,采用MBE方法既可以實(shí)現(xiàn)超薄層的陡峭界面,增強(qiáng)載流子的限制作用,又可實(shí)現(xiàn)摻雜原子在縱向梯度?濃度的任意可調(diào)?而且,無論晶格失配是小(<2-3%)還是大,MBE的生長(zhǎng)機(jī)制都既適合原子級(jí)界面平整的二維結(jié)構(gòu),也適合納米島狀的三維結(jié)構(gòu)(用于限制載流子)?
從研制初期到現(xiàn)在,MBE已經(jīng)成為一種在各種髙級(jí)功能半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料中廣泛使用的薄膜外延生長(zhǎng)技術(shù)?
除了GaAs?AlGaAs?GaP?GaN等III-V族砷化物?磷化物?氮化物半導(dǎo)體薄膜,還拓展到了II-VI族?IV族半導(dǎo)體薄膜,甚至金屬膜?超導(dǎo)膜及介質(zhì)膜的生長(zhǎng)制備?
近幾十年來,MBE技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體材料科學(xué)?半導(dǎo)體物理學(xué)?半導(dǎo)體信息科學(xué)等方向起到了十分積極的推動(dòng)作用,已經(jīng)成為微電子?固體電子?光電子?超導(dǎo)電子及真空電子技術(shù)的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)?在光電器件?功率器件?新型量子結(jié)構(gòu)?二維晶體?納米材料等領(lǐng)域具有極其廣泛的應(yīng)用前景?
三、分子束外延系統(tǒng)原理
一般而言,MBE系統(tǒng)分為真空系統(tǒng)?生長(zhǎng)系統(tǒng)?原位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)以及其他系統(tǒng)?
(1)真空系統(tǒng)
MBE就其本質(zhì)而言,它是一套真空系統(tǒng),工作在超高真空環(huán)境下?真空系統(tǒng)的主要目的在于維持超高真空的生長(zhǎng)環(huán)境,由真空腔室?閥門?真空泵?真空檢測(cè)系統(tǒng)構(gòu)成?
真空腔室:主要有進(jìn)樣腔室?準(zhǔn)備腔室?生長(zhǎng)腔室三部分,不同的腔室之間采用真空閥門連接?此外,每個(gè)腔室都有配套的真空閥門連接不同的真空泵?
根據(jù)不同的系統(tǒng)要求,各個(gè)腔室對(duì)真空級(jí)別的要求也不盡相同,其中生長(zhǎng)腔室對(duì)真空度要求最高,一般低于10E-12torr,Prep腔室要求次之,一般為10E-10Torr級(jí)別,而LL腔室由于需要頻繁與外界相通,對(duì)真空要求最低,但仍然約為10E-8-10E-9Torr?
真空閥門:大小?型號(hào)有相應(yīng)的系統(tǒng)要求,需要注意的是,不同的系統(tǒng)需要不同的閥門來開關(guān)?密封,選擇閥門需要考慮眾多因素,比如耐高溫屬性?不同的耐高溫要求,就要選擇不同的密封圈,常見的密封圈有無氧橡膠密封圈和金屬密封圈等?
真空泵:是維持腔室超高真空的“主力軍”?根據(jù)系統(tǒng)要求,可配置不同等級(jí)的真空泵,如機(jī)械泵?分子泵?離子泵和冷凝泵等?
機(jī)械泵也有很多種類,對(duì)于超高真空的MBE系統(tǒng)而言,一般選擇無油機(jī)械泵,以免造成腔室的污染?機(jī)械泵一般作為前級(jí)泵來使用,工作范圍(入口壓力)從大氣壓到低真空(10E3-10E-3Torr)?分子泵則是通過高速旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子(動(dòng)葉片)與氣體分子相互碰撞,給氣體分子一定的動(dòng)量,逐漸驅(qū)離向排氣口?由于轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速非常高,可達(dá)40000r/min甚至更高,所以分子泵的啟動(dòng)時(shí)間較長(zhǎng),逐級(jí)加速;而且,正常工作時(shí)氣體分子處于分子流的狀態(tài)(因此被稱為分子泵),所以需要配備前級(jí)泵-機(jī)械泵?氣體分子被驅(qū)離到排氣口,經(jīng)過前級(jí)泵排向大氣?分子泵作為二級(jí)真空泵,通常工作于中高真空(10E-1~10E-10Torr)的范圍,入口壓力不能高于10E-1Torr?
離子泵和冷凝泵則屬于三級(jí)真空泵?
離子泵的工作原理是陰?陽極加上高壓,激發(fā)的場(chǎng)發(fā)射電子,在電磁場(chǎng)作用下,電子做螺旋運(yùn)動(dòng),這種運(yùn)動(dòng)大大增加了與氣體分子碰撞的幾率,產(chǎn)生離子,引起雪崩效應(yīng),正離子在電場(chǎng)作用下,被鈦陰極吸附,從而減少氣體分子的數(shù)量,達(dá)到“泵”的作用?
有些離子泵含有鈦升華泵的功能,正離子轟擊鈦陰極后?濺射出來的鈦原子落在陽極上,形成新鮮的鈦膜,活氣體與新鮮鈦膜反應(yīng)生成化合物,化學(xué)吸附在陽極?離子泵一般工作在10E-6Torr以下的高真空環(huán)境中?
冷凝泵(有時(shí)簡(jiǎn)稱為冷泵)是利用低溫表面冷凝氣體的真空泵?通過壓縮機(jī),將高壓氦氣壓縮到冷凝泵的內(nèi)腔中,高壓氦氣瞬間膨脹,根據(jù)熱力學(xué)原理,近似絕熱環(huán)境中,體積增大,溫度降低,使冷凝泵的內(nèi)腔室表面溫度極低,氣體分子被冷凝吸附于內(nèi)壁上,從而提高真空度?是目前抽氣速率最大?極限壓力最低的真空泵?工作于10E-5Torr以下的真空環(huán)境中,極限壓力可達(dá)10E-13Torr?
真空檢測(cè)系統(tǒng):真空檢測(cè)系統(tǒng)主要有測(cè)量和分析兩種?
真空的測(cè)量主要采用真空計(jì),不同的真空計(jì)有不同的量程,且需要在不同氣體下進(jìn)行標(biāo)定?根據(jù)真空測(cè)量原理所利用的不同機(jī)制,將真空計(jì)分為三大類,分別是利用熱學(xué)性能?利用氣體動(dòng)力學(xué)效應(yīng)和利用帶電粒子效應(yīng)的真空計(jì)?
對(duì)于MBE系統(tǒng),用的最多的是利用帶電粒子效應(yīng)的真空計(jì)-電離真空計(jì)(也叫電離規(guī)管,簡(jiǎn)稱電離規(guī))?
電離真空計(jì)(三極管型)的量程可達(dá)10E-3~10E-8Torr,超高真空B-A型量程可達(dá)10E-4~10E-9Torr,極高真空用熱陰極磁控計(jì)的量程可達(dá)10E-7~10E-12Torr?不同的真空度需要多個(gè)真空計(jì)聯(lián)合使用?
真空的分析設(shè)備剩余氣體分析系統(tǒng)(residual gas analysis, RGA)主要在真空度受到影響時(shí)分析氣體成分所用,一般用于檢漏?
采用MBE正常生長(zhǎng)時(shí),真空度約為10E-5~10E-6Torr,此時(shí)根據(jù)熱力學(xué)定律,氣體的平均自由程約為5-50m,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于腔室尺寸?生長(zhǎng)所需源材料可以直接沉積到襯底表面,中間不會(huì)彼此發(fā)生碰撞,這就是“分子束”的由來?
(2)生長(zhǎng)系統(tǒng)
MBE的生長(zhǎng)系統(tǒng)包括樣品傳輸系統(tǒng),源爐系統(tǒng),主臺(tái)(main stage)控制系統(tǒng),液氮冷凝系統(tǒng)等?
樣品傳輸系統(tǒng):主要負(fù)責(zé)襯底或者樣品進(jìn)出腔室?襯底首先放入LL腔室,待達(dá)到一定的真空度后,傳輸?shù)絇rep腔室?Prep腔室位于LL腔室和Growth腔室之間,主要功能是對(duì)襯底進(jìn)行生長(zhǎng)之前的預(yù)處理?為了保證真空度不被破壞,傳送桿一律采用磁耦合的方式將外部磁環(huán)與內(nèi)部傳送桿關(guān)聯(lián),推拉磁環(huán),內(nèi)部傳送桿就會(huì)執(zhí)行相應(yīng)的前進(jìn)與后退等操作?
襯底在進(jìn)入Growth腔室之前,一般會(huì)在Prep腔室進(jìn)行預(yù)熱,采用高溫除氣的方式去除襯底表面的水汽等其他雜質(zhì),潔凈后再傳入Growth腔室內(nèi)?
源爐系統(tǒng):包含源爐和相應(yīng)的“快門”(shuter)?
源爐包括熱蒸發(fā)源(Knudsen cell,K-cell)?電子束(E-beam)蒸發(fā)源和等離子體源(Plasma Source)等?
K-cell的主要部分分為加熱絲和坩堝及其支撐系統(tǒng)?根據(jù)加熱絲的數(shù)量,K-cell又分為單加熱絲和雙加熱絲,雙加熱絲多了一個(gè)K-cell頂部的一個(gè)加熱絲,用于給不同的源加熱?
坩堝用來存放高純度源材料,如Al?Ga?In?Si?Ge?Mg?Fe等,通過控制坩堝的溫度可以調(diào)節(jié)相應(yīng)源材料的束流大小;通過對(duì)各個(gè)shuter狀態(tài)(開?關(guān))的控制,則可以實(shí)現(xiàn)不同結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)?
坩堝一般采用藍(lán)寶石或熱解氮化硼(PBN)鑄造,因?yàn)檫@兩者純度高?熔點(diǎn)高?飽和蒸氣壓極低,高溫下本身不會(huì)被蒸發(fā),即不會(huì)對(duì)外延薄膜造成影響?
電子束蒸發(fā)源主要用于較難蒸發(fā)的低蒸氣壓材料的蒸鍍?
源材料置于水冷坩堝中,坩堝一般由金屬構(gòu)成,如鎢?鉬?鉭?銅等?電子束在電場(chǎng)作用下加速,經(jīng)過磁場(chǎng)聚焦和偏轉(zhuǎn),對(duì)源材料轟擊加熱,使源材料的原子或分子從表面直接汽化后入射到襯底表面?
電子束蒸發(fā)源由于具有強(qiáng)大的電子束源,因此需要配有專門的高壓源?
等離子體源則主要用于氮源等，通常需要采用射頻(radio frequency, RF)方法獲得原子的氣體?其有效束流可以通過質(zhì)量流量控制器(mass flow controller, MFC)和射頻發(fā)生器功率進(jìn)行調(diào)節(jié)?
主臺(tái)控制系統(tǒng):主要用于對(duì)襯底進(jìn)行操作?
襯底從Prep腔室傳到Growth腔室后,被主臺(tái)接收,然后可以進(jìn)行升降?加熱?旋轉(zhuǎn)等操作?
主臺(tái)控制是一套極其巧妙?精致?復(fù)雜的系統(tǒng),需要在保證超高真空的前提下,不停地執(zhí)行高低溫切換?動(dòng)態(tài)旋轉(zhuǎn)等動(dòng)作,其溫度變化參數(shù)?旋轉(zhuǎn)位置及轉(zhuǎn)速都可精確調(diào)控?
主臺(tái)的位置也極其講究,其與cell口的距離和角度要經(jīng)過準(zhǔn)確的計(jì)算與安裝,否則會(huì)對(duì)外延薄膜的質(zhì)量?組分?厚度?均勻性等產(chǎn)生極大影響?
主臺(tái)一般都伴隨著一個(gè)主開關(guān)(main shuter),用于快速切斷所有束流?
液氮冷凝系統(tǒng):主要由冷阱(cold trap)?液氮系統(tǒng)組成,用于冷卻設(shè)備?消除cell熱影響?提高真空度?
它運(yùn)行時(shí),液氮從液氮塔經(jīng)絕熱真空金屬管輸送到腔體內(nèi)的冷阱,冷阱吸收腔室熱量以后,液氮汽化成低溫氮?dú)?經(jīng)過管道排放到室外?薄膜制備時(shí),系統(tǒng)處于高功率?高負(fù)荷狀態(tài),會(huì)產(chǎn)生大量能量,如不及時(shí)進(jìn)行冷卻,會(huì)造成腔體溫度的升高,進(jìn)而影響真空度,造成薄膜質(zhì)量下降,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?duì)設(shè)備造成永久性傷害?而液氮冷凝系統(tǒng)則會(huì)對(duì)設(shè)備起到很好的保護(hù)作用,相當(dāng)于設(shè)備的“空調(diào)”?除此之外,還可消除不同cell之間的相互熱影響?不同的cell在工作時(shí)的溫度不盡相同,有些高達(dá)1200℃,甚至更高,有些則只是室溫,為避免彼此之間的熱影響,需要很好的絕熱,而充滿液氮的冷阱則很好的起到了這個(gè)作用?同時(shí),冷阱的表面溫度極低,一些氣體分子能夠在其表面凝聚,將真空度提高一至二個(gè)數(shù)量級(jí),有利于降低外延薄膜的雜質(zhì)并入,提尚晶體質(zhì)量?
(3)原位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
MBE的原位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是根據(jù)不同的需求而配置的,必備的有束流監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(Beam Flux Monitor, BFM),反射高能電子衍射(Reflection High-Energy Electron Diffraction, RHEED),選裝的有IS4K,激光反射譜,X射線光電子譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS),橢偏儀(Spectroscopic Ellipsometry, SE),同軸碰撞離子散射譜(Coaxial Impact Collision Ion Scatering Spectroscopy, CAICISS)等等?
束流監(jiān)測(cè)系統(tǒng):位于主臺(tái)襯底表面附近,用于監(jiān)測(cè)各個(gè)cell源材料的束流?
由于束流大小無法直接測(cè)量,通常使用束流等效壓強(qiáng)(Beam Equivalent Pressure, BEP)來表示,所以束流監(jiān)測(cè)系統(tǒng)本質(zhì)是一個(gè)真空計(jì)?使用時(shí),將其傳動(dòng)到要測(cè)試束流的位置,記錄此時(shí)的一個(gè)背景壓強(qiáng)Pi,然后打開要測(cè)試束流的cell shutter,穩(wěn)定后,顯示的壓強(qiáng)為P2,則實(shí)際束流等效壓強(qiáng)P=P2-P1?
反射高能電子衍射:主要用于薄膜生長(zhǎng)時(shí)表面原子排列的實(shí)時(shí)檢測(cè),是MBE常用的原位監(jiān)測(cè)手段之一,因其方便?可靠?及時(shí)?有效?靈敏等特點(diǎn),常被用來實(shí)時(shí)分析薄膜表面形貌?
使用時(shí)需要將焚光屏前面的shuter打開,但是不可長(zhǎng)期打開,因?yàn)榍粌?nèi)充斥的原子會(huì)在其屏幕表面凝結(jié),降低熒光屏靈敏性,嚴(yán)重時(shí)造成RHEED無法顯示?所以查看?記錄RHEED圖案后要及時(shí)關(guān)閉熒光屏的shuter?
(4)其他系統(tǒng)
除了上述三大系統(tǒng),MBE的正常工作還需要冷卻水循環(huán)系統(tǒng)?機(jī)電控制系統(tǒng)?不間斷電源系統(tǒng)(UPS)?氣路系統(tǒng)及其他系統(tǒng)等?
冷卻水循環(huán)系統(tǒng):主要用于各個(gè)cell port?main stage?prep腔室加熱臺(tái)?plasma sources以及各個(gè)分子泵的冷卻,有些plasma matching box在風(fēng)冷的基礎(chǔ)上也要再加上水冷,保證設(shè)備各個(gè)系統(tǒng)能夠平穩(wěn)有效地運(yùn)行?
此外,冷泵的壓縮機(jī)也需要冷卻水才可以實(shí)現(xiàn)正常工作?冷卻水循環(huán)系統(tǒng)的室外機(jī)部分要定期清理,以防散熱出現(xiàn)問題導(dǎo)致設(shè)備異常,而且,冷卻水也要定期更換,防止對(duì)設(shè)備水路管道造成侵蝕?
機(jī)電控制系統(tǒng):作為MBE系統(tǒng)的一部分,機(jī)電控制系統(tǒng)全面控制著設(shè)備所有的電氣化設(shè)備,如各個(gè)閥門的開關(guān)?泵的啟動(dòng)關(guān)閉?源溫設(shè)定?真空監(jiān)測(cè)顯示?Interlock設(shè)置等等,對(duì)MBE設(shè)備的控制至關(guān)重要?
不間斷電源系統(tǒng):所有連接MBE設(shè)備的市電首先需要經(jīng)過UPS,然后再供應(yīng)給設(shè)備端?這是由于,作為高真空設(shè)備,MBE要隨時(shí)保持在超高真空狀態(tài),遇到一些特殊情況需要停機(jī)時(shí),是需要一定的時(shí)間來進(jìn)行停機(jī)操作的?而當(dāng)出現(xiàn)緊急情況(如無法預(yù)知的停電或者預(yù)知的短時(shí)間停電)時(shí),可以依靠UPS系統(tǒng)來爭(zhēng)取停機(jī)操作所需要的時(shí)間,避免突然宕機(jī)對(duì)設(shè)備造成損傷,有利于MBE設(shè)備的日常維護(hù)?
氣路系統(tǒng):根據(jù)設(shè)備的要求,接入MBE設(shè)備的氣路分為很多種,根據(jù)氣源,可分為N2?02?H2?Ar2氣路等?其中N2是使用最多的氣體,經(jīng)過高純凈化器(可以凈化到6N以上級(jí)別)以后,可以作為外延材料的N源使用?同時(shí)設(shè)備的閥門都是氣動(dòng)閥門,包括cell的shutter開關(guān),泵及腔體的vent氣路使用的也是N2?其他氣體一般用于生長(zhǎng)?摻雜或者輔助起輝等?
其他系統(tǒng)如觀察窗系統(tǒng)?風(fēng)冷系統(tǒng)?軟件系統(tǒng)等就不再一一介紹?
四、氮化物的分子束外延原理
(1)分子束外延生長(zhǎng)階段
MBE設(shè)備是在超高真空環(huán)境下(10E-6Torr),將外延薄膜所需要的源材料通過高溫?裂解等方式激活成具有一定活性的原子或分子?
經(jīng)cell坩堝頂部的小孔準(zhǔn)直以后,以原子或分子的方式沉積到襯底表面,襯底的溫度由溫控系統(tǒng)控制?通過控制不同cell頂部的shutter開關(guān)順序,不同原子或分子在襯底表面交替沉積,最終實(shí)現(xiàn)特定薄膜結(jié)構(gòu)的周期式“生長(zhǎng)”?
具體的分子束外延過程,可用下面五個(gè)階段來示意:
1)?沉積(Deposition):
具有一定活性的原子或者分子自cell的坩堝噴射出來以后,經(jīng)過不發(fā)生任何碰撞的超高真空區(qū)沉積在襯底表面,然后在襯底表面形成吸附原子(Adatoms)或者吸附分子?
2)?擴(kuò)散(Diffusion):
到達(dá)表面的吸附原子或者分子在本身具有的活性以及高溫襯底提供的能量下,實(shí)現(xiàn)裂解并在表面擴(kuò)散遷移?
3)?成核(Nucleation):
實(shí)際的襯底表面并非理想表面,會(huì)有很多晶格的平臺(tái)空位(Terrace Vacancy)?扭結(jié)(Kink)?臺(tái)階(Step)?臺(tái)階吸附原子(Step Adatom)?吸附原子(Adatom)等,這些位點(diǎn)的表面能較低,表面吸附的原子會(huì)擴(kuò)散遷移至這些位置進(jìn)行外延生長(zhǎng)?
4)?解吸附(Desorption):
未進(jìn)入上述位點(diǎn)并入晶格的吸附原子或分子,吸收能量以后從表面解吸附再蒸發(fā)脫離表面進(jìn)入超高真空去?
5)?液滴(Droplets):
既未并入晶格也未解吸附進(jìn)入超高真空區(qū)的金屬原子在團(tuán)簇之后逐漸聚集,最終在表面形成大的金屬液滴,這些液滴會(huì)改變分子束外延的生長(zhǎng)行為?
五、分子束外延生長(zhǎng)模式
在晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)中,多數(shù)進(jìn)行異質(zhì)外延,即外延薄膜和襯底之間不是同一種物質(zhì),而且存在一定的晶格失配?生長(zhǎng)過程中,根據(jù)外延薄膜的應(yīng)力釋放方式和時(shí)機(jī),外延生長(zhǎng)模式分為三種:
1)?層狀生長(zhǎng)模式(Layer by Layer,LBL):
外延薄膜在生長(zhǎng)過程中,由于晶格失配,應(yīng)力(彈性勢(shì)能)隨著膜厚的增加而逐漸增大,但仍然維持二維生長(zhǎng)的模式,此時(shí)積累的應(yīng)力通過位錯(cuò)(線位錯(cuò)或者面位錯(cuò))的方式進(jìn)行釋放,使二維模式得以繼續(xù),獲得平整的外延膜表面?
2)?層狀-島狀模式(Stranski-Krastanov,SK):
外延薄膜在生長(zhǎng)初期,是二維生長(zhǎng)的模式,表面平整;達(dá)到一定厚度(根據(jù)晶格失配度不同,從兩三個(gè)原子層到幾十個(gè)原子層不等)之后,應(yīng)力達(dá)到薄膜承受的臨界值,彈性勢(shì)能最大,為了釋放積累的應(yīng)力,薄膜轉(zhuǎn)為三維島狀生長(zhǎng)的模式?
3)?島狀生長(zhǎng)模式(Volmer-Weber,VW):
外延薄膜在生長(zhǎng)初期即以三維模式進(jìn)行,最大程度的釋放應(yīng)力,此時(shí),表面極為粗糙,一般用于特殊結(jié)構(gòu)或者特殊用途。
不同的生長(zhǎng)模式具有不同的研究意義,超高真空和低溫低速可控生長(zhǎng)是MBE的標(biāo)簽,利用這些特性,可以實(shí)現(xiàn)很多特殊的新型二維?三維結(jié)構(gòu)?
在LBL模式中,可以實(shí)現(xiàn)量子阱?超晶格?數(shù)字合金等一些原子級(jí)厚度的二維結(jié)構(gòu)?而SK和VW生長(zhǎng)模式,則可以在一些新型納米結(jié)構(gòu),如量子點(diǎn)?納米線?納米柱?納米孔?納米花等,這些新型結(jié)構(gòu)對(duì)我們深入理解微觀世界的物理機(jī)制,尤其是對(duì)新型物理現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)與研究有著極其重要的意義?
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參考文獻(xiàn)：
(1)鄭顯通?分子束外延InGaN合金及其光電導(dǎo)行為研究[D].
(2)吳杰 Ⅲ-Ⅵ族二維碲化物分子束外延生長(zhǎng)及其性質(zhì)研究[D].(3)黃敏?新型InAs_GaAsSb_類超晶格長(zhǎng)波紅外探測(cè)器研究[D].(4)吳耀政?GaN基材料的分子束外延及其發(fā)光器件的制備與表征[D].(5)李雪飛?基于異質(zhì)外延的短波紅外InGaAs材料生長(zhǎng)及物性研究[D].
