芯耀
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之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點及導(dǎo)通特性（參考閱讀：CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述，CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析），今天我們分析一下在軟開關(guān)和硬開關(guān)兩種場景下，如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。
G2在硬開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用
除了RDS(on)，開關(guān)損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工作在非常高的開關(guān)頻率，尤其在硬開關(guān)拓?fù)渲校_關(guān)損耗的占比可達60%以上。這時使用開關(guān)損耗更低的G2來代替G1，會取得明顯的系統(tǒng)優(yōu)勢。下面我們通過MPPT boost電路的仿真實例來看一下。
仿真電路:
26A MPPT仿真條件:
仿真邊界條件設(shè)置為Tvj,max<140℃，G2允許175℃的連續(xù)運行結(jié)溫，及200℃/100h的過載結(jié)溫，這里留了比較大的余量。
使用40mΩ G1對比40mΩ和53mΩ的G2，可以看到，40mΩ G2總損耗與40mΩ G1持平，結(jié)溫高約1.9℃(112.1℃-->124℃)。如果使用53mΩ G2，損耗大幅增加，結(jié)溫增加到141.4℃。但G2允許更小的門極電阻，如果將Rg降低到2.3Ω(數(shù)據(jù)手冊推薦值)，則53mΩ G2的結(jié)溫會降低至137.1℃。
32A MPPT仿真條件：
在這種應(yīng)用情景下，34mΩ G2與40mΩ G1損耗與結(jié)溫基本持平，如果換用40mΩ G2，結(jié)溫會升高約8℃。但這種升高的結(jié)溫可以用降低門極驅(qū)動電阻Rg來進行補償。將Rg從4.7Ω降低到2.3Ω，40mΩ G2結(jié)溫將會降低到139.4℃，與40mΩ G1非常接近。
通過對MPPT系統(tǒng)的仿真分析，我們可以看到，在硬開關(guān)系統(tǒng)應(yīng)用，因為開關(guān)損耗占比較高，導(dǎo)通損耗占比較低，G2對G1的替換策略依賴于不同的場景：
1
特定條件下（如26A MPPT），可使用同等導(dǎo)通電阻替換，比如40mΩ G2替換40mΩ G1,可維持相同的損耗與結(jié)溫，如果用34mΩ G2替換40mΩ G1，可以使得系統(tǒng)損耗和器件溫度降低，進而提高功率密度，冷卻需求減少。
2
部分場景中，如更大電流的MPPT，或者buck-boost中，可以使用更低Rdson的G2，來替換Rdson高一檔的G1。比如在32A MPPT中，可使用34mΩ G2替換40mΩ G1。也可對G2采用更低的門極電阻來降低損耗，這種情況下可使用40mΩ G2替換40mΩ G1。
G2在軟開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用
在LLC等軟開關(guān)拓?fù)渲?，因為能實現(xiàn)零電壓開通，所以功率器件只有導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，而沒有開通損耗。因此對LLC來說，導(dǎo)通損耗所占比重更大。
對20kW LLC典型工況進行仿真：
■?MOSFET: IMZC120R034M2H / IMZA120R040M1H，4并
■?最大輸出功率, Po,max: 20kW
■?諧振頻率fr: 100kHz
■?DC 輸入電壓, VIN: 800V
■?DC 輸出電壓, VOUT?: 300V
■?死區(qū)時間,DT: 300ns
仿真結(jié)果：
從仿真結(jié)果可以看出，導(dǎo)通損耗占總損耗相當(dāng)大的比例，因此：
使用IMZC120R034M2H取代IMZA120R040M1H，可使損耗和結(jié)溫維持在同一水平
使用IMZC120R026M2H取代IMZA120R030M1H，可降低3℃結(jié)溫
因此，在軟開關(guān)拓?fù)渲?，推薦使用導(dǎo)通電阻稍低的G2，來替換導(dǎo)通電阻高一檔的G1。
以下是TO-247-4封裝的G2選型表供參考：
總結(jié)
RDS(on)是評價SiC MOSFET的重要考量，但并不是唯一參數(shù)。在進行CoolSiC? MOSFET G2產(chǎn)品選型時，不能單純依賴常溫下RDS(on)數(shù)值，而是要綜合考慮電路拓?fù)?/a>、開關(guān)頻率、散熱條件等因素，最好通過仿真確定最終選型。
