NAND閃存有壽命，那DRAM內(nèi)存也有壽命說法嗎？

這是一個NAND閃存的Cell，也就是用來存儲數(shù)據(jù)的單元。NAND?閃存的存儲單元是浮柵晶體管，通過電子注入和釋放實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。其?“壽命”?核心是擦寫次數(shù)（P/E Cycle）。

寫入數(shù)據(jù)的時候，給Control Gate控制極加一個比Substrate底層更高的電壓，底層的電子穿過lsolation Oxide Laver氧化絕緣層進入Floating Gate浮柵'。擦除的時候反過來給底層加電壓，浮柵的電子穿過氧化絕緣層進入襯底。所以真正存數(shù)據(jù)或者說存電荷的就是那個Floating Gate浮柵。

物理損耗：每次擦寫操作會對浮柵氧化層造成微小損傷，長期積累可能導致電子泄漏，最終使存儲單元失效。

DRAM技術簡單科普

這是一個DRAM內(nèi)存 Cell，DRAM?的存儲單元是電容?+?晶體管的結構，其工作機制決定了它與?NAND?閃存的本質(zhì)區(qū)別。在寫入數(shù)據(jù)的過程中，如果數(shù)據(jù)為1.電容被充電：數(shù)據(jù)為0則電容不被充電。所以存儲數(shù)據(jù)的載體是電容。由于電容存在漏電現(xiàn)象，數(shù)據(jù)需要定期刷新（Refresh）（通常每?64ms?刷新一次）。刷新過程是讀取并重寫數(shù)據(jù)，而非像?NAND?一樣擦除?-?寫入的物理操作，因此不存在擦寫損耗。

NAND最大的問題是電子不斷在Floating Gate和Substrate之間穿梭，夾在兩者之間的Isolation Oxide Layer氧化絕緣層會慢慢磨損，最后浮柵就沒法正常存儲電荷了。

DRAM除了MOSFET老化以外基本沒什么可以損耗的地方，而且因為電容漏電很快不能長時間存儲數(shù)據(jù)，DRAM本身就需要以很高的頻率刷新給電容重新充電，以保持內(nèi)部數(shù)據(jù)不丟失。不管你改沒改內(nèi)存的數(shù)據(jù)，這個過程幾十毫秒就有一次。

DRAM?的?“壽命”?更接近普通電子元件的老化周期，常見失效原因包括：

電容漏電流增大：長期使用后電容性能下降，導致數(shù)據(jù)刷新失敗。

晶體管性能衰退：閾值電壓漂移可能引發(fā)邏輯錯誤。

溫度與電壓影響：高溫或超頻會加速硬件老化，但這屬于漸進式損耗，而非?NAND?的?“擦寫次數(shù)耗盡”。

兩者物理構造不同，內(nèi)存的DRAM是用給電容充電來存儲的，充電了就是1，沒電是0，但是維持時間短要不斷刷新（給電容充電），不刷新了關機了電容放電資料就沒了。只要電容還能充電就還能用，電容壞到完全不能充電不容易。NAND(SSD)里面用半導體電荷遷移來存儲，半導體遷移次數(shù)多了能力會下降的，電子咔咔一頓遷移之后原子啥的也遷移了，極性分不開了。

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