PSoC(Programmable System on Chip)芯片是一種高度集成的可編程系統(tǒng)級(jí)芯片,由美國賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corporation)開發(fā)。它結(jié)合了微控制器(MCU)、數(shù)字邏輯、模擬信號(hào)處理和存儲(chǔ)器等多種功能,能夠在單個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的系統(tǒng)功能。以下是PSoC芯片的主要特點(diǎn):
Ciena聯(lián)合Vertical Systems Group報(bào)告顯示,受AI驅(qū)動(dòng),400G波長(zhǎng)服務(wù)需求將在2029年前激增,同時(shí)100G circuits持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)。托管光纖網(wǎng)絡(luò)(MOFN)成為超大規(guī)模企業(yè)數(shù)據(jù)中心建設(shè)新趨勢(shì)。
在半導(dǎo)體 SiGe 工藝中,分兩步生長(zhǎng)低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求:晶格常數(shù)差異:Ge的晶格常數(shù)(5.66 ?)比Si(5.43 ?)大約4%,直接在 Si 襯底上生長(zhǎng)高摻雜 Ge 層會(huì)因晶格失配產(chǎn)生高應(yīng)力,導(dǎo)致位錯(cuò)等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層,通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量(如從 Si 到 SiGe 的過渡),逐步釋放晶格應(yīng)力,為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長(zhǎng)基礎(chǔ)。
芯聯(lián)集成榮膺TMC2025“2025年度創(chuàng)新技術(shù)大獎(jiǎng)”。 6月12日,在第十七屆國際汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)上,芯聯(lián)集成憑借其1500V SiC MOS 灌膠模組系列產(chǎn)品,斬獲組委會(huì)頒發(fā)的“2025年度創(chuàng)新技術(shù)”大獎(jiǎng)。 該獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)芯聯(lián)集成在車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域卓越產(chǎn)品力與領(lǐng)先技術(shù)力的高度認(rèn)可。 作為中國規(guī)模最大、最具影響力的汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)盛會(huì),本屆年會(huì)由中國汽車工程學(xué)會(huì)主辦,匯聚了180余家國內(nèi)外頂