芯耀
2151
在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時間，公司成了為國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。
根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已邁入晶圓代工“第一梯隊”，躋身2024年全球?qū)倬A代工榜單前十，中國大陸第四。在模組封裝方面，根據(jù)蓋世汽車研究院發(fā)布的 2024 年功率器件（驅(qū)動）供應(yīng)商裝機量數(shù)據(jù)，公司在國內(nèi)新能源乘用車終端銷量排行榜位列第三。
一、公司介紹
1.1、發(fā)展歷程
芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司成立于2018年3月, 注冊資本70.537億元人民幣，總部位于浙江紹興。芯聯(lián)集成主要從事 MEMS、IGBT、MOSFET、模擬IC、MCU 的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，為汽車、新能源、工控、家電等領(lǐng)域提供一站式芯片系統(tǒng)代工方案。
公司在成立之初便決定進軍車載功率器件，通過與海外頭部客戶的合作，公司建立了嚴格的車載芯片生產(chǎn)制造產(chǎn)線和工藝標準，之后公司 IGBT 芯片進入量產(chǎn)，彼時恰逢國內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，公司功率器件收入快速提升。目前公司是中國 IGBT 芯片規(guī)模最大的制造基地之一，IGBT、MOS、MEMS 為主的 8 英寸硅基芯片和模組也構(gòu)成了公司發(fā)展的基本盤。2024年，公司商業(yè)模式實現(xiàn)了從晶圓代工到系統(tǒng)代工的創(chuàng)新轉(zhuǎn)變，模組封裝收入已實現(xiàn) 6.02 億元，同比增長54.54%，25Q1這一成長趨勢仍在延續(xù)。
SiC業(yè)務(wù)方面，公司出貨量穩(wěn)居亞洲市場前列，全面布局 650V 到 2000V SiC 工藝平臺，2024年，公司實現(xiàn)碳化硅收入超 10 億元，同比增長超 100%，實現(xiàn)中國首條、全球第二條 8英寸SiC工程批通線，并預(yù)計2025年下半年量產(chǎn)。
模擬IC業(yè)務(wù)方面，公司擁有多個G0等級的車規(guī)級工藝平臺，是國內(nèi)在該領(lǐng)域布局最完整的企業(yè)之一。2024 年，公司模擬IC業(yè)務(wù)收入同比增長超8倍，公司還推出了 55nm MCU 平臺，并在40nm MCU平臺研發(fā)驗證中取得積極進展。車規(guī)級高壓模擬 IC 國產(chǎn)化率非常低，國產(chǎn)替代空間十分廣闊。
1.2、股東背景
公司由紹興市越城區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)基金(越城基金)及中芯控股于2018年合資設(shè)立，目前越城基金、中芯控股分別擁有公司16.30%、14.06%股份，為公司第一、二大股東。公司在技術(shù)、人員兩大方面得到中芯國際較好支持，MEMS、功率器件相關(guān)的573項專利及31項非專利技術(shù)均來自于中芯國際授權(quán)，公司董事趙奇、劉煊杰、資深副總經(jīng)理肖方、副總經(jīng)理張霞、嚴飛等管理層均來自中芯國際。
1.2、工藝平臺
公司產(chǎn)品主要包括 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 為主的功率芯片、BCD 工藝為主的模擬 IC 芯片、MEMS 為主的傳感信號鏈，以及相應(yīng)的模組封裝等。
圖|公司產(chǎn)品演進
來源：公司官網(wǎng)
1.2.1、MEMS
芯聯(lián)集成團隊已經(jīng)在MEMS領(lǐng)域耕耘了已有十多年，擁有豐富的研發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗。 技術(shù)路線主要分為兩類：第一種為器件直接接觸外部環(huán)境的開放式結(jié)構(gòu)，例如MEMS麥克風(fēng)、壓力傳感器、超聲波傳感器等； 第二種為器件密閉在封蓋中的封閉式結(jié)構(gòu)，例如振蕩器、加速度計、陀螺儀等。
芯聯(lián)集成MEMS工藝平臺布局完整，技術(shù)先進，具備CMOS-MEMS單芯片集成和晶圓級封裝能力，可以為客戶提供定制化工藝研發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)解決方案。
圖|公司MEMS工業(yè)技術(shù)及特點
來源:與非研究院整理
1.2.2、MOSFET和IGBT
芯聯(lián)集成提供完整的MOSFET工藝平臺，包括溝槽式MOSFET、分柵式MOSFET以及超結(jié)MOSFET，包括先進的背面工藝以及特殊金屬沉積工藝等。
公司立足于場截止型（Field Stop）IGBT結(jié)構(gòu)，采用業(yè)界先進的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝等。600V~1200V等器件工藝均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，技術(shù)參數(shù)可達到業(yè)界領(lǐng)先水平，同時提供快恢復(fù)二極管的代工服務(wù)。
場截止型（Field Stop）IGBT結(jié)構(gòu)，先進的背面加工工藝，和靈活的金屬層次選擇，可以為客戶提供定制化工藝研發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)解決方案。
圖|公司功率工業(yè)技術(shù)及特點
來源:與非研究院整理
1.2.3、BCD
芯聯(lián)集成車規(guī)級BCD技術(shù)工藝平臺，為汽車、新能源、高端工控、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用，提供完整高壓、大電流與高密度技術(shù)的模擬和電源方案。電壓范圍為5V-150V，和250V-650V，工藝節(jié)點為0.35μm和0.18μm。
圖|公司BCD工業(yè)技術(shù)及特點
來源:與非研究院整理
1.3、產(chǎn)能情況
圖|公司產(chǎn)線
來源：公司公告
產(chǎn)能占比
截止2024年底，公司硅基產(chǎn)能（8英寸+12 英寸）占比 91.4%，其中2023年已完成2條8英寸，產(chǎn)能17萬片/月，其中IGBT 產(chǎn)品月產(chǎn)8萬片、MOSFET產(chǎn)品月產(chǎn)7萬片、MEMS產(chǎn)品月產(chǎn)1.5萬片、HVIC（8英寸）產(chǎn)品月產(chǎn)0.5萬片。
2024年完成1條12英寸產(chǎn)線，目前產(chǎn)能3萬片/月。
SiC 產(chǎn)能占比 8.6%（8 英寸工程批階段），預(yù)計2026年通過改造現(xiàn)有產(chǎn)線，形成1.5萬片/月的8英寸SiC 產(chǎn)能。
圖|公司產(chǎn)能情況
來源：公司公告
未來擴張計劃
12 英寸產(chǎn)線：2025-2027 年逐步釋放剩余 7 萬片/月產(chǎn)能，總投資超 140 億元，目標成為國內(nèi)最大模擬芯片研發(fā)和生產(chǎn)基地。
SiC 戰(zhàn)略：加速8英寸產(chǎn)線驗證，推動車規(guī)級SiC模組與IGBT的協(xié)同生產(chǎn)，計劃 2026 年 SiC 收入占比提升至20% 以上。
芯聯(lián)集成憑借 8 英寸成熟產(chǎn)線的穩(wěn)定輸出、12 英寸新產(chǎn)線的快速爬坡及 SiC 技術(shù)的突破，已形成 “硅基 + 化合物半導(dǎo)體” 雙輪驅(qū)動的產(chǎn)能布局。未來將以車規(guī)級芯片為核心，持續(xù)加大 AI、新能源領(lǐng)域的產(chǎn)能傾斜，目標成為全球領(lǐng)先的數(shù)?；旌舷到y(tǒng)代工平臺。
二、財務(wù)分析
2.1、營收和利潤情況
圖|營收及增長率變化
來源：與非研究院整理
2019-2024年，公司營收呈現(xiàn)爆發(fā)式增長由2.70億元提升至65.09億元，2025Q1為17.34億元。2020-2025Q1增速分別為174%、173.82%、127.59%、15.59%、22.25%、17.34%。
從應(yīng)用領(lǐng)域來看，2024年公司車載領(lǐng)域收入占比51.78%，同比增加9.43億元，同比增長 40.87%；高端消費領(lǐng)域收入占比30.61%，同比增加7.64 億元，同比增長66.02%。
圖|扣非凈利潤及增長率變化
來源：與非研究院整理
2019-2023年扣非凈利潤持續(xù)下降，由-7.9億元降低至-22.62億元，2024年收窄至-14.10億元，2025Q1為-2.30億元。公司主要虧損原因是因為大規(guī)模的生產(chǎn)型投入造成的折舊攤銷影響。
2023年剔除折舊及攤銷費用34.51億元后，公司全年實現(xiàn)EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）9.25億元，與上年同期相比增加1.16億元，同比增長14.29%。同時，2023年度經(jīng)營性凈現(xiàn)金流為26.14億元, 與上年同期相比增加12.80億元，同比增長95.93%。
2024年歸屬于母公司所有者的凈利潤同比大幅減虧超50.87%，剔除年度折舊及攤銷費用 40.38 億元后，公司2024 年實現(xiàn)EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）21.46 億元，與上年同期相比增加12.20億元，同比增長131.86%
2.2、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
圖|營收結(jié)構(gòu)
來源：與非研究院整理
2019-2024年晶圓代工占比分別為89.51%、84.52%、91.20%、77.22%、83.99%、85.96%；封裝測試占比逐漸提高，由3.25%提升至9.24%；其他業(yè)務(wù)2022年占比最高達14.07%，2024年降低至3.58%；研發(fā)服務(wù)由2020年11.13%降低至2024年1.21%。
2023年公司晶圓代工收入占比91.07%，同比增長25.73%；模組封裝收入占比 7.93%，同比增長32.89%。
圖|代工營收產(chǎn)品拆分
來源：與非研究院整理
2019-2022年主營產(chǎn)品收入為功率器件，占比分別為65.63%、53.32%、71.50%、70.16%；MEMS產(chǎn)品占比分別為23.88%、31.20%、19.69%、7.06%。
圖|內(nèi)外銷結(jié)構(gòu)
來源：與非研究院整理
營收結(jié)構(gòu)中，2019-2024年內(nèi)銷占比分別為87.21%、80.66%、92.79%、77.40%、81.70%、88.33%；外銷占比分別為9.66%、17.54%、6.24%、8.54%、10.53%、8.09%；其他業(yè)務(wù)占比非標為2.82%、1.80%、0.97%、14.07%、7.77%、3.58%。
2.3、毛利率和凈利率
圖|毛利率和凈利率變化
來源：與非研究院整理
2019-2024年毛利率和凈利率從深度虧損逐步收窄，2024 年首次實現(xiàn)毛利率轉(zhuǎn)正，全年公司毛利率為 1.03%。2025Q1持續(xù)擴大，毛利率為3.67%，毛利端改善顯著，經(jīng)營效率提升。
盡管凈利率為負，但虧損幅度整體呈收窄趨勢，2023 年的波動未改變長期向好方向，凈利率隨毛利改善逐步修復(fù)，盈利質(zhì)量持續(xù)優(yōu)化。
隨著公司 8 英寸晶圓一期生產(chǎn)線關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備逐步退出折舊周期，其相應(yīng)的折舊攤銷等固定成本將明顯減少。與此同時，公司新增產(chǎn)線的固定資產(chǎn)投資及其折舊攤銷費用亦呈現(xiàn)逐步減緩的態(tài)勢，公司的整體折舊攤銷負擔(dān)將步入下降通道。由此，公司的毛利率和盈利能力預(yù)計將持續(xù)提升，為公司未來的財務(wù)表現(xiàn)和市場競爭力帶來積極影響。
圖|營收結(jié)構(gòu)毛利率變化%
來源：與非研究院整理
2019-2022年晶圓代工業(yè)務(wù)毛利率深度虧損，由-199.47%逐年收窄至接近盈虧-0.09%，2023 年短期波動-7.60%，2024 年首次盈利0.48%，標志核心業(yè)務(wù)盈利能力修復(fù)，從虧損泥潭中突圍。
2019-2021年封裝測試毛利率分別為-61.59%、-77.82%、-75.54%，2022 年收窄至-10.98%，2023 年反彈至-15.93%，受行業(yè)周期影響，2024 年虧損進一步收窄至-3.16%，雖未盈利，但改善趨勢明確，需持續(xù)優(yōu)化業(yè)務(wù)。
其他業(yè)務(wù)2019-2021 年其他業(yè)務(wù)毛利率呈現(xiàn)高盈利，分別為20.90%、18.11%、20.04%，2022 年下滑至3.79%，2023 年回升至9.50%，2024 年飆升至 25.49%（創(chuàng)近年新高），成為重要利潤支柱，多元化業(yè)務(wù)（如新興應(yīng)用、配套服務(wù)）的高附加值拓展成效顯著。
2.4、研發(fā)投入情況
圖|研發(fā)投入及占比%
來源：與非研究院整理
2020-2024年，公司研發(fā)投入持續(xù)增長，由2.62億元提升至18.42億元，2025Q1為4.58億元，研發(fā)投入占營收比重分別為35.46%、30.69%、18.22%、28.72%、28.30%、26.30%，維持在較高水平。
圖|研發(fā)人員數(shù)量及占比%
來源：與非研究院整理
2020-2024年研發(fā)人員數(shù)量由214人提升至943人，研發(fā)人員占比分別為15.92%、13.23%、11.27%、15.00%、19.00%。
公司發(fā)布了 2024 年限制性股票激勵計劃（草案），首次授予部分涉及 的激勵對象共計 763 人，激勵對象主要為公司核心技術(shù)人員、中高層管理人員、核心技術(shù)（業(yè)務(wù)）骨干。
2023年對12英寸硅基晶圓產(chǎn)品、SiC產(chǎn)品加大研發(fā)力度，公司專利獲得數(shù)也較去年有了大幅增長：報告期內(nèi)公司新增獲得專利102項，其中發(fā)明專利35項，實用新型專利63項。公司及下屬子公司共獲得各類獎項15項，含國家級2項，省級5項。
2024 年公司堅持高水平技術(shù)研發(fā)投入、引進高端人才并配備國際先進資源，在晶圓制造及模組封裝領(lǐng)域發(fā)力，成功推出大量新產(chǎn)品并獲多個重大客戶定點：汽車電子方面，電動化領(lǐng)域功率半導(dǎo)體等進入規(guī)模量產(chǎn)，高壓BCD SOI 集成方案獲車企定點，智能化領(lǐng)域激光雷達核心芯片等規(guī)模量產(chǎn)、多傳感器項目進入智能汽車終端；人工智能方面，AI 服務(wù)器等應(yīng)用的電源管理芯片大規(guī)模量產(chǎn)，機器人領(lǐng)域MEMS傳感器及功率類芯片代工產(chǎn)品成功量產(chǎn)；工業(yè)控制方面，風(fēng)光儲充相關(guān)儲能模塊、光伏模塊及大電流分立器件，智能電網(wǎng)領(lǐng)域超高壓 IGBT 產(chǎn)品順利量產(chǎn)，傳統(tǒng)工控領(lǐng)域新型工業(yè)變頻模塊系列即將量產(chǎn)；消費電子方面，傳感器和鋰電池保護芯片占據(jù)市場和技術(shù)領(lǐng)先位置，低壓 40V BCD 及數(shù)模混合技術(shù)平臺實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)并進入多個手機終端應(yīng)用。
三、總結(jié)
芯聯(lián)集成成立僅7年時間，憑借原中芯在?MEMS 及功率器件業(yè)務(wù)深厚技術(shù)積累，不斷發(fā)力車規(guī)級IGBT芯片覆蓋650V-1200V、1700VSiC MOSFET、及車規(guī)級BCD技術(shù)工藝平臺，持續(xù)拓展模擬IC產(chǎn)品如電源管理芯片、數(shù)模混合信號芯片等領(lǐng)域。在產(chǎn)能持續(xù)擴張的同時，營收和利潤實現(xiàn)了大幅度的提升，毛利率也出現(xiàn)了轉(zhuǎn)正，一躍成為全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)，發(fā)展勢頭非常迅猛。
公司持續(xù)聚焦國內(nèi)優(yōu)勢行業(yè)風(fēng)光儲、消費電子、汽車電子方向，加速 8 英寸 SiC MOSFET 量產(chǎn)，推進 55nm/40nm MCU、高壓 BCD 工藝平臺升級，布局AI服務(wù)器電源、機器人芯片等新興領(lǐng)域，為未來持續(xù)發(fā)展奠定基石。
