美光宣布，在美建設(shè)第二座先進(jìn)存儲(chǔ)器制造工廠

美光科技（Micron Technology）近日宣布，將斥資2000億美元大舉投資美國本土，旨在顯著提升其DRAM制造與研發(fā)能力，并將先進(jìn)的高帶寬內(nèi)存（HBM）封裝技術(shù)引入美國。HBM市場的競爭正愈演愈烈，美光加速HBM4研發(fā)的同時(shí)，三星則在HBM3E認(rèn)證上面臨挑戰(zhàn)。此外，美國本土多個(gè)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目近期遭遇了當(dāng)?shù)丨h(huán)境審批和社區(qū)異議帶來的延誤，這促使美國當(dāng)?shù)厮妓餍碌慕鉀Q方案。

01、美光科技追加投資建廠，擴(kuò)建升級(jí)舊廠，HBM先進(jìn)封裝引入美國

6月12日，美光科技宣布，計(jì)劃大幅擴(kuò)大其在美國本土的投資，專注于領(lǐng)先DRAM制造和研發(fā)。

根據(jù)此次公告，美光計(jì)劃在其此前投資規(guī)劃的基礎(chǔ)上，再增加約300億美元的投資（預(yù)計(jì)總額將達(dá)到約2000億美元），在愛達(dá)荷州博伊西建設(shè)第二座領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造工廠；并對弗吉尼亞州馬納薩斯的現(xiàn)有制造工廠進(jìn)行現(xiàn)代化改造和擴(kuò)建；以及將先進(jìn)的HBM高帶寬內(nèi)存封裝能力引入美國本土，以支持AI市場帶來的長期增長需求。此外，美光還計(jì)劃在本土研發(fā)領(lǐng)域投入500億美元，進(jìn)一步鞏固其作為全球存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的長期地位。

此前，美光已宣布在紐約建設(shè)一座大型晶圓廠的計(jì)劃。截至目前，美光在美國的廣泛擴(kuò)張計(jì)劃涵蓋了愛達(dá)荷州的兩座先進(jìn)制造工廠、紐約州最多四座先進(jìn)制造工廠、弗吉尼亞州現(xiàn)有工廠的擴(kuò)建與現(xiàn)代化升級(jí)、先進(jìn)的HBM封裝能力以及旨在推動(dòng)美國創(chuàng)新和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的研發(fā)投入。這些投資旨在滿足預(yù)期的市場需求，維持市場份額，并支持美光將40%的DRAM產(chǎn)能在美國本土生產(chǎn)的目標(biāo)。

值得注意的是，美光在愛達(dá)荷州的兩座晶圓廠與其在當(dāng)?shù)氐难邪l(fā)業(yè)務(wù)協(xié)同形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)，將大大加速包括HBM在內(nèi)的尖端產(chǎn)品的上市時(shí)間。目前，美光在愛達(dá)荷州的首座晶圓廠已實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵建設(shè)里程碑，DRAM產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2027年開始量產(chǎn)。同時(shí)，美光預(yù)計(jì)將在完成州和聯(lián)邦環(huán)境審查程序后，于今年晚些時(shí)候開始紐約新廠的地面準(zhǔn)備工作。美光預(yù)計(jì)愛達(dá)荷州的第二座晶圓廠將早于紐約的首座晶圓廠投產(chǎn)。

據(jù)悉，美光預(yù)計(jì)其所有美國投資都將符合“先進(jìn)制造投資抵免（AMIC）”的條件，并且公司已獲得了地方、州和聯(lián)邦層面的支持，其中包括《芯片法案》高達(dá)64億美元的直接撥款。

02、HBM競速，美光與三星加速追趕

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，由于需求強(qiáng)勁，TrendForce集邦咨詢預(yù)估2026年HBM市場總出貨量預(yù)計(jì)將突破30Billion Gb，HBM4的市占率則隨著供應(yīng)商持續(xù)放量而逐季提高，預(yù)計(jì)于2026年下半年正式超越HBM3e系列產(chǎn)品，成為市場主流。至于供應(yīng)商表現(xiàn)，預(yù)期SK hynix將以過半的市占率穩(wěn)居領(lǐng)導(dǎo)地位，Samsung與Micron（美光科技）仍待產(chǎn)品良率與產(chǎn)能表現(xiàn)進(jìn)一步提升，才有機(jī)會(huì)在HBM4市場迎頭趕上。

目前美光和三星紛紛在HBM新品上發(fā)力。6月10日，美光披露其已成功將其12層堆疊的36GB HBM4產(chǎn)品送樣給多家主要客戶，這一消息表明美光在下一代HBM技術(shù)上正加速縮小其與行業(yè)領(lǐng)先者SK海力士的差距。美光強(qiáng)調(diào)，其HBM4內(nèi)存具備2048位元界面，每個(gè)內(nèi)存堆疊的傳輸速率超過2.0 TB/s，性能較前一代產(chǎn)品提升逾60%。該產(chǎn)品旨在賦能下一代AI平臺(tái)，并計(jì)劃于2026年量產(chǎn)，以配合客戶AI平臺(tái)的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度。

在當(dāng)前主流的HBM3E市場，美光也取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。根據(jù)美光科技2025財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)會(huì)議紀(jì)要及相關(guān)行業(yè)分析報(bào)告，其HBM3E 8H已成功應(yīng)用于英偉達(dá)的GB200平臺(tái)，而12層堆疊的HBM3E 12H則將應(yīng)用于GB300。美光在2025財(cái)年第二季度已開始向其第三大HBM3E客戶批量出貨，并預(yù)計(jì)未來將增加更多客戶。公司樂觀預(yù)測，2025財(cái)年HBM收入將達(dá)到數(shù)十億美元。

三星電子作為存儲(chǔ)器行業(yè)的另一巨頭，也在HBM市場積極布局。但據(jù)韓媒最新消息，三星在今年6月進(jìn)行的第三次英偉達(dá)（NVIDIA）12層HBM3E產(chǎn)品認(rèn)證未能通過。下一次認(rèn)證已定于2025年9月進(jìn)行。目前關(guān)于此消息，三星還未給予回應(yīng)。

據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星正在對內(nèi)部架構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，并加速下一代技術(shù)的研發(fā)與服務(wù)模式的創(chuàng)新。據(jù)悉，DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉正在將三星HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn)HBM、定制化HBM、HBM產(chǎn)品工程（PE）及HBM封裝等團(tuán)隊(duì)。這表明三星正從戰(zhàn)略層面更精細(xì)化地管理其HBM業(yè)務(wù)，尤其對定制化HBM寄予厚望，以滿足特定客戶的差異化需求，并在競爭中尋求突破點(diǎn)。

此外，根據(jù)三星代工論壇（SFF）披露的信息及三星財(cái)報(bào)會(huì)議，其HBM4的開發(fā)細(xì)節(jié)如期推進(jìn)，并已與多家客戶洽談供應(yīng)定制HBM4，預(yù)計(jì)將于2026年開始商業(yè)供應(yīng)。此外三星正積極推進(jìn)下一代HBM4的開發(fā)和商業(yè)化，該公司已如期推出3D HBM封裝服務(wù)，試圖通過先進(jìn)的封裝技術(shù)來提升其在AI芯片價(jià)值鏈中的競爭力，爭取在高端市場取得突破。

03、美國多個(gè)芯片制造項(xiàng)目延期，當(dāng)?shù)靥剿餍虏呗?/strong>