12英寸SiC再添新玩家，8吋襯底已量產(chǎn)

5月31日，合盛硅業(yè)在官微宣布，其下屬單位寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動切、磨、拋等加工技術(shù)的研究。

據(jù)了解，合盛新材料基于自主設(shè)計(jì)的SiC單晶生長爐以及多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新坩堝設(shè)計(jì)，使用多孔與涂層石墨技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超大晶體所需的高通量生長。

此外，經(jīng)過多年的潛心研究與深入鉆研，合盛新材料成功攻克了從高純石墨純化、碳化硅多晶粉料制備到單晶碳化硅生長、襯底加工等全流程的核心技術(shù)難關(guān)，其8英寸碳化硅襯底及已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。

值得注意的是，2024年8月，合盛新材料宣布其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)全線貫通。據(jù)了解，其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底在多項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo)上均展現(xiàn)出卓越優(yōu)勢：襯底的微管密度顯著降低至0.05/cm2以下、4H晶型面積比例達(dá)到100%、電阻率穩(wěn)定在0.015-0.025Ω·cm之間、相對標(biāo)準(zhǔn)偏差小于4%，彰顯了材料優(yōu)異的性能。

在外延工藝驗(yàn)證中，采用合盛新材料8英寸襯底生產(chǎn)的外延片表現(xiàn)出色，膜厚均勻性與摻雜均勻性均高于行業(yè)平均水平，致命缺陷密度低于0.3顆/cm2，可用面積超過99%，證明了合盛新材料在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力與技術(shù)創(chuàng)新能力。

合盛新材料表示，他們此次實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體生長技術(shù)突破，將推動國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)鏈邁入新紀(jì)元，更為行業(yè)突破國際技術(shù)壁壘、實(shí)現(xiàn)自主可控發(fā)展提供了寶貴的經(jīng)驗(yàn)和示范。

值得關(guān)注的是，據(jù)“行家說三代半”不完全統(tǒng)計(jì)，今年以來，共有14家廠商公布12英寸SiC進(jìn)展，且全部為中國廠商：

來源：行家說Research—《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》

襯底端：天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、同光半導(dǎo)體、合盛新材料、浙江晶瑞、晶馳機(jī)電相繼展示了12英寸SiC晶錠和襯底，包括導(dǎo)電型襯底、高純半絕緣襯底、光學(xué)級襯底、熱沉級襯底、多晶襯底。

設(shè)備端：大族半導(dǎo)體、西湖儀器、天成半導(dǎo)體、晶馳機(jī)電、天晶智能、力冠微電子相繼公布了12英寸SiC工藝設(shè)備，聚焦長晶工藝、襯底加工等方面。

目前，8-12英寸的碳化硅擴(kuò)徑和高良率生長，需要粉料、石墨件、籽晶粘接、長晶、切磨拋等耗材和設(shè)備企業(yè)的技術(shù)支持。“行家說三代半”正在進(jìn)行《2025碳化硅襯底與外延產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》的調(diào)研工作，將聚焦大尺寸單晶生長的工藝突破，歡迎各大企業(yè)參與白皮書的編寫工作，參編咨詢請聯(lián)系許若冰（hangjiashuo999）。