芯耀
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6月18日，德州儀器宣布，將在美國(guó)得克薩斯州和猶他州豪擲超600億美元，新建和擴(kuò)建多達(dá)七座300毫米晶圓廠。這一創(chuàng)紀(jì)錄的投資規(guī)模，刷新了美國(guó)在成熟制程芯片制造領(lǐng)域的投入紀(jì)錄。
德州儀器這項(xiàng)龐大的投資計(jì)劃主要集中在美國(guó)得克薩斯州的謝爾曼和理查森基地，以及猶他州的李?；?。在得州謝爾曼基地，德州儀器將新建兩座晶圓廠（SM3和SM4），同時(shí)擴(kuò)建現(xiàn)有的SM1和SM2工廠。其中，謝爾曼基地的第一座工廠（SM1）預(yù)計(jì)將于2025年投產(chǎn)。以汽車行業(yè)為例，工廠投產(chǎn)后，德州儀器將能為福特、通用等車企穩(wěn)定供應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元、車載信息娛樂系統(tǒng)的模擬芯片，解決車企此前因芯片短缺導(dǎo)致生產(chǎn)線停工的難題。
在猶他州李?；兀緦⒓铀俳ㄔO(shè)兩座晶圓廠（LFAB1和LFAB2）。這里生產(chǎn)的芯片將助力工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備制造商提升工廠自動(dòng)化控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。此外，在得州理查森基地，德州儀器還將升級(jí)其第二座300毫米晶圓廠RFAB2的產(chǎn)能，滿足通信設(shè)備廠商對(duì)高性能嵌入式處理器芯片的需求。
德州儀器專注于生產(chǎn)模擬芯片和嵌入式處理器芯片，這些基礎(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子和通信等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。此次擴(kuò)產(chǎn)旨在顯著提升公司在這些成熟制程節(jié)點(diǎn)（例如65納米至45納米）上的產(chǎn)能，以滿足市場(chǎng)對(duì)可靠、低成本基礎(chǔ)芯片持續(xù)增長(zhǎng)的需求。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，隨著智能家居設(shè)備市場(chǎng)的快速擴(kuò)張，亞馬遜Echo智能音箱、谷歌Nest恒溫器等產(chǎn)品對(duì)德州儀器生產(chǎn)的低功耗模擬芯片需求劇增，新產(chǎn)能將有效緩解供應(yīng)緊張局面。
這項(xiàng)創(chuàng)紀(jì)錄的投資得到了美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》相關(guān)政策激勵(lì)的推動(dòng)。去年12月，美國(guó)政府已向德州儀器提供了16.1億美元的聯(lián)邦補(bǔ)貼。新工廠的建設(shè)預(yù)計(jì)將創(chuàng)造數(shù)千個(gè)直接就業(yè)機(jī)會(huì)和數(shù)萬個(gè)間接工作崗位。位于謝爾曼的新工廠建設(shè)期間，當(dāng)?shù)亟ㄖ境薪恿舜罅抗こ逃唵?，為建筑工人提供了臨時(shí)就業(yè)機(jī)會(huì)；工廠投產(chǎn)后，招聘的工程師、技術(shù)工人等崗位，也吸引了周邊高校電子工程專業(yè)的畢業(yè)生。
德州儀器總裁哈伊姆·伊蘭表示，這項(xiàng)投資是為了構(gòu)建可靠且具有成本效益的300毫米晶圓制造能力，以更好地服務(wù)客戶并強(qiáng)化美國(guó)在基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的供應(yīng)鏈安全。該計(jì)劃是美國(guó)近期一系列大規(guī)模半導(dǎo)體制造投資浪潮的一部分，凸顯了全球供應(yīng)鏈重構(gòu)背景下，各國(guó)對(duì)本土芯片制造能力的重視。
美國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)投資熱潮，美光、格芯等同步跟進(jìn)
近年來，美國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)掀起投資熱潮。除德州儀器外，美光、格芯等企業(yè)近期也宣布了重大本土擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。
6月12日，美光科技宣布將其美國(guó)投資總額從1250億美元大幅提升至2000億美元（約合人民幣1.43萬億元）。新投資中，1500億美元用于愛達(dá)荷州、紐約州和弗吉尼亞州的尖端DRAM制造基地建設(shè)，500億美元投入研發(fā)，重點(diǎn)布局高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）等人工智能關(guān)鍵芯片。
以紐約州的工廠為例，建成后將為英偉達(dá)等AI芯片巨頭供應(yīng)HBM，解決其因HBM短缺導(dǎo)致高端GPU產(chǎn)能受限的問題，推動(dòng)AI服務(wù)器的大規(guī)模生產(chǎn)，進(jìn)而支撐起ChatGPT等大型語言模型的運(yùn)行和升級(jí)。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將創(chuàng)造9萬個(gè)直接與間接就業(yè)崗位，首座愛達(dá)荷州晶圓廠將于2027年投產(chǎn)。
6月4日，全球晶圓代工廠格芯宣布未來五年向紐約州和佛蒙特州工廠投資160億美元，其中130億美元用于擴(kuò)建14nm/12nm FinFET晶圓產(chǎn)能，覆蓋AI數(shù)據(jù)中心芯片及車規(guī)級(jí)MCU；30億美元投入先進(jìn)封裝與硅光子技術(shù)研發(fā)。格芯CEO蒂姆·布林強(qiáng)調(diào)，其氮化鎵（GaN）電源芯片技術(shù)可將數(shù)據(jù)中心能耗降低30%，并提升電動(dòng)汽車充電效率。特斯拉等車企已與格芯展開接洽，探討在下一代電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)中采用格芯氮化鎵芯片的可能性。
結(jié) 語
美國(guó)半導(dǎo)體制造本土化加速推進(jìn)，通過政策引導(dǎo)與企業(yè)布局，強(qiáng)化本土制造能力。韓國(guó)政府也表示將加大對(duì)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度，通過稅收優(yōu)惠、研發(fā)補(bǔ)貼等政策，助力本土企業(yè)在先進(jìn)制程、新型存儲(chǔ)技術(shù)等領(lǐng)域保持競(jìng)爭(zhēng)力，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)。此外，歐盟也宣布啟動(dòng)“歐洲芯片法案”，計(jì)劃在2030年前投入超過430億歐元，打造本土半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)，重點(diǎn)發(fā)展2納米及以下的先進(jìn)制程技術(shù)，培育如英飛凌、意法半導(dǎo)體等本土龍頭企業(yè)。
全球晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)步入白熱化階段，多方力量在半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)加碼，全球半導(dǎo)體格局也將進(jìn)入深度重塑階段。
