芯耀
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美國當地時間6月4日，格芯（GlobalFoundries）宣布將投資160億美元，增強在半導體制造和先進封裝領域的實力。這筆投資將推動基礎芯片制造回流，重點投入紐約和佛蒙特州的工廠。其中，超130億美元用于擴建現有工廠，以及為紐約先進封裝和光子中心提供資金；30億美元用于封裝創(chuàng)新、硅光子技術及下一代氮化鎵（GaN）技術的研發(fā)。
格芯表示，此次投資是對人工智能（AI）迅猛發(fā)展的戰(zhàn)略響應。隨著AI在數據中心、通信基礎設施和智能設備等領域的廣泛應用，對高能效、高帶寬半導體的需求激增。格芯紐約工廠的FD-SOI制程22FDX和硅光子技術，以及佛蒙特州設施開發(fā)的基于氮化鎵的電源解決方案，在AI的云端和邊緣計算中至關重要。格芯首席執(zhí)行官Tim Breen透露，AI革命帶來強勁市場需求，目前格芯正與蘋果、SpaceX、超威和高通等公司合作，促進全球供應鏈多元化。
格芯的投資舉動，折射出全球晶圓代工行業(yè)的發(fā)展新貌。當下，全球晶圓代工市場風云變幻，各大晶圓代工巨頭在產能規(guī)劃、戰(zhàn)略布局等方面紛紛發(fā)力，呈現出激烈的競爭態(tài)勢與蓬勃的發(fā)展活力。
01、臺積電：熊本二廠延期，其他有序推進
6月3日，臺積電董事長兼總裁魏哲家在年度股東大會后透露，臺積電正按「技術迭代與區(qū)域戰(zhàn)略協同」原則，穩(wěn)步推進全球晶圓廠及先進封裝廠建設。盡管日本熊本第二座晶圓廠因交通流量問題，動工時間從2025年初調整至年中，但整體全球擴產節(jié)奏未受影響，該工廠預計2027年投產，將提供6/7nm準先進制程及40nm成熟制程產能。
在臺灣地區(qū)，臺積電持續(xù)強化先進制程領導地位。新竹晶圓20廠與高雄晶圓22廠作為2納米制程量產核心，自2022年動工以來進展順利，預計2025年分別以每月5萬片、4.5萬片產能投入生產，目標客戶涵蓋蘋果、英偉達、AMD等頭部企業(yè)。臺中晶圓25廠計劃于2025年底動工，聚焦1.4納米及更先進制程，預計2028年量產。此外，臺積電還將在臺灣建設3座先進封裝廠，嘉義的CoWoS和SoIC封裝廠，以及臺南封測八廠預計2026年投產，完善從芯片制造到異構集成的技術鏈條。
海外布局方面，臺積電產能擴張呈現「成熟制程穩(wěn)供應、先進制程謀突破」特點。美國亞利桑那州首座4納米晶圓廠已于2025年1月13日量產，良率與臺灣工廠持平，2納米制程產線預計2028年投產。德國德累斯頓的汽車芯片廠計劃2027年底投產，支持歐洲新能源汽車產業(yè)鏈。日本熊本首座22/28納米晶圓廠已在2025年2月24日啟用，月產能5.5萬片，第二座工廠雖延遲動工，但仍按2027年量產目標推進，滿足日本及亞太區(qū)客戶混合制程需求。
臺積電運營副總經理張宗生此前表示，2025年臺積電全球預計新建9座廠，包括8座晶圓廠和1座先進封裝廠，其中臺灣地區(qū)占5座，重點布局先進制程與封裝技術；海外新增4座，強化區(qū)域化產能配置。此次全球布局體現出臺積電對先進制程技術的持續(xù)投入，通過成熟制程產能的區(qū)域分布，平衡客戶需求與供應鏈穩(wěn)定性，盡管部分項目因本地化因素微調，但整體戰(zhàn)略仍有序推進。
02、三星電子：制程革新、產能調整與生態(tài)布局
近期，三星在晶圓代工和先進制程方面也有諸多新動態(tài)。
在制程技術上，三星計劃于今年下半年量產的2nm節(jié)點制程（SF2）采用第三代GAA技術，針對Exynos 2600處理器的試產良率約為30%，若良率優(yōu)化順利，將參與到與臺積電2nm制程的市場競爭中。
在人才策略上，6月3日據韓媒Fnnews報道，三星聘請了臺積電前高管Margaret Han擔任北美晶圓代工業(yè)務的負責人，旨在強化應對美國客戶的能力，提升北美訂單競爭力，加強“美國制造”的政策方針。
同時，在封裝技術等方面，早在今年2月，業(yè)內人士透露三星正在整合混合鍵合技術，應用材料公司和Besi Semiconductor已在三星天安園區(qū)為其安裝混合鍵合設備，該技術預計將用于三星X-Cube、SAINT等下一代封裝解決方案。
03、英特爾：加強先進制程攻堅與市場爭奪
6月4日，根據英特爾官網信息，英特爾代工將于6月24日在韓國首爾舉行Direct Connect Asia活動，這也是英特爾代工Direct Connect大會首次來到美國境外。有行業(yè)分析認為，英特爾代工的這一動作意在瞄準韓國境內Fabless無廠芯片設計初創(chuàng)企業(yè)對低成本先進制程代工的需求，計劃與坐擁本土之利的三星晶圓代工爭奪這部分市場，通過外部企業(yè)的成功項目提升對更大客戶的吸引力。
在先進制程方面，英特爾新任CEO陳立武強調，18A制程是英特爾重回工藝領先的關鍵。英特爾18A工藝采用RibbonFET閘極全環(huán)繞晶體管與PowerVia背面供電技術，針對AI與高性能計算場景優(yōu)化。
在此前4月29日舉辦的英特爾代工大會上，公司明確了制程技術的關鍵進展與規(guī)劃。備受矚目的18A（1.8納米）制程節(jié)點已進入風險試產階段，按照計劃將于今年內正式量產，英特爾亞利桑那州的Fab 52工廠已成功完成該制程的流片，而大規(guī)模量產將率先在俄勒岡州的晶圓廠實現，亞利桑那州的制造預計在今年晚些時候進入量產爬坡階段。
Intel 18A制程采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術和PowerVia背面供電技術，與Intel 3工藝相比，每瓦性能提高15%，芯片密度提高30%。而Intel 18A-P預計將在2026年第四季度量產，更為先進的Intel 14A預計將于2027年量產。
04、中芯國際：聚焦主業(yè)，產能擴充
據6月5日最新消息，國科微發(fā)布公告稱擬購買中芯寧波94.366%股權，中芯國際也于同日公告，其全資子公司中芯控股擬向國科微出售所持有的中芯寧波14.832%股權，交易完成后，中芯控股將完全退出中芯寧波的股權投資，這是中芯國際聚焦核心主業(yè)、深化戰(zhàn)略升級，優(yōu)化資產結構的舉措之一。
中芯國際作為中國大陸晶圓代工龍頭企業(yè)，近年來在產能布局上持續(xù)發(fā)力。公司在上海、北京、天津、深圳建有多座8英寸和12英寸晶圓廠。受國產化浪潮影響，中芯國際在成熟制程領域積極布局，并加碼更先進制程市場。
其中，中芯東方由中芯國際和上海自貿試驗區(qū)臨港新片區(qū)管委會2021年9月2日簽署合作框架協議成立規(guī)劃建設產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線項目，聚焦提供28納米及以上技術節(jié)點，據悉目前正穩(wěn)步推進，預計2027年底達產。中芯京城則是由中芯國際與北京開發(fā)區(qū)管委會合作，雙方成立合資公司，建設新的12英寸晶圓廠，聚焦生產28納米及以上集成電路項目，目前也在按計劃建設，持續(xù)擴充成熟制程產能。
結 語
從格芯的160億美元加碼先進制造與封裝，到臺積電、英特爾、三星在全球范圍內的產能競速，再到中芯國際等中國大陸廠商的本土化深耕，全球晶圓代工行業(yè)正經歷一場前所未有的變革浪潮。這場圍繞技術節(jié)點、產能布局、市場份額的多維競爭，既折射出AI、汽車電子等新興需求對半導體產業(yè)的強勁拉動，也凸顯了地緣政治、供應鏈安全等因素對行業(yè)格局的重塑壓力。
未來，隨著AI算力需求的持續(xù)爆發(fā)、汽車電動化智能化的深入推進，晶圓代工行業(yè)的競爭將更趨激烈。技術迭代的速度、產能釋放的節(jié)奏、客戶合作的深度，都將成為決定企業(yè)命運的核心變量。
