創(chuàng)新突破邊界,技術(shù)重塑未來。是德科技(NYSE: KEYS )在上海成功舉辦了年度技術(shù)交流盛會(huì)Keysight World Tech Day 2025。此次盛會(huì)匯集了來自通信、半導(dǎo)體、人工智能、數(shù)據(jù)中心及新能源汽車等領(lǐng)域的意見領(lǐng)袖、技術(shù)專家、行業(yè)客戶和生態(tài)合作伙伴,共同探索在AI深度重塑世界、B5G/6G加速演進(jìn)、芯片創(chuàng)新層出不窮的背景下,如何以先進(jìn)的設(shè)計(jì)、仿真和測(cè)試解決方案為基石,推動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)突
英偉達(dá)結(jié)合自己開發(fā)的VLM模型,并基于Thor-X平臺(tái)做了延遲測(cè)試,并于2025年6月9日公開發(fā)表了測(cè)試結(jié)果,詳情可見論文《LiteVLM: A Low-Latency Vision-Language Model Inference Pipeline for Resource-Constrained Environments》。 ? 英偉達(dá)LiteVLM管線 圖片來源:英偉達(dá)  
Part 01 前言 我們有時(shí)候會(huì)在一些電路里看到有些LDO需要串聯(lián)或并聯(lián)了一個(gè)二極管,這是為什么呢?LDO分為雙極型LDO和MOSFET型LDO,雙極型LDO因內(nèi)部寄生二極管可能導(dǎo)致?lián)p壞,需始終加裝保護(hù)二極管。MOSFET型LDO因體二極管的存在,反接電流可被部分容忍,但是反接電流過大,一樣也不行,所以當(dāng)輸入/輸出電壓反接時(shí),反向電流可能損壞LDO IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)。為此,反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)很重要。接