鍵合工藝

• 什么是混合鍵合？

  混合鍵合（Hybrid Bonding）結(jié)合了電介質(zhì)-電介質(zhì)鍵合和金屬-金屬鍵合，無需使用焊料或其它粘合劑即可實現(xiàn)晶圓與晶圓、芯片與晶圓或芯片與芯片的互連。它不像傳統(tǒng)熱壓鍵合（如TCB）那樣依賴焊料，也不同于直接分子鍵合不帶金屬。

  TOM聊芯片智造

  420

  05/26 15:40

  鍵合工藝

  
• 破鍵合技術(shù)困局，青禾晶元引領(lǐng)國產(chǎn)半導(dǎo)體高端裝備崛起

  目前青禾晶元自主研發(fā)了一系列技術(shù)領(lǐng)先的晶圓及芯片鍵合設(shè)備，涵蓋超高真空常溫鍵合（SAB61系列）、親水/混合鍵合（SAB62、SAB82系列）、熱壓/陽極鍵合（SAB63系列）、臨時鍵合/解鍵合（SAB64系列）以及高精度TCB鍵合（SAB83系列）等，這些設(shè)備憑借其卓越的對準(zhǔn)精度（可達(dá)百納米級）和廣泛的材料兼容性，贏得了市場的廣泛認(rèn)可。此外，還提供了超原子束拋光（SAB9500系列）和膜厚修整設(shè)備（SAB9510系列），以原子級的精度對材料表面進(jìn)行精密加工，為高端應(yīng)用提供有力支撐。

  夏珍

  2325

  04/01 19:20

  與非觀察 鍵合工藝

  
• 先進(jìn)邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技

  隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納

  王兵

  9477

  2024/12/10

  與非研究院 CVD

  
• SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)

  SK 海力士從第七代高帶寬存儲器（HBM4E）開始應(yīng)用“混合鍵合”?；旌湘I合是一種直接用銅連接DRAM頂部和底部的技術(shù)。由于它不需要HBM目前使用的微凸塊（焊球）和鍵合材料，因此有望給半導(dǎo)體行業(yè)帶來重大變化。

  芯片說 IC TIME

  1904

  2024/11/11

  SK海力士 HBM4

  
• 鍵合工藝

  鍵合工藝是一種制造業(yè)中常見的技術(shù)，通過焊接、粘合或其他方式將不同的材料或組件結(jié)合在一起。這種工藝在各種領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用，包括汽車制造、電子產(chǎn)品生產(chǎn)、建筑業(yè)等。鍵合工藝的發(fā)展和應(yīng)用使得許多產(chǎn)品更加堅固耐用，同時也提高了生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

  eefocus_3901714

  3761

  2024/08/25

  鍵合工藝

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