本土功率器件上市公司營(yíng)收top10 | 2024年

2024年，全球功率器件市場(chǎng)整體呈萎靡態(tài)勢(shì)。然而，中國(guó)市場(chǎng)受益于本土新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，市場(chǎng)規(guī)模仍呈現(xiàn)上漲態(tài)勢(shì)。本土廠商整體實(shí)力顯著提升，不斷加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品迭代，逐步突破高端領(lǐng)域瓶頸，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程顯著加快。

一年一統(tǒng)計(jì)，本期與非網(wǎng)聚焦本土功率器件上市公司，詳盡梳理頭部上市公司的2024年?duì)I業(yè)收入規(guī)模和企業(yè)動(dòng)態(tài)。往期可參考《本土功率器件上市公司營(yíng)收top10 | 2023年》

根據(jù)與非網(wǎng)不完全統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，下圖為2024年功率器件營(yíng)業(yè)收入規(guī)模top10的本土上市公司。其中，士蘭微、揚(yáng)杰科技、華潤(rùn)微、時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)等公司的電源管理芯片業(yè)務(wù)規(guī)模均超過(guò)30億元，排名靠前，處于國(guó)內(nèi)頭部梯隊(duì)。

注：各公司具體功率器件收入業(yè)務(wù)口徑詳見(jiàn)文末附錄，如有疑問(wèn)，歡迎留言討論。

士蘭微

2024年，士蘭微營(yíng)收為112.21億元，其中分立器件和IPM模塊的收入分別為54.37億元和29.11億元，分別同比增長(zhǎng)12.5%、47%。其中，應(yīng)用于汽車(chē)、光伏的IGBT和SiC（模塊、器件）的營(yíng)業(yè)收入達(dá)到22.61億元，同比增長(zhǎng)超60%；而以硅基MOSFET為主的其他分立器件營(yíng)收31.77億元，同比下降4%左右。

在IGBT產(chǎn)品方向：2024年第三季度，公司8吋線、12吋線IGBT芯片產(chǎn)能接近滿載，已安排技改資金進(jìn)一步提升IGBT芯片產(chǎn)能。自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已在國(guó)內(nèi)外多家客戶(hù)實(shí)現(xiàn)批量供貨；用于汽車(chē)的IGBT器件（單管）也已實(shí)現(xiàn)大批量出貨；用于光伏的IGBT器件（成品）、逆變控制模塊、SiC MOS器件也實(shí)現(xiàn)批量出貨；用于汽車(chē)主驅(qū)的IGBT和FRD芯片已在國(guó)內(nèi)外多家模塊封裝廠批量銷(xiāo)售。

在SiC產(chǎn)品方向：2024年，基于公司自主研發(fā)的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊在4家國(guó)內(nèi)汽車(chē)廠家出貨量累計(jì)達(dá)5萬(wàn)只，隨著6吋SiC芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能釋放，已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)和交付；還完成了第Ⅳ代平面柵SiC MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標(biāo)接近溝槽柵SiC器件的水平，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶(hù)評(píng)測(cè)，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊2025年將會(huì)上量。

此外，過(guò)去一年，士蘭微持續(xù)擴(kuò)張SiC和GaN第三代半導(dǎo)體功率器件的產(chǎn)能：

目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)9000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。為滿足新一代SiC芯片上量的要求，公司已對(duì)6吋線進(jìn)行技術(shù)改造和效率提升，預(yù)計(jì)2025年SiC芯片出貨量將顯著增加。

“士蘭集宏8英SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)快速推進(jìn)。2024年底，士蘭集宏8吋SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線，Ⅱ代芯片已在8吋mini line上試流片成功（其參數(shù)與6吋匹配，良品率高于6吋），預(yù)計(jì)將在2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)，以趕上2026年車(chē)用SiC市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)。

與此同時(shí)，公司8吋硅基GaN功率器件芯片研發(fā)量產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線，預(yù)計(jì)將于2025年二季度推出車(chē)規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)的GaN功率器件產(chǎn)品。

揚(yáng)杰科技

2024年，揚(yáng)杰科技營(yíng)收為60.33億元，其中半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體芯片兩者合計(jì)收入為57.06億元，同比增長(zhǎng)11.6%。公司采用IDM一體化、Fabless并行的經(jīng)營(yíng)模式，集半導(dǎo)體單晶硅片制造、功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)制造、器件設(shè)計(jì)封裝測(cè)試、終端銷(xiāo)售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體。

過(guò)去一年，揚(yáng)杰科技在MOSFET、IGBT、SiC等功率器件的產(chǎn)品研發(fā)、市場(chǎng)拓展上都取得了顯著進(jìn)展，尤其在SiC MOS的市場(chǎng)份額持續(xù)增加，各類(lèi)產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

在SiC產(chǎn)品方向：公司的SiC芯片工廠在2024年完成廠房裝修、設(shè)備搬入和產(chǎn)品通線，采用IDM技術(shù)實(shí)現(xiàn)了650V/1200V的SiC SBD產(chǎn)品從第二代升級(jí)到第四代，實(shí)現(xiàn)650V/1200V的SiC MOS產(chǎn)品從第二代升級(jí)到第三代，所有SiC MOS型號(hào)實(shí)現(xiàn)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ。

值得關(guān)注的是，揚(yáng)杰科技的車(chē)載模塊在多家汽車(chē)客戶(hù)完成送樣，并且已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車(chē)企的測(cè)試及合作意向，計(jì)劃于2025年Q4開(kāi)展全國(guó)產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的工藝、可靠性驗(yàn)證。

在IGBT產(chǎn)品方向：基于Fabless模式，在8吋、12吋平臺(tái)開(kāi)發(fā)了1.6/2.2μm pitch微溝槽650V 30-160A、1200V 15-200A IGBT芯片全系列，批量出貨；1700V 400A和600A C2和E3半橋產(chǎn)品已上架。在新能源光儲(chǔ)充領(lǐng)域，采用高密度器件結(jié)構(gòu)及先進(jìn)背面工藝，降低飽和壓降和關(guān)斷損耗，6個(gè)型號(hào)（新增N3、N4）應(yīng)用于60KW-320KW功率段，950-1200V、160-600A的I型和T型三電平模塊完成上架。在汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域，利用高可靠封裝線，在PTC及壓縮機(jī)控制器領(lǐng)域大批量交付車(chē)企及tier 1客戶(hù)。

在MOSFET產(chǎn)品方向：基于Fabless模式的8吋、12吋平臺(tái)，針對(duì)汽車(chē)電子戰(zhàn)略，開(kāi)發(fā)了N40V車(chē)規(guī)產(chǎn)品，通過(guò)終端測(cè)試并量產(chǎn)；不斷完善SGT MOSFET新電壓平臺(tái)研發(fā)，新開(kāi)發(fā)P40V/P150V/N80V/N200V工藝平臺(tái)，F(xiàn)OM領(lǐng)先市面主流水平20%以上；同時(shí)，SJ產(chǎn)品平臺(tái)取得進(jìn)一步技術(shù)突破，通過(guò)提升結(jié)構(gòu)密度，進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻，優(yōu)化開(kāi)關(guān)特性，提升功率密度和系統(tǒng)EMC設(shè)計(jì)余量。

華潤(rùn)微

2024年，華潤(rùn)微營(yíng)收為101.2億元，其中產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)的營(yíng)收分別為51.53億元和46.87億元，分別同比增長(zhǎng)10.35%、-7.72%。產(chǎn)品與方案中的分立器件分部營(yíng)收為38.11億元，同比增長(zhǎng)7.8%。

華潤(rùn)微的產(chǎn)品與方案板塊下游終端應(yīng)用主要圍繞四大領(lǐng)域，泛新能源領(lǐng)域（車(chē)類(lèi)及新能源）、消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、通信設(shè)備分別占比41%、35%、15%、9%。其中，汽車(chē)電子終端市場(chǎng)營(yíng)收在產(chǎn)品與方案板塊的占比從2023年19%提升至21%。

過(guò)去一年，華潤(rùn)微在多個(gè)功率器件領(lǐng)域取得了顯著的突破。

在MOSFET產(chǎn)品方向：中低壓方面，中低壓車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET已形成完整且系統(tǒng)的產(chǎn)品序列，在車(chē)載充電機(jī)、車(chē)燈、域控、泵等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化交付；特色工藝寬SOA和PMOS已系列化批量交付AI服務(wù)器、鼓風(fēng)機(jī)、BMS等應(yīng)用領(lǐng)域客戶(hù)；依托先進(jìn)的12吋工藝優(yōu)勢(shì)，中低壓G5、G6平臺(tái)產(chǎn)品參數(shù)達(dá)到國(guó)際一流水準(zhǔn)。高壓方面，平面和超結(jié)MOS系列完成從250V到1200V的多個(gè)電壓平臺(tái)的產(chǎn)品系列化，覆蓋了功率器件全應(yīng)用領(lǐng)域。

在IGBT產(chǎn)品方向：IGBT產(chǎn)品線在工業(yè)（含光伏）、汽車(chē)電子領(lǐng)域銷(xiāo)售占比超過(guò)70%。車(chē)規(guī)產(chǎn)品批量供應(yīng)給汽車(chē)電子動(dòng)力總成、熱管理、OBC等應(yīng)用領(lǐng)域頭部客戶(hù)及Tier1廠家；率先在行業(yè)內(nèi)推出750V高性能產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)光儲(chǔ)市場(chǎng)穩(wěn)步上量；基于12吋線成功開(kāi)發(fā)的新一代G7平臺(tái)，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際一流水平。

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品方向：SiC方面，SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成產(chǎn)品系列化，覆蓋650V、1200V、1700V電壓平臺(tái)，其中SiC MOS G2 Rsp水平達(dá)到國(guó)際主流產(chǎn)品水平，SiC JBS G3功率密度水平達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先。同時(shí)新一代的平面柵MOS以及Trench結(jié)構(gòu)的SiC產(chǎn)品研發(fā)工作快速推進(jìn)。GaN方面，G3產(chǎn)品全面進(jìn)入量產(chǎn)，G4平臺(tái)大功率工控類(lèi)產(chǎn)品陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，G5平臺(tái)進(jìn)入開(kāi)發(fā)階段；外延中心建設(shè)有序推進(jìn)中；氮化鎵E-mode產(chǎn)品研發(fā)取得突破性進(jìn)展，40V、80V的產(chǎn)品已進(jìn)入可靠性評(píng)價(jià)及優(yōu)化階段。

在功率模塊方向：IGBT模塊、IPM模塊、TMBS模塊、MOSFET模塊、SiC模塊的整體規(guī)模增長(zhǎng)55%。雖然光伏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，但TMBS模塊規(guī)模仍然強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)30%；多顆IGBT模塊完成車(chē)規(guī)考核，通過(guò)多家車(chē)業(yè)龍頭客戶(hù)認(rèn)證；SiC模塊完成了HPD、DCM、MSOP等多個(gè)車(chē)規(guī)及工規(guī)模塊產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，已在汽車(chē)、光伏逆變、工業(yè)電源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)銷(xiāo)售貢獻(xiàn)。

時(shí)代電氣

2024年，時(shí)代電氣營(yíng)收為249.09億元，其中功率半導(dǎo)體器件收入預(yù)估為34.5億元（時(shí)代電氣2024年不再單獨(dú)公布功率器件收入，估算口徑為：2024年基礎(chǔ)器件收入*2023年功率半導(dǎo)體器件/(功率半導(dǎo)體器件+傳感器)）。

時(shí)代電氣建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化基地，擁有芯片、模塊、組件及應(yīng)用的全套自主技術(shù)。其生產(chǎn)的全系列高可靠性IGBT產(chǎn)品打破了軌道交通和特高壓輸電核心器件由國(guó)外企業(yè)壟斷的局面。

在IGBT產(chǎn)品方向：過(guò)去一年，時(shí)代電氣的IGBT模塊交付在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域市場(chǎng)份額國(guó)內(nèi)第一，電網(wǎng)市場(chǎng)中標(biāo)7條線，且首次斬獲海外柔直項(xiàng)目大批量訂單。新能源市場(chǎng)快速突破，根據(jù)NE時(shí)代統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，公司2024年新能源乘用車(chē)功率模塊裝機(jī)量達(dá)225.6萬(wàn)套，市占率約13.7%，僅次于比亞迪排名第二；新能源發(fā)電市場(chǎng)IGBT模塊出貨量增長(zhǎng)迅速，7.5代超精細(xì)溝槽柵產(chǎn)品效率和出流能力達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

產(chǎn)能利用率方面，IGBT一期產(chǎn)線和二期產(chǎn)線處于滿產(chǎn)狀態(tài)，三期宜興產(chǎn)線于2024年10月正式投產(chǎn)，2025年以來(lái)產(chǎn)線處于產(chǎn)能爬坡階段，預(yù)計(jì)今年達(dá)到滿產(chǎn)水平。

在SiC產(chǎn)品方向：時(shí)代電氣的SiC重點(diǎn)產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiC MOSFET、1200V SBD等。SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級(jí)，適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求，其中1200V溝槽柵SiC MOSFET性能指標(biāo)基本對(duì)標(biāo)國(guó)際龍頭企業(yè), 2025年公司的SiC MOSFET產(chǎn)品有望突破新能源車(chē)主驅(qū)批量出貨；SiC SBD在光伏領(lǐng)域批量供貨。

當(dāng)前公司SiC第三代精細(xì)平面柵產(chǎn)品已定型，技術(shù)水平行業(yè)主流；第四代溝槽柵設(shè)計(jì)定型，達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平；并且對(duì)第五代SiC技術(shù)完成布局。

SiC產(chǎn)能方面，時(shí)代電氣擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當(dāng)前已具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。

值得關(guān)注的是，公司株洲三期8英寸SiC晶圓項(xiàng)目，于2024年11月份啟動(dòng)建設(shè)。截至2025年4月底，主體廠房接近封頂，預(yù)計(jì)2025年下半年啟動(dòng)設(shè)備搬入，年底有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線拉通。

斯達(dá)半導(dǎo)

2024年，斯達(dá)半導(dǎo)營(yíng)收為33.9億元，其中IGBT模塊和其他產(chǎn)品（IGBT單管為主）合計(jì)收入33.8億元，同比下跌7.1%。收入按細(xì)分行業(yè)來(lái)看，新能源行業(yè)、工業(yè)控制和電源行業(yè)、變頻白色家電及其他行業(yè)的營(yíng)業(yè)收入分別為20.1億元、11.0億元、2.7億元，分別同比增長(zhǎng)-6.8%、-14.0%和34.2%。其中光伏發(fā)電行業(yè)分立器件（單管）需求受去庫(kù)存因素影響，光伏行業(yè)單管產(chǎn)品和去年同期相比營(yíng)業(yè)收入大幅下降。

目前，斯達(dá)半導(dǎo)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)自主IGBT芯片、快恢復(fù)二極管芯片、SiC MOSFET芯片的量產(chǎn)，以及IGBT和SiC模塊的大規(guī)模生產(chǎn)和銷(xiāo)售。公司的芯片主要以外協(xié)制造為主，一部分芯片通過(guò)全資子公司斯達(dá)微電子制造。而IGBT模塊，則根據(jù)不同的產(chǎn)品需要，“定制化”開(kāi)發(fā)，采購(gòu)相應(yīng)的芯片、DBC、散熱基板等原材料來(lái)生產(chǎn)。

2024年，公司功率器件產(chǎn)品在各細(xì)分領(lǐng)域都取得了顯著進(jìn)展。

在新能源汽車(chē)領(lǐng)域：基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)車(chē)規(guī)級(jí)的750V和1200V IGBT模塊持續(xù)放量并新增項(xiàng)目定點(diǎn)。

SiC MOSFET模塊大批量交付；推出多個(gè)封裝系列的車(chē)規(guī)級(jí)750V、1200V SiC MOSFET分立器件（單管）產(chǎn)品，在多家客戶(hù)通過(guò)測(cè)試并小批量驗(yàn)證；自建6英寸SiC芯片產(chǎn)線流片的車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片開(kāi)始批量裝車(chē)；第二代SiC MOSFET芯片研發(fā)成功且功率密度提升20%以上。

值得關(guān)注的是，2024年公司開(kāi)發(fā)出車(chē)規(guī)級(jí)GaN驅(qū)動(dòng)模塊，針對(duì)30kW-150kW車(chē)用驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，預(yù)計(jì)將于2027年進(jìn)入裝車(chē)應(yīng)用階段。

在新能源發(fā)電及儲(chǔ)能領(lǐng)域：基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的IGBT模塊在320KW組串式光伏逆變器、150kW工商業(yè)光伏逆變器上開(kāi)始大批量應(yīng)用并迅速上量，在集中式儲(chǔ)能電站持續(xù)大批量裝機(jī)，在組串式儲(chǔ)能系統(tǒng)、工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)領(lǐng)域研發(fā)成功并開(kāi)始批量交付；IGBT分立器件在戶(hù)用式光儲(chǔ)與工商業(yè)光儲(chǔ)市場(chǎng)大批量裝機(jī)，與公司組串式模塊方案、集中式模塊方案一起為客戶(hù)提供一站式全套解決方案。

此外,公司還推出多個(gè)封裝系列的750V、1200V SiC MOSFET分立器件（單管）產(chǎn)品，已經(jīng)在多家客戶(hù)通過(guò)測(cè)試并開(kāi)始小批量驗(yàn)證。

在工業(yè)控制和電源領(lǐng)域。目前公司已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)多家頭部變頻器企業(yè)IGBT模塊的主要供應(yīng)商，正式進(jìn)入工控行業(yè)多家國(guó)際企業(yè)的供應(yīng)商?；诘谄叽喜跿rench Field Stop技術(shù)的IGBT模塊在國(guó)內(nèi)外多家工控客戶(hù)測(cè)試通過(guò)并開(kāi)始批量使用。

在變頻白色家電及其他領(lǐng)域。斯達(dá)半導(dǎo)與美的集團(tuán)簽署關(guān)于美墾半導(dǎo)體股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，投資完成后公司將持有美墾半導(dǎo)體80%股權(quán)，美的集團(tuán)保留20%股權(quán)。通過(guò)此次戰(zhàn)略控股，將有助于公司加速對(duì)變頻白色家電市場(chǎng)的拓展，為后續(xù)業(yè)績(jī)快速增長(zhǎng)提供有力保障。

值得一提的是，公司成立了MCU事業(yè)部，從事高端工規(guī)和車(chē)規(guī)MCU的研發(fā)，未來(lái)或與自身優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品結(jié)合，為用戶(hù)提供系統(tǒng)性解決方案。

附錄