Ciena聯(lián)合Vertical Systems Group報(bào)告顯示,受AI驅(qū)動(dòng),400G波長服務(wù)需求將在2029年前激增,同時(shí)100G circuits持續(xù)穩(wěn)定增長。托管光纖網(wǎng)絡(luò)(MOFN)成為超大規(guī)模企業(yè)數(shù)據(jù)中心建設(shè)新趨勢。
在半導(dǎo)體 SiGe 工藝中,分兩步生長低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求:晶格常數(shù)差異:Ge的晶格常數(shù)(5.66 ?)比Si(5.43 ?)大約4%,直接在 Si 襯底上生長高摻雜 Ge 層會(huì)因晶格失配產(chǎn)生高應(yīng)力,導(dǎo)致位錯(cuò)等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層,通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量(如從 Si 到 SiGe 的過渡),逐步釋放晶格應(yīng)力,為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長基礎(chǔ)。
芯聯(lián)集成榮膺TMC2025“2025年度創(chuàng)新技術(shù)大獎(jiǎng)”。 6月12日,在第十七屆國際汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)上,芯聯(lián)集成憑借其1500V SiC MOS 灌膠模組系列產(chǎn)品,斬獲組委會(huì)頒發(fā)的“2025年度創(chuàng)新技術(shù)”大獎(jiǎng)。 該獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)芯聯(lián)集成在車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域卓越產(chǎn)品力與領(lǐng)先技術(shù)力的高度認(rèn)可。 作為中國規(guī)模最大、最具影響力的汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)盛會(huì),本屆年會(huì)由中國汽車工程學(xué)會(huì)主辦,匯聚了180余家國內(nèi)外頂
當(dāng)前全球制造業(yè)正經(jīng)歷從“自動(dòng)化”到“智能化”的深刻躍遷,機(jī)器人技術(shù)早已成為國際競爭的“新焦點(diǎn)”。據(jù)國際機(jī)器人聯(lián)合會(huì)(IFR)數(shù)據(jù),2024年全球工業(yè)機(jī)器人安裝量突破500萬臺(tái),中國已連續(xù)九年蟬聯(lián)全球最大機(jī)器人消費(fèi)市場。 在機(jī)器人產(chǎn)業(yè)加速向智能化轉(zhuǎn)型的當(dāng)下,全球工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者——研華以其自主系統(tǒng)與機(jī)器人(AS&R,Autonomous Systems and Robotic