板級低噪放和芯片級低噪放的區(qū)別(2)

兩端口放大器的噪聲系數(shù)，可以用下式表示，要是想知道下式的來歷的話，可以參考文獻(xiàn)[1]或[2],還有[3].

接著用反射系數(shù)來替代導(dǎo)納，并且代入上面的公式，即：

上圖中綠色橢圓形內(nèi)的三個(gè)參數(shù)，最小噪聲系數(shù)Fmin,最佳源導(dǎo)納對應(yīng)的源反射系數(shù)，晶體管的等效噪聲電阻，稱為晶體管的噪聲參數(shù)，這三個(gè)參數(shù)，管子廠家一般會(huì)在s2p文件上提供。

而進(jìn)行板級低噪放的設(shè)計(jì)，就是基于這三個(gè)參數(shù)，還有S參數(shù)。

具體步驟，可以參見利用ADS快速設(shè)計(jì)低噪放。

總的來說，板級低噪放的設(shè)計(jì)步驟可以概括為：

(1) 通過給管子增加偏置電路，或者調(diào)整輸出端電路，或者在源極急加一小電感等措施，提高管子的帶內(nèi)穩(wěn)定度

(2) 調(diào)整輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，使獲得折中的噪聲和增益性能

(3) 帶外穩(wěn)定性的調(diào)節(jié)

以上，是板級低噪放設(shè)計(jì)的一些信息。

看razavi的射頻微電子中的CMOS低噪放設(shè)計(jì)一章，其思路，我的理解是這樣的。

razavi每種架構(gòu)的分析，都是基于以下三點(diǎn)的。

(1) 在分析噪聲系數(shù)這一指標(biāo)時(shí)，其根據(jù)噪聲系數(shù)的通用定義，給出了LNA相對通用的噪聲系數(shù)。

(2) 在分析輸入回波損耗這一指標(biāo)時(shí)，razavi給出了幾點(diǎn)理由，說明LNA的阻抗需要設(shè)計(jì)為50ohm。

(3) 另一個(gè)就是章節(jié)中每種電路架構(gòu)的計(jì)算，還是基于模擬微電子來的。